ਵੱਡਾ ਪੈਕੇਜ MOSFET ਡਰਾਈਵਰ ਸਰਕਟ

ਸਭ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ, MOSFET ਕਿਸਮ ਅਤੇ ਬਣਤਰ, MOSFET ਇੱਕ FET ਹੈ (ਦੂਸਰਾ JFET ਹੈ), ਨੂੰ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਜਾਂ ਡਿਪਲੀਸ਼ਨ ਕਿਸਮ, ਪੀ-ਚੈਨਲ ਜਾਂ N-ਚੈਨਲ ਕੁੱਲ ਚਾਰ ਕਿਸਮਾਂ ਵਿੱਚ ਨਿਰਮਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਪਰ ਅਸਲ ਵਿੱਚ ਸਿਰਫ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਐਨ. -ਚੈਨਲ MOSFET ਅਤੇ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ P-ਚੈਨਲ MOSFET, ਇਸ ਲਈ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ NMOSFET ਵਜੋਂ ਜਾਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਾਂ PMOSFET ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਜ਼ਿਕਰ ਕੀਤੇ NMOSFET ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜਾਂ PMOSFET ਇਹਨਾਂ ਦੋ ਕਿਸਮਾਂ ਦਾ ਹਵਾਲਾ ਦਿੰਦਾ ਹੈ। ਇਹਨਾਂ ਦੋ ਕਿਸਮਾਂ ਦੇ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ MOSFETs ਲਈ, NMOSFETs ਨੂੰ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਘੱਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ ਅਸਾਨੀ ਦੇ ਕਾਰਨ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ, NMOSFETs ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਅਤੇ ਮੋਟਰ ਡਰਾਈਵ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਨੂੰ ਬਦਲਣ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੀ ਜਾਣ-ਪਛਾਣ ਵੀ NMOSFETs 'ਤੇ ਕੇਂਦਰਿਤ ਹੈ। ਦੇ ਤਿੰਨ ਪਿੰਨ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਪਰਜੀਵੀ ਸਮਰੱਥਾ ਮੌਜੂਦ ਹੈMOSFET, ਜਿਸਦੀ ਲੋੜ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਸਗੋਂ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀਆਂ ਸੀਮਾਵਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ. ਪਰਜੀਵੀ ਸਮਰੱਥਾ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਇਸ ਨੂੰ ਡ੍ਰਾਈਵਰ ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਕਰਨ ਜਾਂ ਚੁਣਨ ਲਈ ਥੋੜ੍ਹਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਡਰੇਨ ਅਤੇ ਸਰੋਤ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇੱਕ ਪਰਜੀਵੀ ਡਾਇਓਡ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਇਸਨੂੰ ਬਾਡੀ ਡਾਇਓਡ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਮੋਟਰਾਂ ਵਰਗੇ ਪ੍ਰੇਰਕ ਲੋਡ ਚਲਾਉਣ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਤਰੀਕੇ ਨਾਲ, ਬਾਡੀ ਡਾਇਓਡ ਸਿਰਫ ਵਿਅਕਤੀਗਤ MOSFET ਵਿੱਚ ਮੌਜੂਦ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇੱਕ IC ਚਿੱਪ ਦੇ ਅੰਦਰ ਮੌਜੂਦ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

 

  

 

ਹੁਣ ਦMOSFETਘੱਟ-ਵੋਲਟੇਜ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਨੂੰ ਚਲਾਓ, ਜਦੋਂ 5V ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਇਸ ਵਾਰ ਜੇਕਰ ਤੁਸੀਂ ਰਵਾਇਤੀ ਟੋਟੇਮ ਪੋਲ ਬਣਤਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋ, ਤਾਂ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਦੇ ਕਾਰਨ ਲਗਭਗ 0.7V ਵੋਲਟੇਜ ਡ੍ਰੌਪ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਵੋਲਟੇਜ 'ਤੇ ਗੇਟ ਵਿੱਚ ਅਸਲ ਅੰਤਮ ਜੋੜਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। 4.3 V. ਇਸ ਸਮੇਂ, ਅਸੀਂ ਕੁਝ ਖਾਸ ਜੋਖਮਾਂ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ 'ਤੇ MOSFET ਦੇ 4.5V ਦੇ ਨਾਮਾਤਰ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਦੇ ਹਾਂ। ਇਹੀ ਸਮੱਸਿਆ 3V ਜਾਂ ਹੋਰ ਘੱਟ ਵੋਲਟੇਜ ਬਿਜਲੀ ਸਪਲਾਈ ਦੇ ਮੌਕਿਆਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵਿੱਚ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਦੋਹਰੀ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੁਝ ਨਿਯੰਤਰਣ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ ਜਿੱਥੇ ਤਰਕ ਭਾਗ ਇੱਕ ਆਮ 5V ਜਾਂ 3.3V ਡਿਜੀਟਲ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਪਾਵਰ ਸੈਕਸ਼ਨ 12V ਜਾਂ ਇਸ ਤੋਂ ਵੀ ਵੱਧ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਦੋ ਵੋਲਟੇਜ ਇੱਕ ਸਾਂਝੇ ਜ਼ਮੀਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਜੁੜੇ ਹੋਏ ਹਨ। ਇਹ ਇੱਕ ਸਰਕਟ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਰੱਖਦਾ ਹੈ ਜੋ ਘੱਟ ਵੋਲਟੇਜ ਵਾਲੇ ਪਾਸੇ ਨੂੰ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਵਾਲੇ ਪਾਸੇ MOSFET ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਵਾਲੇ ਪਾਸੇ MOSFET ਨੂੰ 1 ਅਤੇ 2 ਵਿੱਚ ਦੱਸੀਆਂ ਗਈਆਂ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਨਾ ਪਵੇਗਾ।

 

ਸਾਰੇ ਤਿੰਨ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ, ਟੋਟੇਮ ਪੋਲ ਬਣਤਰ ਆਉਟਪੁੱਟ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਨਹੀਂ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਆਫ-ਦੀ-ਸ਼ੈਲਫ MOSFET ਡਰਾਈਵਰ IC ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਸੀਮਿਤ ਬਣਤਰ ਨੂੰ ਸ਼ਾਮਲ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾਪਦਾ ਹੈ। ਇੰਪੁੱਟ ਵੋਲਟੇਜ ਇੱਕ ਸਥਿਰ ਮੁੱਲ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਇਹ ਸਮੇਂ ਜਾਂ ਹੋਰ ਕਾਰਕਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਬਦਲਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਪਰਿਵਰਤਨ PWM ਸਰਕਟ ਦੁਆਰਾ MOSFET ਨੂੰ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤੀ ਗਈ ਡਰਾਈਵ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਅਸਥਿਰ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ। MOSFET ਨੂੰ ਉੱਚ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜਾਂ ਤੋਂ ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਬਣਾਉਣ ਲਈ, ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ MOSFET ਵਿੱਚ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਐਪਲੀਟਿਊਡ ਨੂੰ ਜ਼ਬਰਦਸਤੀ ਸੀਮਤ ਕਰਨ ਲਈ ਬਿਲਟ-ਇਨ ਵੋਲਟੇਜ ਰੈਗੂਲੇਟਰ ਹਨ। ਇਸ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ, ਜਦੋਂ ਡ੍ਰਾਈਵ ਵੋਲਟੇਜ ਵੋਲਟੇਜ ਰੈਗੂਲੇਟਰ ਤੋਂ ਵੱਧ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਇਹ ਉਸੇ ਸਮੇਂ ਇੱਕ ਵੱਡੀ ਸਥਿਰ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣੇਗਾ, ਜੇਕਰ ਤੁਸੀਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ ਰੇਸਿਸਟਟਰ ਵੋਲਟੇਜ ਡਿਵਾਈਡਰ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋ, ਤਾਂ ਇੱਕ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਉੱਚ ਹੋਵੇਗਾ. ਇੰਪੁੱਟ ਵੋਲਟੇਜ,MOSFETਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਇੰਪੁੱਟ ਵੋਲਟੇਜ ਘੱਟ ਜਾਂਦੀ ਹੈ ਜਦੋਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਪੂਰੀ ਸੰਚਾਲਨ ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੋਣ ਲਈ ਨਾਕਾਫ਼ੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਵਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

 

