IGBT (ਇਨਸੂਲੇਟਿਡ ਗੇਟ ਬਾਈਪੋਲਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ) ਅਤੇ MOSFET (ਮੈਟਲ-ਆਕਸਾਈਡ-ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਫੀਲਡ-ਇਫੈਕਟ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ) ਦੋ ਆਮ ਪਾਵਰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਯੰਤਰ ਹਨ ਜੋ ਪਾਵਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਹਾਲਾਂਕਿ ਦੋਵੇਂ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹਿੱਸੇ ਹਨ, ਉਹ ਕਈ ਪਹਿਲੂਆਂ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵੱਖਰੇ ਹਨ। ਹੇਠਾਂ IGBT ਅਤੇ MOSFET ਵਿਚਕਾਰ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਅੰਤਰ ਹਨ:
1. ਕੰਮ ਕਰਨ ਦਾ ਸਿਧਾਂਤ
- IGBT: IGBT ਇੱਕ BJT (ਬਾਈਪੋਲਰ ਜੰਕਸ਼ਨ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ) ਅਤੇ ਇੱਕ MOSFET ਦੋਵਾਂ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਜੋੜਦਾ ਹੈ, ਇਸਨੂੰ ਇੱਕ ਹਾਈਬ੍ਰਿਡ ਡਿਵਾਈਸ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਇਹ MOSFET ਦੇ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਦੁਆਰਾ BJT ਦੇ ਅਧਾਰ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਬਦਲੇ ਵਿੱਚ BJT ਦੇ ਸੰਚਾਲਨ ਅਤੇ ਕੱਟਆਫ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ ਇੱਕ IGBT ਦੀਆਂ ਸੰਚਾਲਨ ਅਤੇ ਕੱਟ-ਆਫ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਹਨ, ਇਸ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਸੰਚਾਲਨ ਵੋਲਟੇਜ ਨੁਕਸਾਨ ਅਤੇ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ।
- MOSFET: MOSFET ਇੱਕ ਫੀਲਡ-ਇਫੈਕਟ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਹੈ ਜੋ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਰਾਹੀਂ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਵਿੱਚ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਕੰਟਰੋਲ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਜਦੋਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ ਤੋਂ ਵੱਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਇੱਕ ਸੰਚਾਲਕ ਪਰਤ ਬਣ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਕਰੰਟ ਵਹਿ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇਸਦੇ ਉਲਟ, ਜਦੋਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਤੋਂ ਹੇਠਾਂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਸੰਚਾਲਕ ਪਰਤ ਗਾਇਬ ਹੋ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਵਹਿ ਨਹੀਂ ਸਕਦਾ। ਇੱਕ MOSFET ਦਾ ਸੰਚਾਲਨ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਸਧਾਰਨ ਹੈ, ਤੇਜ਼ ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਪੀਡ ਦੇ ਨਾਲ।
2. ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਖੇਤਰ
- IGBT: ਇਸਦੀ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ, ਘੱਟ ਸੰਚਾਲਨ ਵੋਲਟੇਜ ਨੁਕਸਾਨ, ਅਤੇ ਤੇਜ਼ ਸਵਿਚਿੰਗ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਦੇ ਕਾਰਨ, IGBT ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ, ਘੱਟ-ਨੁਕਸਾਨ ਵਾਲੀਆਂ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇਨਵਰਟਰ, ਮੋਟਰ ਡਰਾਈਵਰ, ਵੈਲਡਿੰਗ ਮਸ਼ੀਨਾਂ, ਅਤੇ ਨਿਰਵਿਘਨ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ (UPS) ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਹੈ। . ਇਹਨਾਂ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ, IGBT ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਨਾਲ ਉੱਚ-ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਮੌਜੂਦਾ ਸਵਿਚਿੰਗ ਓਪਰੇਸ਼ਨਾਂ ਦਾ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।
- MOSFET: MOSFET, ਇਸਦੇ ਤੇਜ਼ ਜਵਾਬ, ਉੱਚ ਇਨਪੁਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਸਥਿਰ ਸਵਿਚਿੰਗ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ, ਅਤੇ ਘੱਟ ਲਾਗਤ ਦੇ ਨਾਲ, ਘੱਟ-ਪਾਵਰ, ਤੇਜ਼-ਸਵਿਚਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਵਿੱਚ-ਮੋਡ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ, ਰੋਸ਼ਨੀ, ਆਡੀਓ ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ, ਅਤੇ ਤਰਕ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। . MOSFET ਘੱਟ-ਪਾਵਰ ਅਤੇ ਘੱਟ-ਵੋਲਟੇਜ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਵਧੀਆ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।
3. ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
- IGBT: IGBT ਉੱਚ-ਵੋਲਟੇਜ, ਉੱਚ-ਮੌਜੂਦਾ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਸੰਚਾਲਨ ਘਾਟੇ ਦੇ ਨਾਲ ਮਹੱਤਵਪੂਰਣ ਸ਼ਕਤੀ ਨੂੰ ਸੰਭਾਲਣ ਦੀ ਯੋਗਤਾ ਦੇ ਕਾਰਨ ਉੱਤਮ ਹੈ, ਪਰ ਇਸ ਵਿੱਚ MOSFETs ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਹੌਲੀ ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਪੀਡ ਹੈ।
- MOSFET: MOSFETs ਦੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਤੇਜ਼ ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਪੀਡ, ਘੱਟ-ਵੋਲਟੇਜ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਕੁਸ਼ਲਤਾ, ਅਤੇ ਉੱਚ ਸਵਿਚਿੰਗ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ 'ਤੇ ਘੱਟ ਪਾਵਰ ਘਾਟੇ ਦੁਆਰਾ ਦਰਸਾਈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
4. ਪਰਿਵਰਤਨਯੋਗਤਾ
IGBT ਅਤੇ MOSFET ਵੱਖ-ਵੱਖ ਉਦੇਸ਼ਾਂ ਲਈ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਕੀਤੇ ਅਤੇ ਵਰਤੇ ਗਏ ਹਨ ਅਤੇ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਬਦਲਿਆ ਨਹੀਂ ਜਾ ਸਕਦਾ। ਕਿਸ ਡਿਵਾਈਸ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨੀ ਹੈ ਦੀ ਚੋਣ ਖਾਸ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ, ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਲੋੜਾਂ, ਅਤੇ ਲਾਗਤ ਦੇ ਵਿਚਾਰਾਂ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦੀ ਹੈ।
ਸਿੱਟਾ
IGBT ਅਤੇ MOSFET ਕੰਮ ਕਰਨ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ, ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਖੇਤਰਾਂ, ਅਤੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵੱਖਰੇ ਹਨ। ਇਹਨਾਂ ਅੰਤਰਾਂ ਨੂੰ ਸਮਝਣਾ ਪਾਵਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਲਈ ਢੁਕਵੇਂ ਉਪਕਰਣ ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਮਦਦ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਸਰਵੋਤਮ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਅਤੇ ਲਾਗਤ-ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਸਤੰਬਰ-21-2024
