ਐਨਹਾਂਸਡ ਪੈਕੇਜ MOSFETs ਕਿਵੇਂ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ

ਐਨਕੈਪਸੂਲੇਟਡ MOSFETs ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਇੱਕ ਸਵਿਚਿੰਗ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਜਾਂ ਮੋਟਰ ਡਰਾਈਵ ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਕਰਦੇ ਸਮੇਂ, ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਲੋਕ MOS ਦੇ ਆਨ-ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਅਧਿਕਤਮ ਵੋਲਟੇਜ, ਆਦਿ, ਅਧਿਕਤਮ ਮੌਜੂਦਾ, ਆਦਿ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਵਿੱਚ ਰੱਖਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਅਜਿਹੇ ਹਨ ਜੋ ਸਿਰਫ ਇਹਨਾਂ ਕਾਰਕਾਂ 'ਤੇ ਵਿਚਾਰ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਅਜਿਹੇ ਸਰਕਟ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਪਰ ਉਹ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਨਹੀਂ ਹਨ ਅਤੇ ਰਸਮੀ ਉਤਪਾਦ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮਨਜ਼ੂਰ ਨਹੀਂ ਹਨ।

ਹੇਠਾਂ MOSFET ਦੀਆਂ ਮੂਲ ਗੱਲਾਂ ਦਾ ਇੱਕ ਛੋਟਾ ਜਿਹਾ ਸਾਰ ਹੈ ਅਤੇMOSFETਡਰਾਈਵਰ ਸਰਕਟ, ਜਿਸਦਾ ਮੈਂ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਸਰੋਤਾਂ ਦਾ ਹਵਾਲਾ ਦਿੰਦਾ ਹਾਂ, ਸਾਰੇ ਮੂਲ ਨਹੀਂ। MOSFETs, ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਡਰਾਈਵ ਅਤੇ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟਾਂ ਦੀ ਜਾਣ-ਪਛਾਣ ਸਮੇਤ. ਪੈਕੇਜਿੰਗ MOSFET ਕਿਸਮਾਂ ਅਤੇ ਜੰਕਸ਼ਨ MOSFET ਇੱਕ FET (ਇੱਕ ਹੋਰ JFET) ਹੈ, ਜਿਸ ਨੂੰ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਜਾਂ ਘਟਾਓ ਕਿਸਮ, P-ਚੈਨਲ ਜਾਂ N-ਚੈਨਲ ਕੁੱਲ ਚਾਰ ਕਿਸਮਾਂ ਵਿੱਚ ਨਿਰਮਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਪਰ ਅਸਲ ਵਿੱਚ ਸਿਰਫ਼ ਐਨ-ਚੈਨਲ MOSFET ਅਤੇ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਪੀ. -ਚੈਨਲ MOSFET, ਇਸ ਲਈ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ NMOS ਵਜੋਂ ਜਾਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਾਂ PMOS ਇਹਨਾਂ ਦੋ ਕਿਸਮਾਂ ਦਾ ਹਵਾਲਾ ਦਿੰਦਾ ਹੈ।

ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਕਿਉਂ ਨਾ ਡਿਪਲੀਸ਼ਨ ਕਿਸਮ MOSFETs ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ, ਇਸ ਦੇ ਹੇਠਾਂ ਜਾਣ ਦੀ ਸਿਫਾਰਸ਼ ਨਹੀਂ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ। ਇਹਨਾਂ ਦੋ ਕਿਸਮਾਂ ਦੇ ਸੁਧਾਰ MOSFETs ਲਈ, NMOS ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਇਸਦੀ ਘੱਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਤਾ ਅਤੇ ਨਿਰਮਾਣ ਦੀ ਸੌਖ ਕਾਰਨ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਅਤੇ ਮੋਟਰ ਡਰਾਈਵ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਨੂੰ ਬਦਲਣਾ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ NMOS ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ। ਹੇਠ ਦਿੱਤੀ ਜਾਣ-ਪਛਾਣ, ਪਰ ਹੋਰ ਵੀNMOS-ਅਧਾਰਿਤ।

