WSF4022 ਡਿਊਲ ਐਨ-ਚੈਨਲ 40V 20A TO-252-4L ਵਿਨਸੋਕ ਮੋਸਫੇਟ

WSF4022 Dual N-Channel 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET ਫੀਚਰਡ ਚਿੱਤਰ

ਛੋਟਾ ਵੇਰਵਾ:

ਮਾਡਲ ਨੰਬਰ:WSF4022

BVDSS:40 ਵੀ

RDSON:21mΩ

ID:20 ਏ

ਚੈਨਲ:ਦੋਹਰਾ ਐਨ-ਚੈਨਲ

ਪੈਕੇਜ:TO-252-4L

ਉਤਪਾਦ ਸੰਖੇਪ:WSF30150 MOSFET ਦਾ ਵੋਲਟੇਜ 40V ਹੈ, ਮੌਜੂਦਾ 20A ਹੈ, ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 21mΩ ਹੈ, ਚੈਨਲ ਦੋਹਰਾ N-ਚੈਨਲ ਹੈ, ਅਤੇ ਪੈਕੇਜ TO-252-4L ਹੈ।

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ:ਈ-ਸਿਗਰੇਟ, ਵਾਇਰਲੈੱਸ ਚਾਰਜਿੰਗ, ਮੋਟਰਾਂ, ਐਮਰਜੈਂਸੀ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ, ਡਰੋਨ, ਮੈਡੀਕਲ ਦੇਖਭਾਲ, ਕਾਰ ਚਾਰਜਰ, ਕੰਟਰੋਲਰ, ਡਿਜੀਟਲ ਉਤਪਾਦ, ਛੋਟੇ ਘਰੇਲੂ ਉਪਕਰਣ, ਖਪਤਕਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ।

ਸਾਨੂੰ ਈਮੇਲ ਭੇਜੋ PDF

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਵੇਰਵਾ

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ

ਉਤਪਾਦ ਟੈਗ

ਆਮ ਵਰਣਨ

WSF4022 ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਉੱਚ ਸੈੱਲ ਘਣਤਾ ਵਾਲਾ ਸਭ ਤੋਂ ਉੱਚਤਮ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਖਾਈ ਡੁਅਲ N-Ch MOSFET ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਸਮਕਾਲੀ ਬੱਕ ਕਨਵਰਟਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਸ਼ਾਨਦਾਰ RDSON ਅਤੇ ਗੇਟ ਚਾਰਜ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ। WSF4022 RoHS ਅਤੇ ਗ੍ਰੀਨ ਉਤਪਾਦ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਦਾ ਹੈ 100% EAS ਪੂਰੇ ਫੰਕਸ਼ਨ ਨਾਲ ਗਾਰੰਟੀਸ਼ੁਦਾ ਹੈ। ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਵਾਨਗੀ ਦੇ ਦਿੱਤੀ ਹੈ.

ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਫੈਨ ਪ੍ਰੀ-ਡ੍ਰਾਈਵਰ ਐਚ-ਬ੍ਰਿਜ, ਮੋਟਰ ਕੰਟਰੋਲ, ਸਮਕਾਲੀ ਸੁਧਾਰ, ਈ-ਸਿਗਰੇਟ, ਵਾਇਰਲੈੱਸ ਚਾਰਜਿੰਗ, ਮੋਟਰਾਂ, ਐਮਰਜੈਂਸੀ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ, ਡਰੋਨ, ਮੈਡੀਕਲ ਦੇਖਭਾਲ, ਕਾਰ ਚਾਰਜਰ, ਕੰਟਰੋਲਰ, ਡਿਜੀਟਲ ਉਤਪਾਦ, ਛੋਟੇ ਘਰੇਲੂ ਉਪਕਰਨ, ਖਪਤਕਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਲਈ।

