WSD60N12GDN56 N-ਚੈਨਲ 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

ਛੋਟਾ ਵੇਰਵਾ:

ਭਾਗ ਨੰਬਰ:WSD60N12GDN56

BVDSS:120 ਵੀ

ID:70 ਏ

RDSON:10mΩ

ਚੈਨਲ:ਐਨ-ਚੈਨਲ

ਪੈਕੇਜ:DFN5X6-8

ਸਾਨੂੰ ਈਮੇਲ ਭੇਜੋ PDF

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਵੇਰਵਾ

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ

ਉਤਪਾਦ ਟੈਗ

WINSOK MOSFET ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਸੰਖੇਪ ਜਾਣਕਾਰੀ

WSD60N12GDN56 MOSFET ਦਾ ਵੋਲਟੇਜ 120V ਹੈ, ਮੌਜੂਦਾ 70A ਹੈ, ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 10mΩ ਹੈ, ਚੈਨਲ N-ਚੈਨਲ ਹੈ, ਅਤੇ ਪੈਕੇਜ DFN5X6-8 ਹੈ।

WINSOK MOSFET ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਖੇਤਰ

ਮੈਡੀਕਲ ਉਪਕਰਣ MOSFET, ਡਰੋਨ MOSFET, PD ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ MOSFET, LED ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ MOSFET, ਉਦਯੋਗਿਕ ਉਪਕਰਣ MOSFET।

MOSFET ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਫੀਲਡ ਵਿਨਸੋਕ MOSFET ਹੋਰ ਬ੍ਰਾਂਡ ਸਮੱਗਰੀ ਨੰਬਰਾਂ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ MOSFET PDC974X.

MOSFET ਪੈਰਾਮੀਟਰ

ਪ੍ਰਤੀਕ	ਪੈਰਾਮੀਟਰ	ਰੇਟਿੰਗ	ਇਕਾਈਆਂ
VDS	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ	120	V
ਵੀ.ਜੀ.ਐਸ	ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ	±20	V
I_D@T_C=25℃	ਲਗਾਤਾਰ ਡਰੇਨ ਮੌਜੂਦਾ	70	A
IDP	ਪਲਸਡ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ	150	A
ਈ.ਏ.ਐਸ	ਹਲਕੀ ਊਰਜਾ, ਸਿੰਗਲ ਪਲਸ	53.8	mJ
P_D@T_C=25℃	ਕੁੱਲ ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ	140	ਡਬਲਯੂ
TSTG	ਸਟੋਰੇਜ ਤਾਪਮਾਨ ਰੇਂਜ	-55 ਤੋਂ 150 ਤੱਕ	℃
T_J	ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਜੰਕਸ਼ਨ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ	-55 ਤੋਂ 150 ਤੱਕ	℃

ਪ੍ਰਤੀਕ	ਪੈਰਾਮੀਟਰ	ਹਾਲਾਤ	ਘੱਟੋ-ਘੱਟ	ਟਾਈਪ ਕਰੋ।	ਅਧਿਕਤਮ	ਯੂਨਿਟ
BV_{ਡੀ.ਐੱਸ.ਐੱਸ}	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ	V_GS=0V, I_D=250uA	120	---	---	V
	ਸਥਿਰ ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ 'ਤੇ-ਵਿਰੋਧ	VGS=10V,ID=10A।	---	10	15	mΩ
RDS(ਚਾਲੂ)	ਸਥਿਰ ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ 'ਤੇ-ਵਿਰੋਧ	VGS=4.5V,ID=10A।	---	18	25	mΩ
VGS(th)	ਗੇਟ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ	V_GS=V_DS, ਆਈ_D=250uA	1.2	---	2.5	V
IDSS	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਲੀਕੇਜ ਮੌਜੂਦਾ	V_DS=80V, V_GS=0V, ਟੀ_J=25℃	---	---	1	uA
ਆਈ.ਜੀ.ਐਸ.ਐਸ	ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ	V_GS=±20V , V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	ਕੁੱਲ ਗੇਟ ਚਾਰਜ (10V)	V_DS=50V, V_GS=10V, I_D=25A	---	33	---	nC
Q_gs	ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਚਾਰਜ		---	5.6	---
Q_gd	ਗੇਟ-ਡਰੇਨ ਚਾਰਜ		---	7.2	---
Td(ਚਾਲੂ)	ਚਾਲੂ-ਚਾਲੂ ਦੇਰੀ ਸਮਾਂ	V_DD=50V, V_GS=10V, R_G=2Ω, ਆਈ_D=25A	---	22	---	ns
T_r	ਉਠਣ ਦਾ ਸਮਾਂ		---	10	---
Td(ਬੰਦ)	ਚਾਲੂ-ਬੰਦ ਦੇਰੀ ਸਮਾਂ		---	85	---
T_f	ਡਿੱਗਣ ਦਾ ਸਮਾਂ		---	112	---
C_iss	ਇਨਪੁਟ ਸਮਰੱਥਾ	V_DS=50V, V_GS=0V , f=1MHz	---	2640	---	pF
ਕੌਸ	ਆਉਟਪੁੱਟ ਸਮਰੱਥਾ		---	330	---
C_{ਆਰਐਸਐਸ}	ਰਿਵਰਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਸਮਰੱਥਾ		---	11	---
I_S	ਨਿਰੰਤਰ ਸਰੋਤ ਮੌਜੂਦਾ	V_G=V_D=0V , ਫੋਰਸ ਕਰੰਟ	---	---	50	A
ISP	ਪਲਸਡ ਸਰੋਤ ਮੌਜੂਦਾ	V_G=V_D=0V , ਫੋਰਸ ਕਰੰਟ	---	---	150	A
ਵੀ.ਐੱਸ.ਡੀ	ਡਾਇਡ ਫਾਰਵਰਡ ਵੋਲਟੇਜ	V_GS=0V, I_S=12A, ਟੀ_J=25℃	---	---	1.3	V
t_rr	ਰਿਵਰਸ ਰਿਕਵਰੀ ਟਾਈਮ	IF=25A,dI/dt=100A/µs,T_J=25℃	---	62	---	nS
Q_rr	ਰਿਵਰਸ ਰਿਕਵਰੀ ਚਾਰਜ	IF=25A,dI/dt=100A/µs,T_J=25℃	---	135	---	nC