ਬਰਨਆਉਟ ਦੁਆਰਾ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ MOSFET ਨੂੰ ਕਿਵੇਂ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਨਾ ਹੈ

(1) MOSFET ਇੱਕ ਵੋਲਟੇਜ-ਮੈਨੀਪੁਲੇਟਿੰਗ ਐਲੀਮੈਂਟ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਇੱਕ ਕਰੰਟ-ਮੈਨੀਪੁਲੇਟਿੰਗ ਐਲੀਮੈਂਟ ਹੈ। ਡ੍ਰਾਈਵਿੰਗ ਸਮਰੱਥਾ ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਡਰਾਈਵ ਕਰੰਟ ਬਹੁਤ ਛੋਟਾ ਹੈ, ਚੁਣਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈMOSFET; ਅਤੇ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਘੱਟ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਮਸ਼ੀਨ ਡਰਾਈਵ ਪੜਾਅ ਦੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ ਤੋਂ ਵਧੇਰੇ ਮੌਜੂਦਾ ਲੈਣ ਦਾ ਵਾਅਦਾ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਚੁਣਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ.

(2) MOSFET ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਕੈਰੀਅਰ ਕੰਡਕਟਿਵ, ਅਖੌਤੀ ਯੂਨੀਪੋਲਰ ਯੰਤਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਕੈਰੀਅਰਾਂ ਦੀ ਬਹੁਗਿਣਤੀ ਹੈ, ਪਰ ਥੋੜ੍ਹੇ ਜਿਹੇ ਕੈਰੀਅਰ ਕੰਡਕਟਿਵ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵੀ ਹੈ। ਇਸਨੂੰ ਬਾਈਪੋਲਰ ਡਿਵਾਈਸ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

(3) ਕੁਝMOSFET ਸਰੋਤ ਅਤੇ ਡਰੇਨ ਨੂੰ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਲਈ ਬਦਲਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਜਾਂ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਨਾਲੋਂ ਲਚਕਤਾ ਚੰਗੀ ਹੈ.

(4) MOSFET ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਛੋਟੀ ਮੌਜੂਦਾ ਅਤੇ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਵੋਲਟੇਜ ਸਥਿਤੀਆਂ ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਸਦੀ ਉਤਪਾਦਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਇੱਕ ਸਿਲੀਕਾਨ ਚਿੱਪ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ MOSFET ਨੂੰ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਬਹੁਤ ਸੁਵਿਧਾਜਨਕ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਵੱਡੇ ਪੈਮਾਨੇ ਦੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ MOSFETs ਦੀ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ।

(5) MOSFET ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਇੰਪੁੱਟ ਰੁਕਾਵਟ ਅਤੇ ਘੱਟ ਸ਼ੋਰ ਦੇ ਫਾਇਦੇ ਹਨ, ਇਸਲਈ ਇਹ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਟਰੈਪ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਵਿੱਚ ਵੀ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪੂਰੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਾਜ਼ੋ-ਸਾਮਾਨ ਇੰਪੁੱਟ, ਆਉਟਪੁੱਟ ਪੜਾਅ ਨੂੰ ਕਰਨ ਲਈ ਫੀਲਡ ਇਫੈਕਟ ਟਿਊਬ ਦੇ ਨਾਲ, ਫੰਕਸ਼ਨ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਣ ਲਈ ਆਮ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ.

(6)MOSFETs ਨੂੰ ਦੋ ਸ਼੍ਰੇਣੀਆਂ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਗਿਆ ਹੈ: ਲਾਲ ਜੰਕਸ਼ਨ ਕਿਸਮ ਅਤੇ ਇੰਸੂਲੇਟਡ ਗੇਟ ਕਿਸਮ, ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਹੇਰਾਫੇਰੀ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਇੱਕੋ ਜਿਹੇ ਹਨ।

ਵਾਸਤਵ ਵਿੱਚ, ਟ੍ਰਾਈਡ ਸਸਤਾ ਅਤੇ ਵਰਤਣ ਲਈ ਵਧੇਰੇ ਸੁਵਿਧਾਜਨਕ ਹੈ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪੁਰਾਣੇ ਘੱਟ-ਆਵਿਰਤੀ ਵਾਲੇ ਫਿਸ਼ਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਉੱਚ-ਆਵਿਰਤੀ ਵਾਲੇ ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਸਰਕਟਾਂ ਲਈ MOSFET, ਉੱਚ-ਮੌਜੂਦਾ ਮੌਕਿਆਂ ਲਈ, ਇਸ ਲਈ ਨਵੀਂ ਕਿਸਮ ਦੀ ਉੱਚ-ਆਵਿਰਤੀ ਵਾਲੇ ਅਲਟਰਾਸੋਨਿਕ ਫਿਸ਼ਰਾਂ, ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈਵੱਡੇ MOS. ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਘੱਟ ਲਾਗਤ ਵਾਲੇ ਮੌਕਿਆਂ 'ਤੇ, ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ 'ਤੇ ਵਿਚਾਰ ਕਰਨ ਲਈ ਸਭ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਦੀ ਆਮ ਵਰਤੋਂ, ਨਾ ਕਿ ਜੇਕਰ ਤੁਸੀਂ MOS 'ਤੇ ਵਿਚਾਰ ਕਰਨਾ ਚਾਹੁੰਦੇ ਹੋ।