MOSFETs ਕੋਲ ਤਿੰਨ ਪਿੰਨਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਪਰਜੀਵੀ ਸਮਰੱਥਾ ਹੈ, ਜਿਸਦੀ ਲੋੜ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਪਰ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀਆਂ ਸੀਮਾਵਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ। ਡਰਾਈਵ ਸਰਕਟ ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਜਾਂ ਚੋਣ ਵਿੱਚ ਪਰਜੀਵੀ ਸਮਰੱਥਾ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਨੂੰ ਕੁਝ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੋਣ ਲਈ, ਪਰ ਬਚਣ ਦਾ ਕੋਈ ਤਰੀਕਾ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਅਤੇ ਫਿਰ ਵਿਸਥਾਰ ਵਿੱਚ ਦੱਸਿਆ ਗਿਆ ਹੈ. ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਤੁਸੀਂ MOSFET ਯੋਜਨਾਬੱਧ 'ਤੇ ਦੇਖ ਸਕਦੇ ਹੋ, ਡਰੇਨ ਅਤੇ ਸਰੋਤ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇੱਕ ਪਰਜੀਵੀ ਡਾਇਓਡ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

ਇਸਨੂੰ ਬਾਡੀ ਡਾਇਓਡ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਮੋਟਰਾਂ ਵਰਗੇ ਪ੍ਰੇਰਕ ਲੋਡ ਚਲਾਉਣ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਤਰੀਕੇ ਨਾਲ, ਸਰੀਰ ਦੇ ਡਾਇਓਡ ਸਿਰਫ ਵਿਅਕਤੀਗਤ ਵਿੱਚ ਮੌਜੂਦ ਹੈMOSFETsਅਤੇ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਚਿੱਪ ਦੇ ਅੰਦਰ ਮੌਜੂਦ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। MOSFET ON CharacteristicsOn ਦਾ ਮਤਲਬ ਇੱਕ ਸਵਿੱਚ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਕੰਮ ਕਰਨਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਇੱਕ ਸਵਿੱਚ ਬੰਦ ਕਰਨ ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਹੈ।

NMOS ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਤ ਮੁੱਲ ਤੋਂ ਵੱਧ Vgs ਸੰਚਾਲਨ ਕਰੇਗਾ, ਜਦੋਂ ਸਰੋਤ ਆਧਾਰਿਤ ਹੈ (ਲੋਅ-ਐਂਡ ਡਰਾਈਵ), ਜਦੋਂ ਤੱਕ 4V ਜਾਂ 10V ਦੇ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਹੋਵੇ, ਉਦੋਂ ਤੱਕ ਵਰਤੋਂ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਹੋਵੇਗਾ। PMOS ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਮੁੱਲ ਤੋਂ ਘੱਟ Vgs ਸੰਚਾਲਨ ਕਰੇਗਾ, ਜਦੋਂ ਸਰੋਤ VCC (ਹਾਈ-ਐਂਡ ਡਰਾਈਵ) ਨਾਲ ਕਨੈਕਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਤਾਂ ਉਸ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਵਰਤੋਂ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਹਾਲਾਂਕਿ ਪੀਐਮਓਐਸ ਨੂੰ ਉੱਚ ਪੱਧਰੀ ਡਰਾਈਵਰ ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਐਨਐਮਓਐਸ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵੱਡੇ ਆਨ-ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਉੱਚ ਕੀਮਤ, ਅਤੇ ਕੁਝ ਬਦਲੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਉੱਚ ਸਿਰੇ ਵਾਲੇ ਡਰਾਈਵਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਪੈਕੇਜਿੰਗ MOSFET ਸਵਿਚਿੰਗ ਟਿਊਬ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ, ਭਾਵੇਂ ਇਹ NMOS ਹੋਵੇ ਜਾਂ PMOS, ਸੰਚਾਲਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਆਨ-ਰੋਧਕ ਮੌਜੂਦ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਕਰੰਟ ਇਸ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵਿੱਚ ਊਰਜਾ ਦੀ ਖਪਤ ਕਰੇਗਾ, ਖਪਤ ਕੀਤੀ ਊਰਜਾ ਦੇ ਇਸ ਹਿੱਸੇ ਨੂੰ ਸੰਚਾਲਨ ਨੁਕਸਾਨ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇੱਕ ਛੋਟੇ ਆਨ-ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ MOSFET ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਨ ਨਾਲ ਸੰਚਾਲਨ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਘੱਟ ਜਾਵੇਗਾ। ਅੱਜਕੱਲ੍ਹ, ਛੋਟੀ ਪਾਵਰ MOSFET ਦਾ ਆਨ-ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਦਸਾਂ ਮਿਲਿਓਹਮ ਦੇ ਆਸਪਾਸ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਕੁਝ ਮਿਲਿਓਹਮ ਵੀ ਉਪਲਬਧ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। MOS ਨੂੰ ਇੱਕ ਮੁਹਤ ਵਿੱਚ ਪੂਰਾ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਇਹ ਚਲਾਉਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਕੱਟਦਾ ਹੈ। MOS ਦੇ ਦੋਵੇਂ ਪਾਸੇ ਵੋਲਟੇਜ ਹੈ ਘਟਣ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ, ਅਤੇ ਇਸ ਵਿੱਚੋਂ ਵਹਿ ਰਹੇ ਕਰੰਟ ਵਿੱਚ ਵਧਣ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਸਮੇਂ ਦੌਰਾਨ, MOSFET ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਦਾ ਉਤਪਾਦ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਨੂੰ ਸਵਿਚਿੰਗ ਨੁਕਸਾਨ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਵਿਚਿੰਗ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਸੰਚਾਲਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨਾਲੋਂ ਬਹੁਤ ਵੱਡਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਜਿੰਨੀ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਸਵਿਚਿੰਗ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਨੁਕਸਾਨ ਓਨਾ ਹੀ ਵੱਡਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਸੰਚਾਲਨ ਦੇ ਤੁਰੰਤ 'ਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਦਾ ਉਤਪਾਦ ਬਹੁਤ ਵੱਡਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਵੱਡੇ ਨੁਕਸਾਨ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।

ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਮੇਂ ਨੂੰ ਛੋਟਾ ਕਰਨ ਨਾਲ ਹਰੇਕ ਸੰਚਾਲਨ 'ਤੇ ਨੁਕਸਾਨ ਘਟਦਾ ਹੈ; ਸਵਿਚਿੰਗ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀ ਯੂਨਿਟ ਸਮੇਂ ਵਿੱਚ ਸਵਿੱਚਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਘੱਟ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਦੋਵੇਂ ਤਰੀਕੇ ਸਵਿਚਿੰਗ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘਟਾ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਸੰਚਾਲਨ ਦੇ ਤੁਰੰਤ 'ਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਦਾ ਗੁਣਨਫਲ ਵੱਡਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਨੁਕਸਾਨ ਵੀ ਵੱਡਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਸਵਿਚਿੰਗ ਦੇ ਸਮੇਂ ਨੂੰ ਛੋਟਾ ਕਰਨ ਨਾਲ ਹਰੇਕ ਸੰਚਾਲਨ 'ਤੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘਟਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ; ਸਵਿਚਿੰਗ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀ ਯੂਨਿਟ ਸਮੇਂ ਦੇ ਸਵਿੱਚਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਘਟ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਦੋਵੇਂ ਤਰੀਕੇ ਸਵਿਚਿੰਗ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘਟਾ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਬਾਈਪੋਲਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ, ਇਹ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮੰਨਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਕਿ ਇੱਕ ਪੈਕਡ MOSFET ਨੂੰ ਚਾਲੂ ਕਰਨ ਲਈ ਕਿਸੇ ਵੀ ਕਰੰਟ ਦੀ ਲੋੜ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਤੱਕ GS ਵੋਲਟੇਜ ਇੱਕ ਖਾਸ ਮੁੱਲ ਤੋਂ ਉੱਪਰ ਹੈ। ਇਹ ਕਰਨਾ ਆਸਾਨ ਹੈ, ਹਾਲਾਂਕਿ, ਸਾਨੂੰ ਗਤੀ ਦੀ ਵੀ ਲੋੜ ਹੈ। ਐਨਕੈਪਸੂਲੇਟਡ MOSFET ਦੀ ਬਣਤਰ ਨੂੰ GS, GD ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਪਰਜੀਵੀ ਸਮਰੱਥਾ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਵਿੱਚ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ MOSFET ਦੀ ਡ੍ਰਾਈਵਿੰਗ, ਅਸਲ ਵਿੱਚ, ਕੈਪੈਸੀਟੈਂਸ ਦੀ ਚਾਰਜਿੰਗ ਅਤੇ ਡਿਸਚਾਰਜਿੰਗ ਹੈ। ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਨੂੰ ਚਾਰਜ ਕਰਨ ਲਈ ਕਰੰਟ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਨੂੰ ਤੁਰੰਤ ਚਾਰਜ ਕਰਨਾ ਇੱਕ ਸ਼ਾਰਟ ਸਰਕਟ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਤਤਕਾਲ ਕਰੰਟ ਵੱਡਾ ਹੋਵੇਗਾ। MOSFET ਡਰਾਈਵਰ ਦੀ ਚੋਣ/ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਕਰਨ ਵੇਲੇ ਧਿਆਨ ਦੇਣ ਵਾਲੀ ਪਹਿਲੀ ਗੱਲ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਤਤਕਾਲ ਸ਼ਾਰਟ-ਸਰਕਟ ਕਰੰਟ ਦਾ ਆਕਾਰ ਜੋ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਨੋਟ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਦੂਜੀ ਗੱਲ ਇਹ ਹੈ ਕਿ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਹਾਈ-ਐਂਡ ਡਰਾਈਵ NMOS ਵਿੱਚ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਆਨ-ਟਾਈਮ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ। ਹਾਈ-ਐਂਡ ਡਰਾਈਵ MOSFET ਕੰਡਕਸ਼ਨ ਸੋਰਸ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਡਰੇਨ ਵੋਲਟੇਜ (VCC) ਸਮਾਨ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ VCC 4 V ਜਾਂ 10 V ਨਾਲੋਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ. ਜੇਕਰ ਇੱਕੋ ਸਿਸਟਮ ਵਿੱਚ, VCC ਨਾਲੋਂ ਵੱਡਾ ਵੋਲਟੇਜ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਸਾਨੂੰ ਇਸ ਵਿੱਚ ਮੁਹਾਰਤ ਹਾਸਲ ਕਰਨੀ ਪਵੇਗੀ ਬੂਸਟਿੰਗ ਸਰਕਟ. ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਮੋਟਰ ਡਰਾਈਵਰਾਂ ਕੋਲ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਚਾਰਜ ਪੰਪ ਹਨ, ਇਹ ਨੋਟ ਕਰਨਾ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ ਕਿ ਤੁਹਾਨੂੰ MOSFET ਨੂੰ ਚਲਾਉਣ ਲਈ ਕਾਫ਼ੀ ਸ਼ਾਰਟ-ਸਰਕਟ ਕਰੰਟ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਉਚਿਤ ਬਾਹਰੀ ਸਮਰੱਥਾ ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਨੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ। 4V ਜਾਂ 10V ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ MOSFET ਦੇ ਆਨ-ਸਟੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਬੇਸ਼ਕ, ਡਿਜ਼ਾਇਨ ਨੂੰ ਇੱਕ ਖਾਸ ਮਾਰਜਿਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਵੋਲਟੇਜ ਜਿੰਨੀ ਉੱਚੀ ਹੋਵੇਗੀ, ਓਨੀ ਹੀ ਤੇਜ਼ ਆਨ-ਸਟੇਟ ਸਪੀਡ ਅਤੇ ਓਨੀ ਹੀ ਘੱਟ ਆਨ-ਸਟੇਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ। ਅੱਜਕੱਲ੍ਹ, ਵੱਖ-ਵੱਖ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਛੋਟੇ ਆਨ-ਸਟੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਵਾਲੇ MOSFET ਮੌਜੂਦ ਹਨ, ਪਰ 12V ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਿਸਟਮਾਂ ਵਿੱਚ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 4V ਆਨ-ਸਟੇਟ ਕਾਫ਼ੀ ਹੈ। MOSFET ਡਰਾਈਵ ਸਰਕਟ ਅਤੇ ਇਸ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ।