ਹਾਲ ਹੀ ਵਿੱਚ, ਜਦੋਂ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਗਾਹਕ MOSFETs ਬਾਰੇ ਸਲਾਹ ਕਰਨ ਲਈ Olukey ਵਿੱਚ ਆਉਂਦੇ ਹਨ, ਤਾਂ ਉਹ ਇੱਕ ਸਵਾਲ ਪੁੱਛਣਗੇ, ਇੱਕ ਢੁਕਵਾਂ MOSFET ਕਿਵੇਂ ਚੁਣਨਾ ਹੈ? ਇਸ ਸਵਾਲ ਦੇ ਸੰਬੰਧ ਵਿੱਚ, ਓਲੂਕੀ ਹਰ ਕਿਸੇ ਲਈ ਇਸਦਾ ਜਵਾਬ ਦੇਵੇਗਾ.
ਸਭ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ, ਸਾਨੂੰ MOSFET ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਨੂੰ ਸਮਝਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ। MOSFET ਦੇ ਵੇਰਵੇ ਪਿਛਲੇ ਲੇਖ "MOS ਫੀਲਡ ਇਫੈਕਟ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਕੀ ਹੈ" ਵਿੱਚ ਵਿਸਥਾਰ ਵਿੱਚ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ। ਜੇਕਰ ਤੁਸੀਂ ਅਜੇ ਵੀ ਅਸਪਸ਼ਟ ਹੋ, ਤਾਂ ਤੁਸੀਂ ਪਹਿਲਾਂ ਇਸ ਬਾਰੇ ਜਾਣ ਸਕਦੇ ਹੋ। ਸਧਾਰਨ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, MOSFET ਵੋਲਟੇਜ-ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ ਉੱਚ ਇਨਪੁਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਘੱਟ ਸ਼ੋਰ, ਘੱਟ ਪਾਵਰ ਖਪਤ, ਵੱਡੀ ਗਤੀਸ਼ੀਲ ਰੇਂਜ, ਆਸਾਨ ਏਕੀਕਰਣ, ਕੋਈ ਸੈਕੰਡਰੀ ਟੁੱਟਣ ਨਹੀਂ, ਅਤੇ ਵੱਡੀ ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਰੇਂਜ ਦੇ ਫਾਇਦੇ ਹਨ।
ਇਸ ਲਈ, ਸਾਨੂੰ ਸਹੀ ਕਿਵੇਂ ਚੁਣਨਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈMOSFET?
1. ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰੋ ਕਿ ਕੀ N-ਚੈਨਲ ਜਾਂ P-ਚੈਨਲ MOSFET ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨੀ ਹੈ
ਪਹਿਲਾਂ, ਸਾਨੂੰ ਪਹਿਲਾਂ ਇਹ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਨਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ ਕਿ ਕੀ N-ਚੈਨਲ ਜਾਂ P-ਚੈਨਲ MOSFET ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨੀ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਹੇਠਾਂ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ:
ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਉਪਰੋਕਤ ਚਿੱਤਰ ਤੋਂ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, N-ਚੈਨਲ ਅਤੇ P-ਚੈਨਲ MOSFETs ਵਿਚਕਾਰ ਸਪੱਸ਼ਟ ਅੰਤਰ ਹਨ। ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਜਦੋਂ ਇੱਕ MOSFET ਨੂੰ ਆਧਾਰ ਬਣਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਲੋਡ ਬ੍ਰਾਂਚ ਵੋਲਟੇਜ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, MOSFET ਇੱਕ ਉੱਚ-ਵੋਲਟੇਜ ਸਾਈਡ ਸਵਿੱਚ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਸਮੇਂ, ਇੱਕ N-ਚੈਨਲ MOSFET ਵਰਤਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਦੇ ਉਲਟ, ਜਦੋਂ MOSFET