ਇੱਥੇ ਸਿਰਫ਼ NMOSFET ਡਰਾਈਵਰ ਸਰਕਟ ਲਈ ਇੱਕ ਸਧਾਰਨ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕਰਨ ਲਈ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਆਮ ਸਰਕਟ: Vl ਅਤੇ Vh ਲੋਅ-ਐਂਡ ਅਤੇ ਹਾਈ-ਐਂਡ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਹਨ, ਦੋ ਵੋਲਟੇਜ ਇੱਕੋ ਜਿਹੇ ਹੋ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਪਰ Vl Vh ਤੋਂ ਵੱਧ ਨਹੀਂ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। Q1 ਅਤੇ Q2 ਇੱਕ ਉਲਟਾ ਟੋਟੇਮ ਖੰਭੇ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਅਲੱਗਤਾ ਨੂੰ ਮਹਿਸੂਸ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਉਸੇ ਸਮੇਂ ਇਹ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਕਿ ਦੋ ਡਰਾਈਵਰ ਟਿਊਬ Q3 ਅਤੇ Q4 ਇੱਕੋ ਸਮੇਂ ਦੇ ਸੰਚਾਲਨ ਨਹੀਂ ਹੋਣਗੀਆਂ। R2 ਅਤੇ R3 ਇੱਕ PWM ਵੋਲਟੇਜ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ R2 ਅਤੇ R3 PWM ਵੋਲਟੇਜ ਸੰਦਰਭ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਇਸ ਸੰਦਰਭ ਨੂੰ ਬਦਲ ਕੇ, ਤੁਸੀਂ PWM ਸਿਗਨਲ ਵੇਵਫਾਰਮ ਵਿੱਚ ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਖੜ੍ਹੀ ਅਤੇ ਸਿੱਧੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦੇ ਸਕਦੇ ਹੋ। Q3 ਅਤੇ Q4 ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਡਰਾਈਵ ਕਰੰਟ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਸਮੇਂ-ਸਮੇਂ 'ਤੇ ਹੋਣ ਕਾਰਨ, Vh ਅਤੇ GND ਦੇ ਅਨੁਸਾਰੀ Q3 ਅਤੇ Q4 ਸਿਰਫ ਇੱਕ Vce ਵੋਲਟੇਜ ਡ੍ਰੌਪ ਦੇ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਹਨ, ਇਹ ਵੋਲਟੇਜ ਡ੍ਰੌਪ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਿਰਫ 0.3V ਜਾਂ ਇਸ ਤੋਂ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। 0.7V Vce R5 ਅਤੇ R6 ਤੋਂ ਵੱਧ ਫੀਡਬੈਕ ਰੋਧਕ ਹਨ, ਗੇਟ R5 ਅਤੇ R6 ਲਈ ਵਰਤੇ ਗਏ ਫੀਡਬੈਕ ਰੋਧਕ ਹਨ ਜੋ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਦਾ ਨਮੂਨਾ ਲੈਣ ਲਈ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਫਿਰ Q1 ਅਤੇ Q2 ਦੇ ਅਧਾਰਾਂ 'ਤੇ ਇੱਕ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਫੀਡਬੈਕ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਲਈ Q5 ਦੁਆਰਾ ਪਾਸ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸੀਮਤ ਹੋ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਇੱਕ ਸੀਮਿਤ ਮੁੱਲ ਲਈ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ। ਇਹ ਮੁੱਲ R5 ਅਤੇ R6 ਦੁਆਰਾ ਐਡਜਸਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਅੰਤ ਵਿੱਚ, R1 Q3 ਅਤੇ Q4 ਲਈ ਬੇਸ ਕਰੰਟ ਦੀ ਸੀਮਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ R4 MOSFETs ਨੂੰ ਗੇਟ ਕਰੰਟ ਦੀ ਸੀਮਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ Q3Q4 ਦੀ ਬਰਫ਼ ਦੀ ਸੀਮਾ ਹੈ। ਜੇਕਰ ਲੋੜ ਹੋਵੇ ਤਾਂ ਇੱਕ ਪ੍ਰਵੇਗ ਕੈਪਸੀਟਰ ਨੂੰ R4 ਦੇ ਸਮਾਨਾਂਤਰ ਵਿੱਚ ਜੋੜਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।