MOSFET ਗਰਮੀ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਦੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਕਾਰਨਾਂ ਦਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ

N ਕਿਸਮ, P ਕਿਸਮ MOSFET ਤੱਤ ਦਾ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦਾ ਸਿਧਾਂਤ ਇੱਕੋ ਜਿਹਾ ਹੈ, MOSFET ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਡ੍ਰੇਨ ਕਰੰਟ ਦੇ ਆਉਟਪੁੱਟ ਸਾਈਡ ਨੂੰ ਸਫਲਤਾਪੂਰਵਕ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਇਨਪੁਟ ਸਾਈਡ ਵਿੱਚ ਜੋੜਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, MOSFET ਇੱਕ ਵੋਲਟੇਜ-ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਯੰਤਰ ਹੈ, ਜੋੜੀ ਗਈ ਵੋਲਟੇਜ ਦੁਆਰਾ ਡਿਵਾਈਸ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਗੇਟ ਵੱਲ, ਚਾਰਜ ਦੇ ਕਾਰਨ ਬੇਸ ਕਰੰਟ ਦੇ ਕਾਰਨ ਸਵਿਚਿੰਗ ਟਾਈਮ ਕਰਨ ਲਈ ਟ੍ਰਾਈਡ ਦੇ ਉਲਟ ਸਟੋਰੇਜ ਪ੍ਰਭਾਵ, ਸਵਿਚਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ, MOSFET ਦੀ ਸਵਿਚਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ,MOSFET ਦੇ ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਪੀਡ ਟ੍ਰਾਈਡ ਨਾਲੋਂ ਤੇਜ਼ ਹੈ।

ਸਵਿਚਿੰਗ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਵਿੱਚ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ MOSFET ਓਪਨ ਡਰੇਨ ਸਰਕਟ ਵਿੱਚ, ਡਰੇਨ ਲੋਡ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਨੂੰ ਓਪਨ ਡਰੇਨ, ਓਪਨ ਡਰੇਨ ਸਰਕਟ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਲੋਡ ਇਸ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਕਿ ਵੋਲਟੇਜ ਕਿੰਨੀ ਉੱਚੀ ਹੈ, ਚਾਲੂ ਕਰਨ ਦੇ ਯੋਗ ਹਨ, ਬੰਦ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਲੋਡ ਕਰੰਟ, ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਐਨਾਲਾਗ ਸਵਿਚਿੰਗ ਡਿਵਾਈਸ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਨੂੰ ਬਦਲਣ ਲਈ MOSFET ਦਾ ਸਿਧਾਂਤ ਹੈ, MOSFET ਹੋਰ ਸਰਕਟਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਸਵਿਚਿੰਗ ਕਰਨ ਲਈ.

ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਨੂੰ ਬਦਲਣ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ, ਇਸ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ MOSFETs ਸਮੇਂ-ਸਮੇਂ 'ਤੇ ਚਲਾਉਣ, ਬੰਦ ਕਰਨ ਲਈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ DC-DC ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਬੁਨਿਆਦੀ ਬੱਕ ਕਨਵਰਟਰ ਵਿੱਚ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਸਵਿਚਿੰਗ ਫੰਕਸ਼ਨ ਕਰਨ ਲਈ ਦੋ MOSFETs 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਇਹ ਸਵਿੱਚ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਸਟੋਰ ਕਰਨ ਲਈ, ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਲੋਡ ਕਰਨ ਲਈ ਛੱਡਣ ਲਈ ਇੰਡਕਟਰ ਵਿੱਚ ਵਿਕਲਪਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਚੁਣਦੇ ਹਨ। ਸੈਂਕੜੇ kHz ਜਾਂ 1 MHz ਤੋਂ ਵੀ ਵੱਧ, ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਕਿਉਂਕਿ ਜਿੰਨੀ ਜ਼ਿਆਦਾ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਹੋਵੇਗੀ, ਚੁੰਬਕੀ ਹਿੱਸੇ ਓਨੇ ਹੀ ਛੋਟੇ ਹੋਣਗੇ। ਆਮ ਕਾਰਵਾਈ ਦੇ ਦੌਰਾਨ, MOSFET ਇੱਕ ਕੰਡਕਟਰ ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਉੱਚ-ਪਾਵਰ MOSFETs, ਛੋਟੇ-ਵੋਲਟੇਜ MOSFET, ਸਰਕਟ, ਬਿਜਲੀ ਸਪਲਾਈ MOS ਦਾ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਸੰਚਾਲਨ ਨੁਕਸਾਨ ਹੈ।

