MOSFET ਅਸਫਲਤਾ ਦੇ ਕਾਰਨ ਅਤੇ ਰੋਕਥਾਮ

ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਅਸਫਲਤਾ

ਅਸਧਾਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ ਗਰਿੱਡ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਤਿੰਨ ਮੁੱਖ ਕਾਰਨ ਹਨ: ਉਤਪਾਦਨ, ਆਵਾਜਾਈ ਅਤੇ ਅਸੈਂਬਲੀ ਦੌਰਾਨ ਸਥਿਰ ਬਿਜਲੀ; ਪਾਵਰ ਸਿਸਟਮ ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਦੌਰਾਨ ਉਪਕਰਨਾਂ ਅਤੇ ਸਰਕਟਾਂ ਦੇ ਪਰਜੀਵੀ ਪੈਰਾਮੀਟਰਾਂ ਦੁਆਰਾ ਉਤਪੰਨ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਗੂੰਜ; ਅਤੇ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਝਟਕਿਆਂ ਦੌਰਾਨ Ggd ਦੁਆਰਾ ਗਰਿੱਡ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਦਾ ਸੰਚਾਰ (ਇੱਕ ਨੁਕਸ ਜੋ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਹੜਤਾਲ ਦੀ ਜਾਂਚ ਦੌਰਾਨ ਵਧੇਰੇ ਆਮ ਹੁੰਦਾ ਹੈ)।

ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਨੁਕਸ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ ਉਪਾਅ:

ਗੇਟ ਅਤੇ ਸਰੋਤ ਵਿਚਕਾਰ ਓਵਰਵੋਲਟੇਜ ਸੁਰੱਖਿਆ: ਜਦੋਂ ਗੇਟ ਅਤੇ ਸਰੋਤ ਵਿਚਕਾਰ ਰੁਕਾਵਟ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਗੇਟ ਅਤੇ ਸਰੋਤ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਵੋਲਟੇਜ ਵਿੱਚ ਅਚਾਨਕ ਤਬਦੀਲੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਕੈਪੈਸੀਟੈਂਸ ਦੁਆਰਾ ਗੇਟ ਨਾਲ ਜੁੜ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ UGS ਵੋਲਟੇਜ ਓਵਰ-ਰੈਗੂਲੇਸ਼ਨ, ਗੇਟ ਦੇ ਓਵਰ-ਰੈਗੂਲੇਸ਼ਨ ਵੱਲ ਅਗਵਾਈ ਕਰਦਾ ਹੈ. ਸਥਾਈ ਆਕਸੀਡੇਟਿਵ ਨੁਕਸਾਨ. ਜੇਕਰ UGS ਇੱਕ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਅਸਥਾਈ ਵੋਲਟੇਜ 'ਤੇ ਹੈ, ਤਾਂ ਡਿਵਾਈਸ ਵਿੱਚ ਗਲਤੀਆਂ ਵੀ ਹੋ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ। ਇਸ ਅਧਾਰ 'ਤੇ, ਗੇਟ ਡ੍ਰਾਈਵ ਸਰਕਟ ਦੀ ਰੁਕਾਵਟ ਨੂੰ ਉਚਿਤ ਤੌਰ 'ਤੇ ਘਟਾਇਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਗੇਟ ਅਤੇ ਸਰੋਤ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇੱਕ ਡੈਂਪਿੰਗ ਰੇਸਿਸਟਟਰ ਜਾਂ 20V ਸਥਿਰ ਵੋਲਟੇਜ ਜੁੜਿਆ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। ਖੁੱਲ੍ਹੇ ਦਰਵਾਜ਼ੇ ਦੀ ਕਾਰਵਾਈ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ ਖਾਸ ਧਿਆਨ ਰੱਖਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।

ਡਿਸਚਾਰਜ ਟਿਊਬਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਓਵਰਵੋਲਟੇਜ ਸੁਰੱਖਿਆ: ਜੇਕਰ ਸਰਕਟ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਇੰਡਕਟਰ ਹੈ, ਤਾਂ ਯੂਨਿਟ ਦੇ ਬੰਦ ਹੋਣ 'ਤੇ ਲੀਕੇਜ ਕਰੰਟ (di/dt) ਵਿੱਚ ਅਚਾਨਕ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਲੀਕੇਜ ਵੋਲਟੇਜ ਸਪਲਾਈ ਵੋਲਟੇਜ ਤੋਂ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਓਵਰਸ਼ੂਟ ਹੋ ਜਾਵੇਗਾ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਯੂਨਿਟ ਨੂੰ ਨੁਕਸਾਨ ਹੋਵੇਗਾ। ਸੁਰੱਖਿਆ ਵਿੱਚ ਇੱਕ Zener ਕਲੈਂਪ, RC ਕਲੈਂਪ, ਜਾਂ RC ਦਮਨ ਸਰਕਟ ਸ਼ਾਮਲ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।