WSD3023DN56 N-Ch ਅਤੇ P-ਚੈਨਲ 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

ਛੋਟਾ ਵੇਰਵਾ:

ਮਾਡਲ ਨੰਬਰ:WSD3023DN56

BVDSS:30V/-30V

RDSON:14mΩ/23mΩ

ID:14A/-12A

ਚੈਨਲ:N-Ch ਅਤੇ P-ਚੈਨਲ

ਪੈਕੇਜ:DFN5*6-8

ਉਤਪਾਦ ਸੰਖੇਪ:WSD3023DN56 MOSFET ਦਾ ਵੋਲਟੇਜ 30V/-30V ਹੈ, ਮੌਜੂਦਾ is14A/-12A ਹੈ, ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 14mΩ/23mΩ ਹੈ, ਚੈਨਲ N-Ch ਅਤੇ P-ਚੈਨਲ ਹੈ, ਅਤੇ ਪੈਕੇਜ DFN5*6-8 ਹੈ।

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ:ਡਰੋਨ, ਮੋਟਰਾਂ, ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ, ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਉਪਕਰਣ।

ਸਾਨੂੰ ਈਮੇਲ ਭੇਜੋ PDF

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਵੇਰਵਾ

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ

ਉਤਪਾਦ ਟੈਗ

ਆਮ ਵਰਣਨ

WSD3023DN56 ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਉੱਚ ਸੈੱਲ ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ ਸਭ ਤੋਂ ਉੱਚੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੀ ਖਾਈ N-ch ਅਤੇ P-ch MOSFETs ਹੈ, ਜੋ ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਸਮਕਾਲੀ ਬੱਕ ਕਨਵਰਟਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਸ਼ਾਨਦਾਰ RDSON ਅਤੇ ਗੇਟ ਚਾਰਜ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ।WSD3023DN56 RoHS ਅਤੇ ਗ੍ਰੀਨ ਉਤਪਾਦ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਦਾ ਹੈ 100% EAS ਦੀ ਗਾਰੰਟੀ ਪੂਰੀ ਫੰਕਸ਼ਨ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਮਨਜ਼ੂਰ ਹੈ।

ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਉੱਨਤ ਉੱਚ ਸੈੱਲ ਘਣਤਾ ਖਾਈ ਤਕਨਾਲੋਜੀ, ਸੁਪਰ ਲੋਅ ਗੇਟ ਚਾਰਜ, ਸ਼ਾਨਦਾਰ CdV/dt ਪ੍ਰਭਾਵ ਗਿਰਾਵਟ, 100% EAS ਗਰੰਟੀਸ਼ੁਦਾ, ਗ੍ਰੀਨ ਡਿਵਾਈਸ ਉਪਲਬਧ ਹੈ।

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ

MB/NB/UMPC/VGA, ਨੈੱਟਵਰਕਿੰਗ DC-DC ਪਾਵਰ ਸਿਸਟਮ, CCFL ਬੈਕ-ਲਾਈਟ ਇਨਵਰਟਰ, ਡਰੋਨ, ਮੋਟਰਾਂ, ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ, ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਉਪਕਰਣਾਂ ਲਈ ਉੱਚ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਪੁਆਇੰਟ-ਆਫ-ਲੋਡ ਸਿੰਕ੍ਰੋਨਸ ਬਕ ਕਨਵਰਟਰ।

