ਦੂਜਾ, ਸਿਸਟਮ ਸੀਮਾਵਾਂ ਦਾ ਆਕਾਰ
ਕੁਝ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਿਸਟਮ ਪੀਸੀਬੀ ਅਤੇ ਅੰਦਰੂਨੀ ਦੇ ਆਕਾਰ ਦੁਆਰਾ ਸੀਮਿਤ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਉਚਾਈ, ਐੱਸuch ਸੰਚਾਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ, ਉਚਾਈ ਸੀਮਾਵਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਮਾਡਯੂਲਰ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ DFN5 * 6, DFN3 * 3 ਪੈਕੇਜ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਨ; ਕੁਝ ACDC ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਵਿੱਚ, ਅਤਿ-ਪਤਲੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਜਾਂ ਸ਼ੈੱਲ ਦੀਆਂ ਸੀਮਾਵਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਪਾਵਰ MOSFET ਫੁੱਟ ਦੇ TO220 ਪੈਕੇਜ ਦੀ ਅਸੈਂਬਲੀ ਸਿੱਧੇ ਉਚਾਈ ਸੀਮਾਵਾਂ ਦੀ ਜੜ੍ਹ ਵਿੱਚ ਪਾਈ ਗਈ ਹੈ, TO247 ਪੈਕੇਜ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਨਹੀਂ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਕੁਝ ਅਤਿ-ਪਤਲੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਡਿਵਾਈਸ ਪਿੰਨ ਨੂੰ ਫਲੈਟ ਮੋੜਦੇ ਹਨ, ਇਹ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਉਤਪਾਦਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਬਣ ਜਾਵੇਗੀ।
ਤੀਜਾ, ਕੰਪਨੀ ਦੀ ਉਤਪਾਦਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ
TO220 ਦੇ ਦੋ ਕਿਸਮ ਦੇ ਪੈਕੇਜ ਹਨ: ਬੇਅਰ ਮੈਟਲ ਪੈਕੇਜ ਅਤੇ ਪੂਰਾ ਪਲਾਸਟਿਕ ਪੈਕੇਜ, ਬੇਅਰ ਮੈਟਲ ਪੈਕੇਜ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਛੋਟਾ ਹੈ, ਗਰਮੀ ਦੀ ਖਰਾਬੀ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਮਜ਼ਬੂਤ ਹੈ, ਪਰ ਉਤਪਾਦਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ, ਤੁਹਾਨੂੰ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਡਰਾਪ ਜੋੜਨ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਹੈ, ਉਤਪਾਦਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਅਤੇ ਮਹਿੰਗੀ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਪੂਰਾ ਪਲਾਸਟਿਕ ਪੈਕੇਜ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵੱਡਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਗਰਮੀ ਖਰਾਬ ਹੋਣ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਕਮਜ਼ੋਰ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਪਰ ਉਤਪਾਦਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸਧਾਰਨ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
ਤਾਲਾਬੰਦ ਪੇਚਾਂ ਦੀ ਨਕਲੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ, ਹਾਲ ਹੀ ਦੇ ਸਾਲਾਂ ਵਿੱਚ, ਕੁਝ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਨੂੰ ਪਾਵਰ ਕਰਨ ਲਈ ਕਲਿੱਪਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏMOSFETs ਗਰਮੀ ਸਿੰਕ ਵਿੱਚ ਘੜੀਸਿਆ, ਇਸ ਲਈ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਪਰੰਪਰਾਗਤ TO220 ਹਿੱਸਾ encapsulation ਦੇ ਨਵ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਛੇਕ ਨੂੰ ਹਟਾਉਣ ਦੇ ਵੱਡੇ ਹਿੱਸੇ ਦੇ ਉਭਾਰ, ਪਰ ਇਹ ਵੀ ਜੰਤਰ ਦੀ ਉਚਾਈ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ.
ਚੌਥਾ, ਲਾਗਤ ਨਿਯੰਤਰਣ
ਕੁਝ ਬਹੁਤ ਹੀ ਲਾਗਤ-ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਡੈਸਕਟੌਪ ਮਦਰਬੋਰਡ ਅਤੇ ਬੋਰਡਾਂ ਵਿੱਚ, DPAK ਪੈਕੇਜਾਂ ਵਿੱਚ ਪਾਵਰ MOSFETs ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਅਜਿਹੇ ਪੈਕੇਜਾਂ ਦੀ ਘੱਟ ਕੀਮਤ ਦੇ ਕਾਰਨ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ, ਜਦੋਂ ਪਾਵਰ MOSFET ਪੈਕੇਜ ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਦੇ ਹੋ, ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਕੰਪਨੀ ਦੀ ਸ਼ੈਲੀ ਅਤੇ ਉਤਪਾਦ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਮਿਲਾ ਕੇ, ਅਤੇ ਉਪਰੋਕਤ ਕਾਰਕਾਂ 'ਤੇ ਵਿਚਾਰ ਕਰੋ।
ਪੰਜਵਾਂ, ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ ਵਿਦਮਾਨ ਵੋਲਟੇਜ BVDSS ਦੀ ਚੋਣ ਕਰੋ, ਕਿਉਂਕਿ ਇਨਪੁਟ vo ਦਾ ਡਿਜ਼ਾਈਨਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਦੀ ltage ਸਿਸਟਮ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਸਥਿਰ ਹੈ, ਕੰਪਨੀ ਨੇ ਕੁਝ ਸਮੱਗਰੀ ਨੰਬਰ ਦਾ ਇੱਕ ਖਾਸ ਸਪਲਾਇਰ ਚੁਣਿਆ ਹੈ, ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਦਰਜਾ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਵੋਲਟੇਜ ਵੀ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਹੈ।
ਡੈਟਾਸ਼ੀਟ ਵਿੱਚ ਪਾਵਰ MOSFETs ਦੇ ਬ੍ਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ BVDSS ਨੇ ਟੈਸਟ ਦੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ ਨੂੰ ਪਰਿਭਾਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਹੈ, ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਥਿਤੀਆਂ ਵਿੱਚ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਮੁੱਲਾਂ ਦੇ ਨਾਲ, ਅਤੇ BVDSS ਕੋਲ ਇੱਕ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਤਾਪਮਾਨ ਗੁਣਾਂਕ ਹੈ, ਇਹਨਾਂ ਕਾਰਕਾਂ ਦੇ ਸੁਮੇਲ ਦੀ ਅਸਲ ਵਰਤੋਂ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਵਿਆਪਕ ਢੰਗ ਨਾਲ ਵਿਚਾਰ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।
ਬਹੁਤ ਸਾਰੀ ਜਾਣਕਾਰੀ ਅਤੇ ਸਾਹਿਤ ਦਾ ਅਕਸਰ ਜ਼ਿਕਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ: ਜੇਕਰ ਪਾਵਰ ਸਿਸਟਮ MOSFET ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ ਸਪਾਈਕ ਵੋਲਟੇਜ ਦਾ VDS ਜੇ BVDSS ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੈ, ਭਾਵੇਂ ਕਿ ਸਪਾਈਕ ਪਲਸ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਮਿਆਦ ਸਿਰਫ ਕੁਝ ਜਾਂ ਦਸਾਂ ns ਦੀ ਹੋਵੇ, ਪਾਵਰ MOSFET ਬਰਫ਼ਬਾਰੀ ਵਿੱਚ ਦਾਖਲ ਹੋ ਜਾਵੇਗੀ। ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਨੁਕਸਾਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।
ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਅਤੇ ਆਈਜੀਬੀਟੀ ਦੇ ਉਲਟ, ਪਾਵਰ MOSFETs ਕੋਲ ਬਰਫ਼ਬਾਰੀ ਦਾ ਵਿਰੋਧ ਕਰਨ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਬਹੁਤ ਸਾਰੀਆਂ ਵੱਡੀਆਂ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਕੰਪਨੀਆਂ ਪਾਵਰ MOSFET ਬਰਫ਼ਬਾਰੀ ਊਰਜਾ ਉਤਪਾਦਨ ਲਾਈਨ ਵਿੱਚ ਪੂਰੀ ਨਿਰੀਖਣ, 100% ਖੋਜ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ, ਡੇਟਾ ਵਿੱਚ ਇਹ ਇੱਕ ਗਾਰੰਟੀਸ਼ੁਦਾ ਮਾਪ ਹੈ, ਬਰਫ਼ਬਾਰੀ ਵੋਲਟੇਜ. ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ BVDSS ਦੇ 1.2 ~ 1.3 ਗੁਣਾ ਵਿੱਚ ਵਾਪਰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਮੇਂ ਦੀ ਮਿਆਦ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ μs, ਇੱਥੋਂ ਤੱਕ ਕਿ ms ਪੱਧਰ ਵੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਫਿਰ ਸਿਰਫ ਕੁਝ ਕੁ ਜਾਂ ਦਸਾਂ ns ਦੀ ਮਿਆਦ, ਬਰਫਬਾਰੀ ਵੋਲਟੇਜ ਸਪਾਈਕ ਪਲਸ ਵੋਲਟੇਜ ਨਾਲੋਂ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਨੂੰ ਨੁਕਸਾਨ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ। ਪਾਵਰ MOSFET.
ਛੇ, ਡਰਾਈਵ ਵੋਲਟੇਜ ਚੋਣ VTH ਦੁਆਰਾ
ਬਿਜਲੀ ਦੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਿਸਟਮ MOSFETs ਚੁਣਿਆ ਡਰਾਈਵ ਵੋਲਟੇਜ ਇੱਕੋ ਹੀ ਨਹੀਂ ਹੈ, AC / DC ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 12V ਡਰਾਈਵ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਨੋਟਬੁੱਕ ਦੇ ਮਦਰਬੋਰਡ DC / DC ਕਨਵਰਟਰ 5V ਡਰਾਈਵ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਇਸ ਲਈ ਇੱਕ ਵੱਖਰੀ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਨ ਲਈ ਸਿਸਟਮ ਦੀ ਡਰਾਈਵ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ. VTH ਪਾਵਰ MOSFETs.
ਡੈਟਾਸ਼ੀਟ ਵਿੱਚ ਪਾਵਰ MOSFETs ਦੀ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ VTH ਨੇ ਵੀ ਟੈਸਟ ਦੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ ਨੂੰ ਪਰਿਭਾਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਹੈ ਅਤੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਥਿਤੀਆਂ ਵਿੱਚ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਮੁੱਲ ਹਨ, ਅਤੇ VTH ਦਾ ਇੱਕ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਤਾਪਮਾਨ ਗੁਣਾਂਕ ਹੈ। ਵੱਖ-ਵੱਖ ਡ੍ਰਾਈਵ ਵੋਲਟੇਜ VGS ਵੱਖ-ਵੱਖ ਆਨ-ਰੋਧਕਾਂ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦੀਆਂ ਹਨ, ਅਤੇ ਵਿਹਾਰਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਵਿੱਚ ਰੱਖਣਾ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ
ਪ੍ਰੈਕਟੀਕਲ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ, ਇਹ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਭਿੰਨਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਵਿੱਚ ਰੱਖਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ ਕਿ ਪਾਵਰ MOSFET ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਚਾਲੂ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਇਹ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣਾ ਹੈ ਕਿ ਸ਼ੱਟਡਾਊਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੌਰਾਨ ਜੀ-ਪੋਲ ਨਾਲ ਜੋੜੀਆਂ ਗਈਆਂ ਸਪਾਈਕ ਦਾਲਾਂ ਨੂੰ ਗਲਤ ਟਰਿਗਰਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਚਾਲੂ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾਵੇਗਾ। ਇੱਕ ਸਿੱਧਾ-ਥਰੂ ਜਾਂ ਸ਼ਾਰਟ-ਸਰਕਟ ਪੈਦਾ ਕਰੋ.
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਅਗਸਤ-03-2024
