MOSFETs ਕਿਵੇਂ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ?

1, MOSFETਜਾਣ-ਪਛਾਣ

FieldEffect Transistor ਸੰਖੇਪ (FET)) ਸਿਰਲੇਖ MOSFET। ਤਾਪ ਸੰਚਾਲਨ ਵਿੱਚ ਹਿੱਸਾ ਲੈਣ ਲਈ ਥੋੜ੍ਹੇ ਜਿਹੇ ਕੈਰੀਅਰਾਂ ਦੁਆਰਾ, ਜਿਸਨੂੰ ਮਲਟੀ-ਪੋਲ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਵੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਵੋਲਟੇਜ ਮਾਸਟਰਿੰਗ ਕਿਸਮ ਅਰਧ-ਸੁਪਰਕੰਡਕਟਰ ਵਿਧੀ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ। ਉੱਥੇ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਉੱਚ ਹੈ (10^8 ~ 10^9Ω), ਘੱਟ ਰੌਲਾ, ਘੱਟ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ, ਸਥਿਰ ਰੇਂਜ, ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਆਸਾਨ, ਕੋਈ ਦੂਜੀ ਟੁੱਟਣ ਵਾਲੀ ਘਟਨਾ ਨਹੀਂ, ਸਮੁੰਦਰੀ ਚੌੜਾ ਦਾ ਬੀਮਾ ਕਾਰਜ ਅਤੇ ਹੋਰ ਫਾਇਦੇ, ਹੁਣ ਬਦਲ ਗਏ ਹਨ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਸਹਿਯੋਗੀਆਂ ਦਾ ਬਾਈਪੋਲਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਅਤੇ ਪਾਵਰ ਜੰਕਸ਼ਨ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ।

2, MOSFET ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

1, MOSFET ਇੱਕ ਵੋਲਟੇਜ ਨਿਯੰਤਰਣ ਯੰਤਰ ਹੈ, ਇਹ VGS (ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ) ਨਿਯੰਤਰਣ ID (ਡਰੇਨ ਡੀਸੀ) ਦੁਆਰਾ;

2, MOSFET ਦੇਆਉਟਪੁੱਟ ਡੀਸੀ ਪੋਲ ਛੋਟਾ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵੱਡਾ ਹੈ।

3, ਇਹ ਗਰਮੀ ਦਾ ਸੰਚਾਲਨ ਕਰਨ ਲਈ ਥੋੜ੍ਹੇ ਜਿਹੇ ਕੈਰੀਅਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਉਸ ਕੋਲ ਸਥਿਰਤਾ ਦਾ ਇੱਕ ਬਿਹਤਰ ਮਾਪ ਹੈ;

4, ਇਸ ਵਿੱਚ ਬਿਜਲਈ ਕਟੌਤੀ ਗੁਣਾਂਕ ਦਾ ਕਟੌਤੀ ਮਾਰਗ ਸ਼ਾਮਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਕਟੌਤੀ ਗੁਣਾਂਕ ਦੇ ਕਟੌਤੀ ਮਾਰਗ ਦੇ ਸ਼ਾਮਲ ਹੋਣ ਵਾਲੇ ਟ੍ਰਾਈਓਡ ਨਾਲੋਂ ਛੋਟਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ;

5, MOSFET ਐਂਟੀ-ਇਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਸਮਰੱਥਾ;

6, ਸ਼ੋਰ ਦੇ ਖਿੰਡੇ ਹੋਏ ਕਣਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਓਲੀਗਨ ਫੈਲਾਅ ਦੀ ਨੁਕਸਦਾਰ ਗਤੀਵਿਧੀ ਦੀ ਅਣਹੋਂਦ ਕਾਰਨ, ਇਸ ਲਈ ਰੌਲਾ ਘੱਟ ਹੈ।

