WSR140N12 N-ਚੈਨਲ 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

ਛੋਟਾ ਵੇਰਵਾ:

ਮਾਡਲ ਨੰਬਰ:WSR140N12

BVDSS:120 ਵੀ

RDSON:5mΩ

ID:140 ਏ

ਚੈਨਲ:ਐਨ-ਚੈਨਲ

ਪੈਕੇਜ:TO-220-3L

ਉਤਪਾਦ ਸੰਖੇਪ:WSR140N12 MOSFET ਦਾ ਵੋਲਟੇਜ 120V ਹੈ, ਮੌਜੂਦਾ 140A ਹੈ, ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 5mΩ ਹੈ, ਚੈਨਲ N-ਚੈਨਲ ਹੈ, ਅਤੇ ਪੈਕੇਜ TO-220-3L ਹੈ।

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ:ਬਿਜਲੀ ਸਪਲਾਈ, ਮੈਡੀਕਲ, ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਉਪਕਰਣ, ਬੀ.ਐਮ.ਐਸ.

ਸਾਨੂੰ ਈਮੇਲ ਭੇਜੋ PDF

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਵੇਰਵਾ

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ

ਉਤਪਾਦ ਟੈਗ

ਆਮ ਵਰਣਨ

WSR140N12 ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਉੱਚ ਸੈੱਲ ਘਣਤਾ ਵਾਲਾ ਸਭ ਤੋਂ ਉੱਚਤਮ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਖਾਈ N-ch MOSFET ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਸਮਕਾਲੀ ਬੱਕ ਕਨਵਰਟਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਸ਼ਾਨਦਾਰ RDSON ਅਤੇ ਗੇਟ ਚਾਰਜ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ। WSR140N12 RoHS ਅਤੇ ਗ੍ਰੀਨ ਉਤਪਾਦ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਦਾ ਹੈ, 100% EAS ਦੀ ਗਾਰੰਟੀ ਪੂਰੀ ਫੰਕਸ਼ਨ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨਾਲ ਮਨਜ਼ੂਰ ਹੈ।

ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਉੱਨਤ ਉੱਚ ਸੈੱਲ ਘਣਤਾ ਖਾਈ ਤਕਨਾਲੋਜੀ, ਸੁਪਰ ਲੋਅ ਗੇਟ ਚਾਰਜ, ਸ਼ਾਨਦਾਰ CdV/dt ਪ੍ਰਭਾਵ ਗਿਰਾਵਟ, 100% EAS ਗਰੰਟੀਸ਼ੁਦਾ, ਗ੍ਰੀਨ ਡਿਵਾਈਸ ਉਪਲਬਧ ਹੈ।

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ

ਹਾਈ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਪੁਆਇੰਟ-ਆਫ-ਲੋਡ ਸਿੰਕ੍ਰੋਨਸ ਬਕ ਕਨਵਰਟਰ, ਨੈੱਟਵਰਕਿੰਗ DC-DC ਪਾਵਰ ਸਿਸਟਮ, ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ, ਮੈਡੀਕਲ, ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਉਪਕਰਣ, BMS ਆਦਿ।

ਅਨੁਸਾਰੀ ਸਮੱਗਰੀ ਨੰਬਰ

ST STP40NF12 ਆਦਿ।

ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਮਾਪਦੰਡ

ਪ੍ਰਤੀਕ	ਪੈਰਾਮੀਟਰ	ਰੇਟਿੰਗ	ਇਕਾਈਆਂ
VDS	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ	120	V
ਵੀ.ਜੀ.ਐਸ	ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ	±20	V
ID	ਨਿਰੰਤਰ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ, VGS @ 10V(TC=25℃)	140	A
IDM	ਪਲਸਡ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ	330	A
ਈ.ਏ.ਐਸ	ਸਿੰਗਲ ਪਲਸ ਐਵਲੈਂਚ ਐਨਰਜੀ	400	mJ
PD	ਕੁੱਲ ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ... C=25℃)	192	W
RθJA	ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਜੰਕਸ਼ਨ-ਐਂਬੀਐਂਟ	62	℃/W
RθJC	ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਜੰਕਸ਼ਨ-ਕੇਸ	0.65	℃/W
TSTG	ਸਟੋਰੇਜ ਤਾਪਮਾਨ ਰੇਂਜ	-55 ਤੋਂ 150 ਤੱਕ	℃
TJ	ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਜੰਕਸ਼ਨ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ	-55 ਤੋਂ 150 ਤੱਕ	℃

ਪ੍ਰਤੀਕ	ਪੈਰਾਮੀਟਰ	ਹਾਲਾਤ	ਘੱਟੋ-ਘੱਟ	ਟਾਈਪ ਕਰੋ।	ਅਧਿਕਤਮ	ਯੂਨਿਟ
BVDSS	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ	VGS=0V , ID=250uA	120	---	---	V
RDS(ਚਾਲੂ)	ਸਥਿਰ ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਆਨ-ਰੋਧਕ 2	VGS=10V , ID=30A	---	5.0	6.5	mΩ
VGS(th)	ਗੇਟ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਲੀਕੇਜ ਮੌਜੂਦਾ	VDS=120V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
ਆਈ.ਜੀ.ਐਸ.ਐਸ	ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	ਕੁੱਲ ਗੇਟ ਚਾਰਜ	VDS=50V , VGS=10V , ID=15A	---	68.9	---	nC
Qgs	ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਚਾਰਜ		---	18.1	---
Qgd	ਗੇਟ-ਡਰੇਨ ਚਾਰਜ		---	15.9	---
Td(ਚਾਲੂ)	ਚਾਲੂ-ਚਾਲੂ ਦੇਰੀ ਸਮਾਂ	VDD=50V , VGS=10VRG=2Ω,ID=25A	---	30.3	---	ns
Tr	ਉਠਣ ਦਾ ਸਮਾਂ		---	33.0	---
Td(ਬੰਦ)	ਚਾਲੂ-ਬੰਦ ਦੇਰੀ ਸਮਾਂ		---	59.5	---
Tf	ਡਿੱਗਣ ਦਾ ਸਮਾਂ		---	11.7	---
Ciss	ਇਨਪੁਟ ਸਮਰੱਥਾ	VDS=50V , VGS=0V , f=1MHz	---	5823	---	pF
ਕੌਸ	ਆਉਟਪੁੱਟ ਸਮਰੱਥਾ		---	778.3	---
ਸੀ.ਆਰ.ਐੱਸ.ਐੱਸ	ਰਿਵਰਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਸਮਰੱਥਾ		---	17.5	---