ਇੱਕ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ MOSFET ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਡਿਵਾਈਸ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿਧੀ ਬਾਰੇ ਸੰਖੇਪ ਵਿੱਚ ਗੱਲ ਕਰੋ

ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਯੰਤਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਖੋਖਲਾ ਢਾਂਚਾ ਕੇਸਿੰਗ 100 ਅਤੇ ਇੱਕ ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 101 ਸ਼ਾਮਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 101 ਨੂੰ ਕੇਸਿੰਗ 100 ਵਿੱਚ ਵਿਵਸਥਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਕਈ ਸਾਈਡ-ਬਾਈ-ਸਾਈਡ MOSFETs 102 ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 101 ਦੇ ਦੋਵਾਂ ਸਿਰਿਆਂ ਨਾਲ ਪਿੰਨਾਂ ਰਾਹੀਂ ਜੁੜੇ ਹੋਏ ਹਨ। ਇਸ ਵਿੱਚ MOSFET 102 ਨੂੰ ਸੰਕੁਚਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਵੀ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ MOSFET 102 ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੀ ਅੰਦਰੂਨੀ ਕੰਧ ਦੇ ਨੇੜੇ ਹੋਵੇ। ਗਰਮੀ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਪਹਿਲਾ ਸਰਕੂਲੇਟਿੰਗ ਵਾਟਰ ਚੈਨਲ 104 ਹੈ ਜੋ ਇਸ ਵਿੱਚੋਂ ਲੰਘਦਾ ਹੈ। ਪਹਿਲਾ ਸਰਕੂਲੇਟਿੰਗ ਵਾਟਰ ਚੈਨਲ 104 ਲੰਬਕਾਰੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਕਈ ਸਾਈਡ-ਬਾਈ-ਸਾਈਡ MOSFETs 102 ਨਾਲ ਵਿਵਸਥਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।
ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 MOSFET 102 ਨੂੰ ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੀ ਅੰਦਰਲੀ ਕੰਧ ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਦਬਾਉਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ MOSFET 102 ਦੀ ਗਰਮੀ ਦਾ ਇੱਕ ਹਿੱਸਾ ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਤੱਕ ਚਲਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਗਰਮੀ ਦਾ ਇੱਕ ਹੋਰ ਹਿੱਸਾ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਬਲਾਕ 103 ਨੂੰ ਚਲਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਹਵਾ ਵਿੱਚ ਫੈਲਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਬਲਾਕ 103 ਦੀ ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਪਹਿਲੇ ਸਰਕੂਲੇਟਿੰਗ ਵਾਟਰ ਚੈਨਲ 104 ਵਿੱਚ ਕੂਲਿੰਗ ਵਾਟਰ ਦੁਆਰਾ ਦੂਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ MOSFET 102 ਦੇ ਗਰਮੀ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਸੁਧਾਰਦਾ ਹੈ। ਉਸੇ ਸਮੇਂ, ਹਾਊਸਿੰਗ ਵਿੱਚ ਦੂਜੇ ਹਿੱਸਿਆਂ ਦੁਆਰਾ ਪੈਦਾ ਕੀਤੀ ਗਈ ਗਰਮੀ ਦਾ ਹਿੱਸਾ 100 ਨੂੰ ਵੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਤੱਕ ਚਲਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸਲਈ, ਗਰਮੀ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਵਿੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਨੂੰ ਹੋਰ ਘਟਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਵਿੱਚ ਹੋਰ ਹਿੱਸਿਆਂ ਦੀ ਕਾਰਜਕੁਸ਼ਲਤਾ ਅਤੇ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ; ਕੇਸਿੰਗ 100 ਦੀ ਇੱਕ ਖੋਖਲੀ ਬਣਤਰ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਕੇਸਿੰਗ 100 ਵਿੱਚ ਗਰਮੀ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਇਕੱਠੀ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦੀ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 101 ਨੂੰ ਜ਼ਿਆਦਾ ਗਰਮ ਹੋਣ ਅਤੇ ਸੜਨ ਤੋਂ ਰੋਕਦਾ ਹੈ। ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੀ ਸਾਈਡ ਦੀਵਾਰ ਨੂੰ ਪਹਿਲੇ ਸਰਕੂਲੇਟਿੰਗ ਵਾਟਰ ਚੈਨਲ 104 ਦੇ ਸਮਾਨਾਂਤਰ ਦੂਜਾ ਸਰਕੂਲੇਟਿੰਗ ਵਾਟਰ ਚੈਨਲ 105 ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਅਤੇ ਦੂਜਾ ਸਰਕੂਲੇਟਿੰਗ ਵਾਟਰ ਚੈਨਲ 105 ਸੰਬੰਧਿਤ MOSFET 102 ਦੇ ਨੇੜੇ ਹੈ। ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੀ ਬਾਹਰੀ ਕੰਧ ਨੂੰ ਇੱਕ ਗਰਮੀ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਗਰੂਵ 108 ਨਾਲ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੀ ਗਰਮੀ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਦੂਜੇ ਸਰਕੂਲੇਟਿੰਗ ਵਾਟਰ ਚੈਨਲ 105 ਵਿੱਚ ਠੰਢੇ ਪਾਣੀ ਰਾਹੀਂ ਦੂਰ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਗਰਮੀ ਦਾ ਇੱਕ ਹੋਰ ਹਿੱਸਾ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਗਰੂਵ 108 ਦੁਆਰਾ ਵਿਗਾੜਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੇ ਗਰਮੀ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਸੁਧਾਰਦਾ ਹੈ। ਗਰਮੀ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਨੂੰ ਕਈ ਥਰਿੱਡਡ ਹੋਲ 107 ਨਾਲ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਪੇਚ ਦੁਆਰਾ ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੀ ਅੰਦਰੂਨੀ ਕੰਧ. ਪੇਚਾਂ ਨੂੰ ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੀਆਂ ਸਾਈਡਾਂ ਦੀਆਂ ਕੰਧਾਂ 'ਤੇ ਥਰਿੱਡਡ ਹੋਲਾਂ ਤੋਂ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਦੇ ਥਰਿੱਡਡ ਹੋਲਾਂ ਵਿੱਚ ਪੇਚ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਮੌਜੂਦਾ ਕਾਢ ਵਿੱਚ, ਇੱਕ ਕਨੈਕਟਿੰਗ ਟੁਕੜਾ 109 ਗਰਮੀ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਦੇ ਕਿਨਾਰੇ ਤੋਂ ਫੈਲਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਕਨੈਕਟਿੰਗ ਟੁਕੜਾ 109 ਥਰਿੱਡਡ ਹੋਲ 107 ਦੇ ਨਾਲ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਕਨੈਕਟਿੰਗ ਟੁਕੜਾ 109 ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਤੌਰ 'ਤੇ ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੀ ਅੰਦਰੂਨੀ ਕੰਧ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਪੇਚ ਦੁਆਰਾ. ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 101 ਨੂੰ ਸਪੋਰਟ ਕਰਨ ਲਈ ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੀ ਅੰਦਰਲੀ ਕੰਧ ਦੇ ਦੋਵੇਂ ਪਾਸੇ ਸਪੋਰਟ ਬਾਰ 106 ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ। ਜਦੋਂ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਤੌਰ 'ਤੇ ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੀ ਅੰਦਰੂਨੀ ਕੰਧ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 101 ਵਿਚਕਾਰ ਦਬਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਅਤੇ ਸਪੋਰਟ ਬਾਰ 106 ਦੀਆਂ ਸਾਈਡ ਵਾਲਾਂ। ਇੰਸਟਾਲੇਸ਼ਨ ਦੌਰਾਨ, ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 101 ਨੂੰ ਪਹਿਲਾਂ ਸਪੋਰਟ ਬਾਰ 106 ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਰੱਖਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਦੇ ਹੇਠਲੇ ਹਿੱਸੇ ਨੂੰ ਉੱਪਰਲੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਦਬਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ ਦਾ 101. ਫਿਰ, ਤਾਪ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਨੂੰ ਪੇਚਾਂ ਨਾਲ ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੀ ਅੰਦਰਲੀ ਕੰਧ ਨਾਲ ਫਿਕਸ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 101 ਨੂੰ ਇੰਸਟਾਲ ਕਰਨ ਅਤੇ ਹਟਾਉਣ ਦੀ ਸਹੂਲਤ ਲਈ ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 101 ਨੂੰ ਕਲੈਂਪ ਕਰਨ ਲਈ ਗਰਮੀ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲੌਕ 103 ਅਤੇ ਸਪੋਰਟ ਬਾਰ 106 ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇੱਕ ਕਲੈਂਪਿੰਗ ਗਰੋਵ ਬਣਾਈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਉਸੇ ਸਮੇਂ, ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 101 ਗਰਮੀ ਦੀ ਖਰਾਬੀ ਦੇ ਨੇੜੇ ਹੈ। ਦਬਾਅ ਬਲਾਕ 103 ਇਸਲਈ, ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 101 ਦੁਆਰਾ ਉਤਪੰਨ ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਤਾਪ ਵਿਘਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਤੱਕ ਚਲਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਤਾਪ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਨੂੰ ਪਹਿਲੇ ਸਰਕੂਲੇਟਿੰਗ ਵਾਟਰ ਚੈਨਲ 104 ਵਿੱਚ ਕੂਲਿੰਗ ਵਾਟਰ ਦੁਆਰਾ ਦੂਰ ਲਿਜਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 101 ਨੂੰ ਓਵਰਹੀਟਿੰਗ ਤੋਂ ਰੋਕਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਅਤੇ ਜਲਣ. ਤਰਜੀਹੀ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਇੱਕ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਫਿਲਮ ਦਾ ਨਿਪਟਾਰਾ MOSFET 102 ਅਤੇ ਹਾਊਸਿੰਗ 100 ਦੀ ਅੰਦਰਲੀ ਕੰਧ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਫਿਲਮ ਦਾ ਨਿਪਟਾਰਾ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 103 ਅਤੇ MOSFET 102 ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਇੱਕ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ MOSFET ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਯੰਤਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਖੋਖਲਾ ਢਾਂਚਾ ਕੇਸਿੰਗ 200 ਅਤੇ ਇੱਕ ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 202 ਸ਼ਾਮਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਸਰਕਟ ਬੋਰਡ 202 ਨੂੰ ਕੇਸਿੰਗ 200 ਵਿੱਚ ਵਿਵਸਥਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਕਈ ਸਾਈਡ-ਬਾਈ-ਸਾਈਡ MOSFETs 202 ਕ੍ਰਮਵਾਰ ਸਰਕਟ ਦੇ ਦੋਵਾਂ ਸਿਰਿਆਂ ਨਾਲ ਜੁੜੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਬੋਰਡ 202 ਨੂੰ ਪਿੰਨਾਂ ਰਾਹੀਂ, ਅਤੇ MOSFETs 202 ਨੂੰ ਸੰਕੁਚਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 203 ਵੀ ਸ਼ਾਮਲ ਕਰਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ MOSFETs 202 ਹਾਊਸਿੰਗ 200 ਦੀ ਅੰਦਰਲੀ ਕੰਧ ਦੇ ਨੇੜੇ ਹੋਵੇ। ਇੱਕ ਪਹਿਲਾ ਸਰਕੂਲੇਟਿੰਗ ਵਾਟਰ ਚੈਨਲ 204 ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਬਲਾਕ 203 ਵਿੱਚੋਂ ਲੰਘਦਾ ਹੈ। ਪਹਿਲਾ ਸਰਕੂਲੇਟਿੰਗ ਵਾਟਰ ਚੈਨਲ 204 ਲੰਬਕਾਰੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਕਈ ਸਾਈਡ-ਬਾਈ-ਸਾਈਡ MOSFETs 202 ਨਾਲ ਵਿਵਸਥਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਸ਼ੈੱਲ ਦੀ ਸਾਈਡ ਦੀਵਾਰ ਨੂੰ ਇੱਕ ਤਾਪ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪਾਈਪ 205 ਨਾਲ ਲੰਬਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਪਹਿਲਾ ਸਰਕੂਲੇਟਿੰਗ ਵਾਟਰ ਚੈਨਲ 204, ਅਤੇ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪਾਈਪ 205 ਦਾ ਇੱਕ ਸਿਰਾ ਇੱਕ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਬਾਡੀ 206 ਦੇ ਨਾਲ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਦੂਜਾ ਸਿਰਾ ਬੰਦ ਹੈ, ਅਤੇ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਬਾਡੀ 206 ਅਤੇ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪਾਈਪ 205 ਇੱਕ ਬੰਦ ਅੰਦਰੂਨੀ ਕੈਵਿਟੀ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਰੈਫ੍ਰਿਜਰੈਂਟ ਨੂੰ ਅੰਦਰੂਨੀ ਖੋਲ ਵਿੱਚ ਵਿਵਸਥਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। MOSFET 202 ਗਰਮੀ ਪੈਦਾ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਫਰਿੱਜ ਨੂੰ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਜਦੋਂ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਇਹ ਹੀਟਿੰਗ ਦੇ ਸਿਰੇ (MOSFET 202 ਸਿਰੇ ਦੇ ਨੇੜੇ) ਤੋਂ ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਸੋਖ ਲੈਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਫਿਰ ਹੀਟਿੰਗ ਸਿਰੇ ਤੋਂ ਕੂਲਿੰਗ ਸਿਰੇ (MOSFET 202 ਸਿਰੇ ਤੋਂ ਦੂਰ) ਤੱਕ ਵਹਿੰਦਾ ਹੈ। ਜਦੋਂ ਇਹ ਕੂਲਿੰਗ ਅੰਤ 'ਤੇ ਠੰਡ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਇਹ ਟਿਊਬ ਦੀਵਾਰ ਦੇ ਬਾਹਰੀ ਘੇਰੇ ਤੱਕ ਗਰਮੀ ਛੱਡਦਾ ਹੈ। ਤਰਲ ਫਿਰ ਹੀਟਿੰਗ ਦੇ ਸਿਰੇ ਤੱਕ ਵਹਿੰਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਇੱਕ ਗਰਮੀ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟ ਬਣਦਾ ਹੈ। ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਅਤੇ ਤਰਲ ਦੁਆਰਾ ਇਹ ਤਾਪ ਭੰਗ ਰਵਾਇਤੀ ਤਾਪ ਕੰਡਕਟਰਾਂ ਦੇ ਤਾਪ ਭੰਗ ਨਾਲੋਂ ਬਹੁਤ ਵਧੀਆ ਹੈ। ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਬਾਡੀ 206 ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਰਿੰਗ 207 ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ ਜੋ ਤਾਪ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪਾਈਪ 205 ਨਾਲ ਸਥਿਰ ਤੌਰ 'ਤੇ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਫਿਨ 208 ਸਥਿਰ ਤੌਰ 'ਤੇ ਗਰਮੀ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਰਿੰਗ 207 ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ; ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਫਿਨ 208 ਵੀ ਇੱਕ ਕੂਲਿੰਗ ਫੈਨ 209 ਨਾਲ ਸਥਿਰ ਤੌਰ 'ਤੇ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ।

ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਰਿੰਗ 207 ਅਤੇ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪਾਈਪ 205 ਦੀ ਲੰਮੀ ਫਿਟਿੰਗ ਦੂਰੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਗਰਮੀ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਰਿੰਗ 207 ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਗਰਮੀ ਦੀ ਖਰਾਬੀ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਹੀਟ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਪਾਈਪ 205 ਵਿੱਚ ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਹੀਟ ਸਿੰਕ 208 ਵਿੱਚ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਕਰ ਸਕੇ।