3, MOSFET ਕਾਰਜ ਸਿਧਾਂਤ

MOSFET ਦੇਇੱਕ ਵਾਕ ਵਿੱਚ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਸਿਧਾਂਤ, "ਡਰੇਨ - ਗੇਟ ਲਈ ਚੈਨਲ ਦੁਆਰਾ ਵਹਿ ਰਹੀ ID ਅਤੇ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਮਾਸਟਰ ID ਦੇ ਉਲਟ ਪੱਖਪਾਤ ਦੁਆਰਾ ਬਣੇ pn ਜੰਕਸ਼ਨ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਚੈਨਲ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਸਰੋਤ" ਹੈ, ਸਟੀਕ ਹੋਣ ਲਈ, ID ਚੌੜਾਈ ਵਿੱਚ ਵਹਿੰਦਾ ਹੈ। ਪਾਥ ਦਾ, ਯਾਨੀ ਕਿ, ਚੈਨਲ ਕਰਾਸ-ਸੈਕਸ਼ਨਲ ਏਰੀਆ, pn ਜੰਕਸ਼ਨ ਦੇ ਰਿਵਰਸ ਬਿਆਸ ਵਿੱਚ ਬਦਲਾਅ ਹੈ, ਜੋ ਇੱਕ ਡਿਪਲੇਸ਼ਨ ਪਰਤ ਪੈਦਾ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਪਰਿਵਰਤਨ ਨਿਯੰਤਰਣ ਦਾ ਕਾਰਨ। VGS=0 ਦੇ ਗੈਰ-ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਸਮੁੰਦਰ ਵਿੱਚ, ਕਿਉਂਕਿ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪਰਤ ਦਾ ਵਿਸਤਾਰ ਬਹੁਤ ਵੱਡਾ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ VDS ਦੇ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ ਨੂੰ ਜੋੜਨ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਸਰੋਤ ਸਮੁੰਦਰ ਵਿੱਚ ਕੁਝ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਦੁਆਰਾ ਖਿੱਚਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਡਰੇਨ, ਭਾਵ, ਡਰੇਨ ਤੋਂ ਸਰੋਤ ਤੱਕ ਇੱਕ DC ID ਗਤੀਵਿਧੀ ਹੈ। ਗੇਟ ਤੋਂ ਡਰੇਨ ਤੱਕ ਵਧੀ ਹੋਈ ਦਰਮਿਆਨੀ ਪਰਤ ਚੈਨਲ ਦੇ ਪੂਰੇ ਸਰੀਰ ਨੂੰ ਇੱਕ ਬਲਾਕਿੰਗ ਕਿਸਮ, ID ਪੂਰੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਫਾਰਮ ਨੂੰ ਇੱਕ ਚੁਟਕੀ-ਆਫ ਕਾਲ ਕਰੋ। ਇੱਕ ਪੂਰੀ ਰੁਕਾਵਟ ਦੇ ਚੈਨਲ ਨੂੰ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪਰਤ ਦਾ ਪ੍ਰਤੀਕ, ਨਾ ਕਿ DC ਪਾਵਰ ਕੱਟ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਹੈ.

ਕਿਉਂਕਿ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਅਤੇ ਛੇਕਾਂ ਦੀ ਕੋਈ ਮੁਕਤ ਗਤੀ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਇਸ ਵਿੱਚ ਆਦਰਸ਼ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਲਗਭਗ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ, ਅਤੇ ਆਮ ਕਰੰਟ ਦਾ ਪ੍ਰਵਾਹ ਕਰਨਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੈ। ਪਰ ਫਿਰ ਡਰੇਨ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ - ਸਰੋਤ, ਵਾਸਤਵ ਵਿੱਚ, ਹੇਠਲੇ ਹਿੱਸੇ ਦੇ ਨੇੜੇ ਦੋ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪਰਤ ਸੰਪਰਕ ਡਰੇਨ ਅਤੇ ਗੇਟ ਖੰਭੇ, ਕਿਉਂਕਿ ਡ੍ਰਾਈਫਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪਰਤ ਦੁਆਰਾ ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਨੂੰ ਖਿੱਚਦਾ ਹੈ। ਡ੍ਰਾਇਫਟ ਫੀਲਡ ਦੀ ਤੀਬਰਤਾ ID ਸੀਨ ਦੀ ਸੰਪੂਰਨਤਾ ਪੈਦਾ ਕਰਦੀ ਲਗਭਗ ਨਿਰੰਤਰ ਹੈ।

ਸਰਕਟ ਇੱਕ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਪੀ-ਚੈਨਲ MOSFET ਅਤੇ ਇੱਕ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ N-ਚੈਨਲ MOSFET ਦੇ ਸੁਮੇਲ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਜਦੋਂ ਇੰਪੁੱਟ ਘੱਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਪੀ-ਚੈਨਲ MOSFET ਸੰਚਾਲਨ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦੇ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਟਰਮੀਨਲ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਜਦੋਂ ਇੰਪੁੱਟ ਉੱਚਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ N-ਚੈਨਲ MOSFET ਸੰਚਾਲਨ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਆਉਟਪੁੱਟ ਨੂੰ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਜ਼ਮੀਨ ਨਾਲ ਜੋੜਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਸਰਕਟ ਵਿੱਚ, ਪੀ-ਚੈਨਲ MOSFET ਅਤੇ N-ਚੈਨਲ MOSFET ਹਮੇਸ਼ਾ ਉਲਟ ਅਵਸਥਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਪੜਾਅ ਇਨਪੁਟਸ ਅਤੇ ਆਉਟਪੁੱਟ ਉਲਟੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।