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ

ਅਨੁਸਾਰੀ ਸਮੱਗਰੀ ਨੰਬਰ

AOS

ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਮਾਪਦੰਡ

ਪ੍ਰਤੀਕ	ਪੈਰਾਮੀਟਰ		ਰੇਟਿੰਗ	ਇਕਾਈਆਂ
VDS	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ		40	V
ਵੀ.ਜੀ.ਐਸ	ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ		±20	V
ID	ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ (ਲਗਾਤਾਰ) *ਏ.ਸੀ	TC=25°C	20*	A
ID	ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ (ਲਗਾਤਾਰ) *ਏ.ਸੀ	TC=100°C	20*	A
ID	ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ (ਲਗਾਤਾਰ) *ਏ.ਸੀ	TA=25°C	12.2	A
ID	ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ (ਲਗਾਤਾਰ) *ਏ.ਸੀ	TA=70°C	10.2	A
IDMA	ਪਲਸਡ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ	TC=25°C	80*	A
ਈ.ਏ.ਐੱਸ.ਬੀ	ਸਿੰਗਲ ਪਲਸ ਐਵਲੈਂਚ ਐਨਰਜੀ	L=0.5mH	25	mJ
ਆਈਏਐਸ ਬੀ	ਬਰਫ਼ਬਾਰੀ ਮੌਜੂਦਾ	L=0.5mH	17.8	A
PD	ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ	TC=25°C	39.4	W
PD	ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ	TC=100°C	19.7	W
PD	ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ	TA=25°C	6.4	W
PD	ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ	TA=70°C	4.2	W
TJ	ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਜੰਕਸ਼ਨ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ		175	℃
TSTG	ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ/ਸਟੋਰੇਜ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ		-55~175	℃
RθJA ਬੀ	ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਜੰਕਸ਼ਨ-ਐਂਬੀਐਂਟ	ਸਥਿਰ ਰਾਜ ਸੀ	60	℃/W
RθJC	ਕੇਸ ਲਈ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਜੰਕਸ਼ਨ		3.8	℃/W

ਪ੍ਰਤੀਕ	ਪੈਰਾਮੀਟਰ	ਹਾਲਾਤ	ਘੱਟੋ-ਘੱਟ	ਟਾਈਪ ਕਰੋ।	ਅਧਿਕਤਮ	ਯੂਨਿਟ
ਸਥਿਰ
V(BR)DSS	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ	VGS = 0V, ID = 250μA	40			V
IDSS	ਜ਼ੀਰੋ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ	VDS = 32V, VGS = 0V			1	µA
IDSS	ਜ਼ੀਰੋ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ	VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C			30	µA
ਆਈ.ਜੀ.ਐਸ.ਐਸ	ਗੇਟ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ	VGS = ±20V, VDS = 0V			±100	nA
VGS(th)	ਗੇਟ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ	VGS = VDS, IDS = 250µA	1.1	1.6	2.5	V
RDS(ਚਾਲੂ) d	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਆਨ-ਸਟੇਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ	VGS = 10V, ID = 10A		16	21	mΩ
RDS(ਚਾਲੂ) d	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਆਨ-ਸਟੇਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ	VGS = 4.5V, ID = 5A		18	25	mΩ
ਗੇਟ ਚਾਰਜ
Qg	ਕੁੱਲ ਗੇਟ ਚਾਰਜ	VDS=20V,VGS=4.5V, ID=10A		7.5		nC
Qgs	ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਚਾਰਜ			3.24		nC
Qgd	ਗੇਟ-ਡਰੇਨ ਚਾਰਜ			2.75		nC
ਡਾਇਨਾਮਾਈਸ
Ciss	ਇਨਪੁਟ ਸਮਰੱਥਾ	VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz		815		pF
ਕੌਸ	ਆਉਟਪੁੱਟ ਸਮਰੱਥਾ			95		pF
ਸੀ.ਆਰ.ਐੱਸ.ਐੱਸ	ਰਿਵਰਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਸਮਰੱਥਾ			60		pF
td (ਚਾਲੂ)	ਚਾਲੂ-ਚਾਲੂ ਦੇਰੀ ਸਮਾਂ	VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω।		7.8		ns
tr	ਚਾਲੂ-ਚਾਲੂ ਰਾਈਜ਼ ਟਾਈਮ			6.9		ns
td(ਬੰਦ)	ਚਾਲੂ-ਬੰਦ ਦੇਰੀ ਸਮਾਂ			22.4		ns
tf	ਪਤਝੜ ਦਾ ਸਮਾਂ ਬੰਦ ਕਰੋ			4.8		ns
ਡਾਇਡ
VSDd	ਡਾਇਡ ਫਾਰਵਰਡ ਵੋਲਟੇਜ	ISD=1A, VGS=0V		0.75	1.1	V
trr	ਇਨਪੁਟ ਸਮਰੱਥਾ	IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs		13		ns
Qrr	ਆਉਟਪੁੱਟ ਸਮਰੱਥਾ	IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs		8.7		nC