MOSFET PDF ਪੈਰਾਮੀਟਰ, MOSFET ਨਿਰਮਾਤਾਵਾਂ ਨੇ ਆਨ-ਸਟੇਟ ਅੜਿੱਕਾ ਨੂੰ ਪਰਿਭਾਸ਼ਿਤ ਕਰਨ ਲਈ RDS (ON) ਪੈਰਾਮੀਟਰ ਨੂੰ ਸਫਲਤਾਪੂਰਵਕ ਅਪਣਾਇਆ ਹੈ, ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਨੂੰ ਬਦਲਣ ਲਈ, RDS (ON) ਸਭ ਤੋਂ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਡਿਵਾਈਸ ਗੁਣ ਹੈ; ਡੇਟਾਸ਼ੀਟਾਂ RDS (ON) ਨੂੰ ਪਰਿਭਾਸ਼ਿਤ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ, ਗੇਟ (ਜਾਂ ਡਰਾਈਵ) ਵੋਲਟੇਜ VGS ਅਤੇ ਸਵਿੱਚ ਰਾਹੀਂ ਵਹਿਣ ਵਾਲਾ ਕਰੰਟ ਸਬੰਧਿਤ ਹੈ, ਢੁਕਵੀਂ ਗੇਟ ਡਰਾਈਵ ਲਈ, RDS (ON) ਇੱਕ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਸਥਿਰ ਪੈਰਾਮੀਟਰ ਹੈ; MOSFET ਜੋ ਸੰਚਾਲਨ ਵਿੱਚ ਹਨ, ਗਰਮੀ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਰੱਖਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਹੌਲੀ-ਹੌਲੀ ਵਧ ਰਹੇ ਜੰਕਸ਼ਨ ਤਾਪਮਾਨ ਨਾਲ RDS (ON) ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ;MOSFET ਡੈਟਾਸ਼ੀਟਾਂ ਥਰਮਲ ਇਮਪੀਡੈਂਸ ਪੈਰਾਮੀਟਰ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ, ਜਿਸ ਨੂੰ MOSFET ਪੈਕੇਜ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਜੰਕਸ਼ਨ ਦੀ ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਖਤਮ ਕਰਨ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਵਜੋਂ ਪਰਿਭਾਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਅਤੇ RθJC ਨੂੰ ਸਿਰਫ਼ ਜੰਕਸ਼ਨ-ਟੂ-ਕੇਸ ਥਰਮਲ ਇਮਪੀਡੈਂਸ ਵਜੋਂ ਪਰਿਭਾਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।

1, ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ, ਕਈ ਵਾਰ ਵਾਲੀਅਮ ਦਾ ਪਿੱਛਾ ਕਰਨਾ, ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਵੱਲ ਲੈ ਜਾਵੇਗਾ, ਨੁਕਸਾਨ ਵਧਣ 'ਤੇ MOSFET, ਜ਼ਿਆਦਾ ਗਰਮੀ, ਢੁਕਵੀਂ ਗਰਮੀ ਦੀ ਖਰਾਬੀ ਡਿਜ਼ਾਇਨ ਦਾ ਚੰਗਾ ਕੰਮ ਨਾ ਕਰੋ, ਉੱਚ ਮੌਜੂਦਾ, ਨਾਮਾਤਰ MOSFET ਦਾ ਮੌਜੂਦਾ ਮੁੱਲ, ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਦੇ ਯੋਗ ਹੋਣ ਲਈ ਚੰਗੀ ਤਾਪ ਦੀ ਖਪਤ ਦੀ ਲੋੜ; ID ਅਧਿਕਤਮ ਮੌਜੂਦਾ ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੈ, ਗੰਭੀਰ ਗਰਮੀ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਲੋੜੀਂਦੇ ਸਹਾਇਕ ਹੀਟਸਿੰਕਸ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ।

2, MOSFET ਚੋਣ ਗਲਤੀਆਂ ਅਤੇ ਪਾਵਰ ਨਿਰਣੇ ਵਿੱਚ ਗਲਤੀਆਂ, MOSFET ਅੰਦਰੂਨੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਨਹੀਂ ਮੰਨਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, MOSFET ਹੀਟਿੰਗ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਨਾਲ ਨਜਿੱਠਣ ਵੇਲੇ, ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਵਿਚਿੰਗ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ।

3, ਸਰਕਟ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਗਰਮੀ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ, ਤਾਂ ਕਿ MOSFET ਇੱਕ ਲੀਨੀਅਰ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਕਰੇ, ਨਾ ਕਿ ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ, ਜੋ ਕਿ MOSFET ਹੀਟਿੰਗ ਦਾ ਸਿੱਧਾ ਕਾਰਨ ਹੈ, ਉਦਾਹਰਣ ਵਜੋਂ, N-MOS ਸਵਿਚਿੰਗ ਕਰਦੇ ਹਨ, G- ਲੈਵਲ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਕੁਝ V ਦੁਆਰਾ ਬਿਜਲੀ ਸਪਲਾਈ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ, ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸੰਚਾਲਨ ਦੇ ਯੋਗ ਹੋਣ ਲਈ, P-MOS ਵੱਖਰਾ ਹੈ; ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਖੁੱਲ੍ਹਣ ਦੀ ਅਣਹੋਂਦ ਵਿੱਚ, ਵੋਲਟੇਜ ਡ੍ਰੌਪ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਹੋਵੇਗੀ, ਬਰਾਬਰ ਦਾ DC ਰੁਕਾਵਟ ਵੱਡਾ ਹੈ, ਵੋਲਟੇਜ ਡਰਾਪ ਵੀ ਵਧੇਗਾ, U * I ਵੀ ਵਧੇਗਾ, ਨੁਕਸਾਨ ਗਰਮੀ ਵੱਲ ਲੈ ਜਾਵੇਗਾ।