ਬੱਸ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਲੋਡ ਨੂੰ ਜ਼ਮੀਨ 'ਤੇ ਰੱਖਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਇੱਕ ਲੋਅ-ਸਾਈਡ ਸਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਪੀ-ਚੈਨਲ MOSFETs ਨੂੰ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇੱਕ ਖਾਸ ਟੋਪੋਲੋਜੀ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਵੋਲਟੇਜ ਡਰਾਈਵ ਦੇ ਵਿਚਾਰਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਵੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।
2. ਵਾਧੂ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ MOSFET ਦਾ ਵਾਧੂ ਕਰੰਟ
(1)। MOSFET ਦੁਆਰਾ ਲੋੜੀਂਦੀ ਵਾਧੂ ਵੋਲਟੇਜ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾਓ
ਦੂਜਾ, ਅਸੀਂ ਵੋਲਟੇਜ ਡਰਾਈਵ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੇ ਵਾਧੂ ਵੋਲਟੇਜ, ਜਾਂ ਡਿਵਾਈਸ ਦੁਆਰਾ ਸਵੀਕਾਰ ਕੀਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਅਧਿਕਤਮ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਹੋਰ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਾਂਗੇ। MOSFET ਦਾ ਵਾਧੂ ਵੋਲਟੇਜ ਜਿੰਨਾ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੋਵੇਗਾ। ਇਸਦਾ ਮਤਲਬ ਇਹ ਹੈ ਕਿ MOSFETVDS ਲੋੜਾਂ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਨੂੰ ਚੁਣਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ, ਇਹ ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਆਧਾਰ 'ਤੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਮਾਪ ਅਤੇ ਚੋਣ ਕਰਨ ਲਈ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ ਜੋ MOSFET ਸਵੀਕਾਰ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਬੇਸ਼ੱਕ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਪੋਰਟੇਬਲ ਉਪਕਰਣ 20V ਹੈ, FPGA ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ 20 ~ 30V ਹੈ, ਅਤੇ 85 ~ 220VAC 450 ~ 600V ਹੈ. WINSOK ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ MOSFET ਵਿੱਚ ਮਜ਼ਬੂਤ ਵੋਲਟੇਜ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਦੀ ਵਿਸ਼ਾਲ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਬਹੁਤੇ ਉਪਭੋਗਤਾਵਾਂ ਦੁਆਰਾ ਇਸਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਜੇਕਰ ਤੁਹਾਨੂੰ ਕੋਈ ਲੋੜ ਹੈ, ਤਾਂ ਕਿਰਪਾ ਕਰਕੇ ਔਨਲਾਈਨ ਗਾਹਕ ਸੇਵਾ ਨਾਲ ਸੰਪਰਕ ਕਰੋ।
(2) MOSFET ਦੁਆਰਾ ਲੋੜੀਂਦੇ ਵਾਧੂ ਕਰੰਟ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾਓ
ਜਦੋਂ ਰੇਟਡ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ ਨੂੰ ਵੀ ਚੁਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ MOSFET ਦੁਆਰਾ ਲੋੜੀਂਦੇ ਰੇਟ ਕੀਤੇ ਮੌਜੂਦਾ ਨੂੰ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਅਖੌਤੀ ਦਰਜਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰੰਟ ਅਸਲ ਵਿੱਚ ਅਧਿਕਤਮ ਕਰੰਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਿਸਨੂੰ MOS ਲੋਡ ਕਿਸੇ ਵੀ ਹਾਲਾਤ ਵਿੱਚ ਸਹਿ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਵੋਲਟੇਜ ਸਥਿਤੀ ਦੇ ਸਮਾਨ, ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਓ ਕਿ ਤੁਹਾਡੇ ਦੁਆਰਾ ਚੁਣਿਆ ਗਿਆ MOSFET ਵਾਧੂ ਕਰੰਟ ਦੀ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਮਾਤਰਾ ਨੂੰ ਸੰਭਾਲ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਭਾਵੇਂ ਸਿਸਟਮ ਮੌਜੂਦਾ ਸਪਾਈਕਸ ਪੈਦਾ ਕਰਦਾ ਹੋਵੇ। ਵਿਚਾਰਨ ਲਈ ਦੋ ਮੌਜੂਦਾ ਸਥਿਤੀਆਂ ਨਿਰੰਤਰ ਪੈਟਰਨ ਅਤੇ ਪਲਸ ਸਪਾਈਕ ਹਨ। ਨਿਰੰਤਰ ਸੰਚਾਲਨ ਮੋਡ ਵਿੱਚ, MOSFET ਇੱਕ ਸਥਿਰ ਅਵਸਥਾ ਵਿੱਚ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਰੰਟ ਯੰਤਰ ਦੁਆਰਾ ਵਹਿਣਾ ਜਾਰੀ ਰੱਖਦਾ ਹੈ। ਪਲਸ ਸਪਾਈਕ ਯੰਤਰ ਦੁਆਰਾ ਵਹਿਣ ਵਾਲੀ ਇੱਕ ਛੋਟੀ ਮਾਤਰਾ (ਜਾਂ ਪੀਕ ਕਰੰਟ) ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਇੱਕ ਵਾਰ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਕਰੰਟ ਨਿਰਧਾਰਤ ਹੋਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਤੁਹਾਨੂੰ ਸਿਰਫ਼ ਇੱਕ ਡਿਵਾਈਸ ਨੂੰ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਚੁਣਨ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਜੋ ਇੱਕ ਖਾਸ ਅਧਿਕਤਮ ਕਰੰਟ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਵਾਧੂ ਕਰੰਟ ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਸੰਚਾਲਨ ਦੀ ਖਪਤ ਨੂੰ ਵੀ ਵਿਚਾਰਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। ਅਸਲ ਸਥਿਤੀਆਂ ਵਿੱਚ, MOSFET ਇੱਕ ਅਸਲ ਯੰਤਰ ਨਹੀਂ ਹੈ ਕਿਉਂਕਿ ਤਾਪ ਸੰਚਾਲਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੌਰਾਨ ਗਤੀ ਊਰਜਾ ਦੀ ਖਪਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜਿਸਨੂੰ ਸੰਚਾਲਨ ਨੁਕਸਾਨ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਜਦੋਂ MOSFET "ਚਾਲੂ" ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਇਹ ਇੱਕ ਵੇਰੀਏਬਲ ਰੋਧਕ ਦੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਡਿਵਾਈਸ ਦੇ RDS(ON) ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਮਾਪ ਨਾਲ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਬਦਲਦਾ ਹੈ। ਮਸ਼ੀਨ ਦੀ ਪਾਵਰ ਖਪਤ ਦੀ ਗਣਨਾ Iload2×RDS(ON) ਦੁਆਰਾ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਕਿਉਂਕਿ ਵਾਪਸੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਮਾਪ ਦੇ ਨਾਲ ਬਦਲਦਾ ਹੈ, ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਵੀ ਉਸ ਅਨੁਸਾਰ ਬਦਲ ਜਾਵੇਗੀ। MOSFET 'ਤੇ ਜਿੰਨੀ ਜ਼ਿਆਦਾ ਵੋਲਟੇਜ VGS ਲਾਗੂ ਹੋਵੇਗੀ, RDS(ON) ਓਨਾ ਹੀ ਛੋਟਾ ਹੋਵੇਗਾ; ਇਸ ਦੇ ਉਲਟ, RDS(ON) ਜਿੰਨਾ ਉੱਚਾ ਹੋਵੇਗਾ। ਨੋਟ ਕਰੋ ਕਿ ਕਰੰਟ ਦੇ ਨਾਲ RDS(ON) ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਥੋੜ੍ਹਾ ਘੱਟ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। RDS (ON) ਰੋਧਕ ਲਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਪੈਰਾਮੀਟਰਾਂ ਦੇ ਹਰੇਕ ਸਮੂਹ ਦੇ ਬਦਲਾਅ ਨਿਰਮਾਤਾ ਦੀ ਉਤਪਾਦ ਚੋਣ ਸਾਰਣੀ ਵਿੱਚ ਲੱਭੇ ਜਾ ਸਕਦੇ ਹਨ।
3. ਸਿਸਟਮ ਦੁਆਰਾ ਲੋੜੀਂਦੀਆਂ ਕੂਲਿੰਗ ਲੋੜਾਂ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾਓ
ਅਗਲੀ ਸਥਿਤੀ ਦਾ ਨਿਰਣਾ ਕਰਨ ਲਈ ਸਿਸਟਮ ਦੁਆਰਾ ਲੋੜੀਂਦੇ ਗਰਮੀ ਦੀ ਖਰਾਬੀ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਹਨ। ਇਸ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ, ਦੋ ਸਮਾਨ ਸਥਿਤੀਆਂ ਨੂੰ ਵਿਚਾਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ, ਅਰਥਾਤ ਸਭ ਤੋਂ ਮਾੜੀ ਸਥਿਤੀ ਅਤੇ ਅਸਲ ਸਥਿਤੀ।
MOSFET ਗਰਮੀ ਦੇ ਨਿਕਾਸ ਬਾਰੇ,ਓਲੁਕੇਸਭ ਤੋਂ ਖਰਾਬ ਸਥਿਤੀ ਦੇ ਹੱਲ ਨੂੰ ਤਰਜੀਹ ਦਿੰਦਾ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਇੱਕ ਖਾਸ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਇਹ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਬੀਮਾ ਮਾਰਜਿਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਕਿ ਸਿਸਟਮ ਫੇਲ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ। ਕੁਝ ਮਾਪ ਡੇਟਾ ਹਨ ਜੋ MOSFET ਡੇਟਾ ਸ਼ੀਟ 'ਤੇ ਧਿਆਨ ਦੇਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ; ਡਿਵਾਈਸ ਦਾ ਜੰਕਸ਼ਨ ਤਾਪਮਾਨ ਅਧਿਕਤਮ ਸਥਿਤੀ ਮਾਪ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਦੇ ਉਤਪਾਦ (ਜੰਕਸ਼ਨ ਤਾਪਮਾਨ = ਅਧਿਕਤਮ ਸਥਿਤੀ ਮਾਪ + [ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ × ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ]) ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਸਿਸਟਮ ਦੀ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਇੱਕ ਖਾਸ ਫਾਰਮੂਲੇ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਹੱਲ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਪਰਿਭਾਸ਼ਾ ਦੁਆਰਾ I2×RDS (ON) ਦੇ ਸਮਾਨ ਹੈ। ਅਸੀਂ ਪਹਿਲਾਂ ਹੀ ਅਧਿਕਤਮ ਵਰਤਮਾਨ ਦੀ ਗਣਨਾ ਕਰ ਚੁੱਕੇ ਹਾਂ ਜੋ ਡਿਵਾਈਸ ਵਿੱਚੋਂ ਲੰਘੇਗਾ ਅਤੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਮਾਪਾਂ ਦੇ ਤਹਿਤ RDS (ON) ਦੀ ਗਣਨਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ ਅਤੇ ਇਸ ਦੇ MOSFET ਦੀ ਗਰਮੀ ਦੀ ਖਰਾਬੀ ਦਾ ਧਿਆਨ ਰੱਖਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ.