ਅਨੁਸਾਰੀ ਸਮੱਗਰੀ ਨੰਬਰ

PANJIT PJQ5606

ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਮਾਪਦੰਡ

ਚਿੰਨ੍ਹ	ਪੈਰਾਮੀਟਰ	ਰੇਟਿੰਗ		ਇਕਾਈਆਂ
ਚਿੰਨ੍ਹ	ਪੈਰਾਮੀਟਰ	ਐਨ-ਚ	ਪੀ-ਚ	ਇਕਾਈਆਂ
VDS	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ	30	-30	V
ਵੀ.ਜੀ.ਐਸ	ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ	±20	±20	V
ID	ਨਿਰੰਤਰ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ, VGS(NP)=10V,Ta=25℃	14*	-12	A
ID	ਨਿਰੰਤਰ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ, VGS(NP)=10V,Ta=70℃	7.6	-9.7	A
IDP ਏ	ਪਲਸ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ ਟੈਸਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ, VGS(NP)=10V	48	-48	A
ਈਏਐਸ ਸੀ	ਬਰਫ ਦੀ ਊਰਜਾ, ਸਿੰਗਲ ਪਲਸ, L=0.5mH	20	20	mJ
ਆਈਏਐਸ ਸੀ	ਅਵਾਲੈਂਚ ਕਰੰਟ, ਸਿੰਗਲ ਪਲਸ, L=0.5mH	9	-9	A
PD	ਕੁੱਲ ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ, Ta=25℃	5.25	5.25	W
TSTG	ਸਟੋਰੇਜ ਤਾਪਮਾਨ ਰੇਂਜ	-55 ਤੋਂ 175 ਤੱਕ	-55 ਤੋਂ 175 ਤੱਕ	℃
TJ	ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਜੰਕਸ਼ਨ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ	175	175	℃
RqJA ਬੀ	ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ - ਅੰਬੀਨਟ, ਸਥਿਰ ਸਥਿਤੀ ਲਈ ਜੰਕਸ਼ਨ	60	60	℃/W
RqJC	ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ-ਕੇਸ ਲਈ ਜੰਕਸ਼ਨ, ਸਥਿਰ ਸਥਿਤੀ	6.25	6.25	℃/W

ਚਿੰਨ੍ਹ	ਪੈਰਾਮੀਟਰ	ਹਾਲਾਤ	ਘੱਟੋ-ਘੱਟ	ਟਾਈਪ ਕਰੋ।	ਅਧਿਕਤਮ	ਯੂਨਿਟ
BVDSS	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ	VGS=0V , ID=250uA	30	---	---	V
RDS(ON)d	ਸਥਿਰ ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ 'ਤੇ-ਵਿਰੋਧ	VGS=10V , ID=8A	---	14	18.5	mΩ
RDS(ON)d	ਸਥਿਰ ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ 'ਤੇ-ਵਿਰੋਧ	VGS=4.5V , ID=5A	---	17	25	mΩ
VGS(th)	ਗੇਟ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ	VGS=VDS , ID =250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਲੀਕੇਜ ਮੌਜੂਦਾ	VDS=20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਲੀਕੇਜ ਮੌਜੂਦਾ	VDS=20V , VGS=0V , TJ=85℃	---	---	30	uA
ਆਈ.ਜੀ.ਐਸ.ਐਸ	ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	ਗੇਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	ਕੁੱਲ ਗੇਟ ਚਾਰਜ	VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਚਾਰਜ		---	1.0	---
Qgde	ਗੇਟ-ਡਰੇਨ ਚਾਰਜ		---	2.8	---
Td(on)e	ਚਾਲੂ-ਚਾਲੂ ਦੇਰੀ ਦਾ ਸਮਾਂ	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R।	---	6	---	ns
Tre	ਉਠਣ ਦਾ ਸਮਾਂ		---	8.6	---
Td(off)e	ਚਾਲੂ-ਬੰਦ ਦੇਰੀ ਸਮਾਂ		---	16	---
ਟੀ.ਐਫ.ਈ	ਡਿੱਗਣ ਦਾ ਸਮਾਂ		---	3.6	---
ਸੀਸ	ਇਨਪੁਟ ਸਮਰੱਥਾ	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	545	---	pF
ਕੋਸੇ	ਆਉਟਪੁੱਟ ਸਮਰੱਥਾ		---	95	---
Crsse	ਰਿਵਰਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਸਮਰੱਥਾ		---	55	---