WSD30150ADN56 N-ਚੈਨਲ 30V 145A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਸੰਖੇਪ ਜਾਣਕਾਰੀ
WSD30150DN56 MOSFET ਦਾ ਵੋਲਟੇਜ 30V ਹੈ, ਮੌਜੂਦਾ 150A ਹੈ, ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 1.8mΩ ਹੈ, ਚੈਨਲ N-ਚੈਨਲ ਹੈ, ਅਤੇ ਪੈਕੇਜ DFN5X6-8 ਹੈ।
WINSOK MOSFET ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਖੇਤਰ
E-ਸਿਗਰੇਟ MOSFET, ਵਾਇਰਲੈੱਸ ਚਾਰਜਿੰਗ MOSFET, ਡਰੋਨ MOSFET, ਮੈਡੀਕਲ ਦੇਖਭਾਲ MOSFET, ਕਾਰ ਚਾਰਜਰ MOSFET, ਕੰਟਰੋਲਰ MOSFET, ਡਿਜੀਟਲ ਉਤਪਾਦ MOSFET, ਛੋਟੇ ਘਰੇਲੂ ਉਪਕਰਣ MOSFET, ਖਪਤਕਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ MOSFET।
WINSOK MOSFET ਹੋਰ ਬ੍ਰਾਂਡ ਸਮੱਗਰੀ ਨੰਬਰਾਂ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ
AOS MOSFET AON6512, AONS3234.
ਓਨਸੇਮੀ, ਫੇਅਰਚਾਈਲਡ ਮੋਸਫੇਟ FDMC81DCCM.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
ਤੋਸ਼ੀਬਾ ਮੋਸਫੇਟ TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB, PKE24BB।
POTENS ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ MOSFET PDC392X.
MOSFET ਪੈਰਾਮੀਟਰ
| ਪ੍ਰਤੀਕ | ਪੈਰਾਮੀਟਰ | ਰੇਟਿੰਗ | ਇਕਾਈਆਂ |
| VDS | ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ | 30 | V |
| ਵੀ.ਜੀ.ਐਸ | ਗੇਟ-ਸੌrਸੀਈ ਵੋਲਟੇਜ | ±20 | V |
| ID@TC= 25℃ | ਲਗਾਤਾਰ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ, ਵੀGS@10V1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | ਲਗਾਤਾਰ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ, ਵੀGS@10V1,7 | 83 | A |
| IDM | ਪਲਸਡ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ2 | 200 | A |
| ਈ.ਏ.ਐਸ | ਸਿੰਗਲ ਪਲਸ ਐਵਲੈਂਚ ਐਨਰਜੀ3 | 125 | mJ |
| ਆਈ.ਏ.ਐਸ | ਬਰਫ਼ਬਾਰੀ ਮੌਜੂਦਾ | 50 | A |
| PD@TC= 25℃ | ਕੁੱਲ ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ4 | 62.5 | W |
| TSTG | ਸਟੋਰੇਜ ਤਾਪਮਾਨ ਰੇਂਜ | -55 ਤੋਂ 150 ਤੱਕ | ℃ |
| TJ | ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਜੰਕਸ਼ਨ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ | -55 ਤੋਂ 150 ਤੱਕ | ℃ |
| ਪ੍ਰਤੀਕ | ਪੈਰਾਮੀਟਰ | ਹਾਲਾਤ | ਘੱਟੋ-ਘੱਟ | ਟਾਈਪ ਕਰੋ। | ਅਧਿਕਤਮ | ਯੂਨਿਟ |
| BVਡੀ.ਐੱਸ.ਐੱਸ | ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVਡੀ.ਐੱਸ.ਐੱਸਤਾਪਮਾਨ ਗੁਣਾਂਕ | 25 ਦਾ ਹਵਾਲਾ℃, ਆਈD=1mA | --- | 0.02 | --- | V/℃ |
| RDS(ਚਾਲੂ) | ਸਥਿਰ ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ 'ਤੇ-ਵਿਰੋਧ2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=15A | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(th) | ਗੇਟ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ | VGS=VDS, ਆਈD=250uA | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)ਤਾਪਮਾਨ ਗੁਣਾਂਕ | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਲੀਕੇਜ ਮੌਜੂਦਾ | VDS=24V, VGS=0V, ਟੀJ= 25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, ਟੀJ= 55℃ | --- | --- | 5 | |||
| ਆਈ.ਜੀ.ਐਸ.ਐਸ | ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ | VGS=±20V, ਵੀDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | ਫਾਰਵਰਡ ਟ੍ਰਾਂਸਕੰਡਕਟੈਂਸ | VDS=5V, ID=10A | --- | 27 | --- | S |
| Rg | ਗੇਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 0.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | ਕੁੱਲ ਗੇਟ ਚਾਰਜ (4.5V) | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=30A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਚਾਰਜ | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | ਗੇਟ-ਡਰੇਨ ਚਾਰਜ | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(ਚਾਲੂ) | ਚਾਲੂ-ਚਾਲੂ ਦੇਰੀ ਸਮਾਂ | VDD=15V, Vਜਨਰਲ=10V , ਆਰG=6Ω, ਆਈD=1A, RL=15Ω। | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | ਉਠਣ ਦਾ ਸਮਾਂ | --- | 12 | --- | ||
| Td(ਬੰਦ) | ਚਾਲੂ-ਬੰਦ ਦੇਰੀ ਸਮਾਂ | --- | 69 | --- | ||
| Tf | ਡਿੱਗਣ ਦਾ ਸਮਾਂ | --- | 29 | --- | ||
| Ciss | ਇਨਪੁਟ ਸਮਰੱਥਾ | VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz | 2560 | 3200 ਹੈ | 3850 ਹੈ | pF |
| ਕੌਸ | ਆਉਟਪੁੱਟ ਸਮਰੱਥਾ | 560 | 680 | 800 | ||
| Cਆਰਐਸਐਸ | ਰਿਵਰਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਸਮਰੱਥਾ | 260 | 320 | 420 |