ਬਰਫ਼ਬਾਰੀ ਟੁੱਟਣ ਦਾ ਮਤਲਬ ਹੈ ਕਿ ਇੱਕ ਅਰਧ-ਸੁਪਰਕੰਡਕਟਿੰਗ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਉੱਤੇ ਰਿਵਰਸ ਵੋਲਟੇਜ ਅਧਿਕਤਮ ਮੁੱਲ ਤੋਂ ਵੱਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਮਜ਼ਬੂਤ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜੋ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਵਿੱਚ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਚਿੱਪ ਦੇ ਆਕਾਰ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਹਵਾ ਦੇ ਪਤਨ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰੇਗਾ ਅਤੇ ਅੰਤ ਵਿੱਚ ਮਸ਼ੀਨ ਦੀ ਸਥਿਰਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰੇਗਾ। ਇਸ ਲਈ, ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਪੈਕੇਜ ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਨ ਨਾਲ ਬਰਫ਼ਬਾਰੀ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਰੋਕਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
4. MOSFET ਦੀ ਸਵਿਚਿੰਗ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾਓ
ਅੰਤਿਮ ਨਿਰਣੇ ਦੀ ਸ਼ਰਤ MOSFET ਦੀ ਬਦਲੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਹੈ। ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਕਾਰਕ ਹਨ ਜੋ MOSFET ਦੀ ਸਵਿਚਿੰਗ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਸਭ ਤੋਂ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ-ਡਰੇਨ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ-ਸਰੋਤ ਅਤੇ ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਦੇ ਤਿੰਨ ਮਾਪਦੰਡ। ਕੈਪਸੀਟਰ ਨੂੰ ਹਰ ਵਾਰ ਸਵਿੱਚ ਕਰਨ 'ਤੇ ਚਾਰਜ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਦਾ ਮਤਲਬ ਹੈ ਕਿ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਵਿੱਚ ਸਵਿਚ ਕਰਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਇਸ ਲਈ, MOSFET ਦੀ ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਪੀਡ ਘੱਟ ਜਾਵੇਗੀ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਡਿਵਾਈਸ ਦੀ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਤ ਕਰੇਗਾ। ਇਸ ਲਈ, MOSFET ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ, ਸਵਿਚਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੌਰਾਨ ਡਿਵਾਈਸ ਦੇ ਕੁੱਲ ਨੁਕਸਾਨ ਦਾ ਨਿਰਣਾ ਕਰਨਾ ਅਤੇ ਗਣਨਾ ਕਰਨਾ ਵੀ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ. ਟਰਨ-ਆਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ (ਈਓਨ) ਦੌਰਾਨ ਹੋਏ ਨੁਕਸਾਨ ਅਤੇ ਟਰਨ-ਆਫ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੌਰਾਨ ਹੋਏ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਗਣਨਾ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ। (ਈਓਫ)। MOSFET ਸਵਿੱਚ ਦੀ ਕੁੱਲ ਸ਼ਕਤੀ ਨੂੰ ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੇ ਸਮੀਕਰਨ ਦੁਆਰਾ ਦਰਸਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ: Psw = (Eon + Eoff) × ਸਵਿਚਿੰਗ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ। ਗੇਟ ਚਾਰਜ (Qgd) ਸਵਿਚ ਕਰਨ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ 'ਤੇ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ ਪ੍ਰਭਾਵ ਪਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਸੰਖੇਪ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, ਉਚਿਤ MOSFET ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਨ ਲਈ, ਅਨੁਸਾਰੀ ਨਿਰਣਾ ਚਾਰ ਪਹਿਲੂਆਂ ਤੋਂ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ: N-ਚੈਨਲ MOSFET ਜਾਂ P-ਚੈਨਲ MOSFET ਦੀ ਵਾਧੂ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਵਾਧੂ ਕਰੰਟ, ਡਿਵਾਈਸ ਸਿਸਟਮ ਦੀਆਂ ਤਾਪ ਖਰਾਬੀ ਦੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਅਤੇ ਸਵਿਚਿੰਗ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ। MOSFET.
ਅੱਜ ਲਈ ਇਹ ਸਭ ਕੁਝ ਹੈ ਕਿ ਸਹੀ MOSFET ਦੀ ਚੋਣ ਕਿਵੇਂ ਕਰੀਏ। ਮੈਨੂੰ ਉਮੀਦ ਹੈ ਕਿ ਇਹ ਤੁਹਾਡੀ ਮਦਦ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਦਸੰਬਰ-12-2023