MOSFET ਟੁੱਟਣ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹਨ ਅਤੇ ਹੱਲ ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੇ ਅਨੁਸਾਰ ਹਨ

ਪਹਿਲਾਂ, MOSFET ਦਾ ਇਨਪੁਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਗੇਟ - ਸਰੋਤ ਅੰਤਰ-ਇਲੈਕਟਰੋਡ ਸਮਰੱਥਾ ਬਹੁਤ ਛੋਟੀ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਇਹ ਬਾਹਰੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਫੀਲਡਾਂ ਜਾਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਸਟੈਟਿਕ ਇੰਡਕਟੈਂਸ ਅਤੇ ਚਾਰਜ ਲਈ ਬਹੁਤ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਹੈ, ਅਤੇ ਚਾਰਜ ਦੀ ਇੱਕ ਛੋਟੀ ਜਿਹੀ ਮਾਤਰਾ ਬਣ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਉਚਿਤ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ (U = Q/C) ਦੇ ਅੰਤਰ-ਇਲੈਕਟਰੋਡ ਸਮਾਈਕਰਣ ਵਿੱਚ, ਟਿਊਬ ਨੂੰ ਨੁਕਸਾਨ ਪਹੁੰਚਾਇਆ ਜਾਵੇਗਾ। ਹਾਲਾਂਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਮਸ਼ੀਨ ਦੇ ਐਮਓਐਸ ਇੰਪੁੱਟ ਵਿੱਚ ਐਂਟੀ-ਸਟੈਟਿਕ ਰੱਖ-ਰਖਾਅ ਦੇ ਉਪਾਅ ਹਨ, ਪਰ ਫਿਰ ਵੀ ਧਿਆਨ ਨਾਲ ਇਲਾਜ ਕੀਤੇ ਜਾਣ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਹੈ, ਵਧੀਆ ਧਾਤੂ ਕੰਟੇਨਰਾਂ ਜਾਂ ਸੰਚਾਲਕ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਪੈਕੇਜਿੰਗ ਦੀ ਸਟੋਰੇਜ ਅਤੇ ਡਿਲੀਵਰੀ ਵਿੱਚ, ਸਥਿਰ ਹਾਈ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਹਮਲਾ ਕਰਨ ਲਈ ਆਸਾਨ ਨਾ ਪਾਓ ਰਸਾਇਣਕ ਸਮੱਗਰੀ ਜਾਂ ਰਸਾਇਣਕ ਫਾਈਬਰ ਕੱਪੜੇ। ਅਸੈਂਬਲੀ, ਕਮਿਸ਼ਨਿੰਗ, ਚੀਜ਼ਾਂ, ਦਿੱਖ, ਵਰਕਸਟੇਸ਼ਨ, ਆਦਿ ਨੂੰ ਬੇਮਿਸਾਲ ਆਧਾਰ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ. ਓਪਰੇਟਰ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਸਟੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਤੋਂ ਬਚਣ ਲਈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਬਲਾਕ ਨੂੰ ਛੂਹਣ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਨਾਈਲੋਨ, ਰਸਾਇਣਕ ਫਾਈਬਰ ਵਾਲੇ ਕੱਪੜੇ, ਹੱਥ ਜਾਂ ਕਿਸੇ ਚੀਜ਼ ਨੂੰ ਨਹੀਂ ਪਹਿਨਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ, ਜ਼ਮੀਨ ਨਾਲ ਜੁੜਨਾ ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਹੈ। ਸਾਜ਼-ਸਾਮਾਨ ਦੀ ਲੀਡ ਸਿੱਧੀ ਕਰਨ ਅਤੇ ਮੋੜਨ ਜਾਂ ਹੱਥੀਂ ਵੈਲਡਿੰਗ ਕਰਨ ਲਈ, ਬਕਾਇਆ ਗਰਾਊਂਡਿੰਗ ਲਈ ਸਾਜ਼-ਸਾਮਾਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ।