ਅੱਜ-ਕੱਲ੍ਹ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਾਈ-ਪਾਵਰ 'ਤੇMOSFETਇਸਦੇ ਕੰਮ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਨੂੰ ਸੰਖੇਪ ਵਿੱਚ ਪੇਸ਼ ਕਰਨ ਲਈ. ਦੇਖੋ ਕਿ ਇਹ ਆਪਣੇ ਕੰਮ ਨੂੰ ਕਿਵੇਂ ਮਹਿਸੂਸ ਕਰਦਾ ਹੈ.
ਮੈਟਲ-ਆਕਸਾਈਡ-ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ, ਜੋ ਕਿ ਹੈ, ਧਾਤੂ-ਆਕਸਾਈਡ-ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ, ਬਿਲਕੁਲ, ਇਹ ਨਾਮ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਵਿੱਚ MOSFET ਦੀ ਬਣਤਰ ਦਾ ਵਰਣਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਯਾਨੀ: ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਯੰਤਰ ਦੀ ਇੱਕ ਖਾਸ ਬਣਤਰ ਵਿੱਚ, ਸਿਲੀਕਾਨ ਡਾਈਆਕਸਾਈਡ ਅਤੇ ਧਾਤ ਦੇ ਨਾਲ, ਗਠਨ ਗੇਟ ਦੇ.
ਇੱਕ MOSFET ਦਾ ਸਰੋਤ ਅਤੇ ਨਿਕਾਸ ਵਿਰੋਧੀ ਹਨ, ਦੋਵੇਂ ਇੱਕ P- ਕਿਸਮ ਦੇ ਬੈਕਗੇਟ ਵਿੱਚ ਬਣੇ N- ਕਿਸਮ ਦੇ ਜ਼ੋਨ ਹਨ। ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ, ਦੋਵੇਂ ਖੇਤਰ ਇੱਕੋ ਜਿਹੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਭਾਵੇਂ ਐਡਜਸਟਮੈਂਟ ਦੇ ਦੋ ਸਿਰੇ ਡਿਵਾਈਸ ਦੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਤ ਨਹੀਂ ਕਰਨਗੇ, ਅਜਿਹੀ ਡਿਵਾਈਸ ਨੂੰ ਸਮਮਿਤੀ ਮੰਨਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਵਰਗੀਕਰਣ: ਹਰੇਕ ਐਨ-ਚੈਨਲ ਅਤੇ ਪੀ-ਚੈਨਲ ਦੋ ਦੇ ਚੈਨਲ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਕਿਸਮ ਅਤੇ ਇੰਸੂਲੇਟਡ ਗੇਟ ਕਿਸਮ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ; ਸੰਚਾਲਕ ਮੋਡ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ: MOSFET ਨੂੰ ਕਮੀ ਅਤੇ ਸੁਧਾਰ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਇਸਲਈ MOSFET ਨੂੰ N-ਚੈਨਲ ਦੀ ਕਮੀ ਅਤੇ ਸੁਧਾਰ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਗਿਆ ਹੈ; ਪੀ-ਚੈਨਲ ਦੀ ਕਮੀ ਅਤੇ ਚਾਰ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਸ਼੍ਰੇਣੀਆਂ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣਾ।
MOSFET ਕਾਰਜ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ - ਦੀਆਂ ਢਾਂਚਾਗਤ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂMOSFETਇਹ ਕੰਡਕਟਿਵ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਸਿਰਫ ਇੱਕ ਪੋਲਰਿਟੀ ਕੈਰੀਅਰ (ਪੌਲੀਸ) ਚਲਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਇੱਕ ਯੂਨੀਪੋਲਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਹੈ। ਸੰਚਾਲਨ ਵਿਧੀ ਘੱਟ-ਪਾਵਰ MOSFET ਦੇ ਸਮਾਨ ਹੈ, ਪਰ ਬਣਤਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਵੱਡਾ ਅੰਤਰ ਹੈ, ਘੱਟ-ਪਾਵਰ MOSFET ਇੱਕ ਖਿਤਿਜੀ ਸੰਚਾਲਕ ਯੰਤਰ ਹੈ, ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਪਾਵਰ MOSFET ਲੰਬਕਾਰੀ ਸੰਚਾਲਕ ਬਣਤਰ, ਜਿਸਨੂੰ VMOSFET ਵੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ MOSFET ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਸੁਧਾਰ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਡਿਵਾਈਸ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਮੌਜੂਦਾ ਸਹਿਣ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ. ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਧਾਤ ਦੇ ਗੇਟ ਅਤੇ ਚੈਨਲ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਸਿਲਿਕਾ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਦੀ ਇੱਕ ਪਰਤ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਸਲਈ ਇੱਕ ਉੱਚ ਇਨਪੁਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਹੈ, ਟਿਊਬ ਇੱਕ n-ਕਿਸਮ ਦੇ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ ਬਣਾਉਣ ਲਈ n ਫੈਲਣ ਵਾਲੇ ਜ਼ੋਨ ਦੇ ਦੋ ਉੱਚ ਸੰਘਣਤਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਚਲਦੀ ਹੈ। n-ਚੈਨਲ ਸੁਧਾਰ MOSFETs ਨੂੰ ਗੇਟ 'ਤੇ ਅੱਗੇ ਪੱਖਪਾਤ ਦੇ ਨਾਲ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਿਰਫ਼ ਉਦੋਂ ਜਦੋਂ ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ n-ਚੈਨਲ MOSFET ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੰਡਕਟਿਵ ਚੈਨਲ ਦੀ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੋਵੇ। n-ਚੈਨਲ ਡਿਪਲੀਸ਼ਨ ਕਿਸਮ MOSFETs n-ਚੈਨਲ MOSFETs ਹਨ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਵਿੱਚ ਸੰਚਾਲਨ ਚੈਨਲ ਉਦੋਂ ਉਤਪੰਨ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਜਦੋਂ ਕੋਈ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਲਾਗੂ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ (ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ ਜ਼ੀਰੋ ਹੈ)।
MOSFET ਦੇ ਸੰਚਾਲਨ ਦਾ ਸਿਧਾਂਤ "ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਚਾਰਜ" ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਗਏ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਨੂੰ ਬਦਲਣ ਲਈ VGS ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ "ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਚਾਰਜ" ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਫਿਰ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਦੇ ਉਦੇਸ਼ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਹੈ। ਟਿਊਬਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ, ਵੱਡੀ ਗਿਣਤੀ ਵਿੱਚ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਆਇਨਾਂ ਦੇ ਉਭਰਨ ਵਿੱਚ ਪਰਤ ਨੂੰ ਇੰਸੂਲੇਟ ਕਰਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ, ਇਸ ਲਈ ਇੰਟਰਫੇਸ ਦੇ ਦੂਜੇ ਪਾਸੇ ਵਿੱਚ ਵਧੇਰੇ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਚਾਰਜ ਨੂੰ ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇਹ ਨੈਗੇਟਿਵ ਚਾਰਜ ਐਨ ਵਿੱਚ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਦੇ ਉੱਚ ਪ੍ਰਵੇਸ਼ ਲਈ. ਇੱਕ ਕੰਡਕਟਿਵ ਚੈਨਲ ਦੇ ਗਠਨ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਖੇਤਰ, ਇੱਥੋਂ ਤੱਕ ਕਿ VGS = 0 ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਵੱਡੀ ਲੀਕੇਜ ਮੌਜੂਦਾ ID ਵੀ ਹੈ। ਜਦੋਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਬਦਲਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਚੈਨਲ ਵਿੱਚ ਚਾਰਜ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਵੀ ਬਦਲ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਚੈਨਲ ਦੀ ਕੰਡਕਟਿਵ ਚੈਨਲ ਦੀ ਚੌੜਾਈ ਅਤੇ ਸੰਕੁਚਿਤਤਾ ਅਤੇ ਬਦਲਾਵ, ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਨਾਲ ਲੀਕ ਹੋਣ ਵਾਲੀ ਮੌਜੂਦਾ ਆਈ.ਡੀ. ਮੌਜੂਦਾ ID ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਨਾਲ ਬਦਲਦੀ ਹੈ।
ਹੁਣ ਦੀ ਅਰਜ਼ੀMOSFETਸਾਡੇ ਜੀਵਨ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਲੋਕਾਂ ਦੀ ਸਿੱਖਣ, ਕੰਮ ਦੀ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਸੁਧਾਰ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਸਾਨੂੰ ਕੁਝ ਸਧਾਰਨ ਸਮਝ ਦੁਆਰਾ ਇਸ ਬਾਰੇ ਹੋਰ ਤਰਕਸੰਗਤ ਸਮਝ ਹੈ. ਨਾ ਸਿਰਫ ਇਸ ਨੂੰ ਇੱਕ ਸਾਧਨ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾਵੇਗਾ, ਇਸਦੇ ਗੁਣਾਂ ਦੀ ਵਧੇਰੇ ਸਮਝ, ਕੰਮ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ, ਜੋ ਸਾਨੂੰ ਬਹੁਤ ਮਜ਼ੇਦਾਰ ਵੀ ਦੇਵੇਗਾ.
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਅਪ੍ਰੈਲ-18-2024
