MOSFET ਵਿਰੋਧੀ ਰਿਵਰਸ ਸਰਕਟ

ਪਹਿਲਾਂ, MOSFET ਐਂਟੀ-ਰਿਵਰਸ ਸਰਕਟ ਦਾ ਮੂਲ ਸਿਧਾਂਤ

MOSFET ਦੀਆਂ ਸਵਿਚਿੰਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ MOSFET ਐਂਟੀ-ਰਿਵਰਸ ਸਰਕਟ, ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਚਾਲੂ ਅਤੇ ਬੰਦ ਕਰਨ ਲਈ ਗੇਟ (G) ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਕੇ। ਜਦੋਂ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਪੋਲਰਿਟੀ ਸਹੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ MOSFET ਨੂੰ ਸੰਚਾਲਨ ਅਵਸਥਾ ਵਿੱਚ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਕਰੰਟ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਹਿ ਸਕਦਾ ਹੈ; ਜਦੋਂ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਪੋਲਰਿਟੀ ਨੂੰ ਉਲਟਾ ਦਿੱਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ MOSFET ਸੰਚਾਲਨ ਨਹੀਂ ਕਰ ਸਕਦਾ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਕੱਟ ਦਿੰਦਾ ਹੈ।

ਦੂਜਾ, MOSFET ਐਂਟੀ-ਰਿਵਰਸ ਸਰਕਟ ਦਾ ਖਾਸ ਅਹਿਸਾਸ

1. ਐਨ-ਚੈਨਲ MOSFET ਵਿਰੋਧੀ ਰਿਵਰਸ ਸਰਕਟ

ਐਨ-ਚੈਨਲ MOSFETs ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਐਂਟੀ-ਰਿਵਰਸ ਸਰਕਟਾਂ ਨੂੰ ਮਹਿਸੂਸ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਸਰਕਟ ਵਿੱਚ, N-ਚੈਨਲ MOSFET ਦਾ ਸਰੋਤ (S) ਲੋਡ ਦੇ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਟਰਮੀਨਲ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਡਰੇਨ (D) ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦੇ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਟਰਮੀਨਲ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਅਤੇ ਗੇਟ (G) ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਇੱਕ ਰੋਧਕ ਦੁਆਰਾ ਜਾਂ ਇੱਕ ਕੰਟਰੋਲ ਸਰਕਟ ਦੁਆਰਾ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦਾ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਟਰਮੀਨਲ।

ਫਾਰਵਰਡ ਕੁਨੈਕਸ਼ਨ: ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦਾ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਟਰਮੀਨਲ D ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਅਤੇ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਟਰਮੀਨਲ S ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਇਸ ਸਮੇਂ, ਰੋਧਕ MOSFET ਲਈ ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ (VGS) ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਜਦੋਂ VGS ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ MOSFET ਦਾ ਵੋਲਟੇਜ (Vth), MOSFET ਸੰਚਾਲਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਬਿਜਲੀ ਸਪਲਾਈ ਦੇ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਟਰਮੀਨਲ ਤੋਂ MOSFET ਦੁਆਰਾ ਲੋਡ ਤੱਕ ਕਰੰਟ ਵਹਿੰਦਾ ਹੈ।

ਜਦੋਂ ਉਲਟਾ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ: ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦਾ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਟਰਮੀਨਲ S ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਅਤੇ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਟਰਮੀਨਲ D ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਇਸ ਸਮੇਂ, MOSFET ਇੱਕ ਕੱਟ-ਆਫ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਹੈ ਅਤੇ ਲੋਡ ਨੂੰ ਨੁਕਸਾਨ ਤੋਂ ਬਚਾਉਣ ਲਈ ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਡਿਸਕਨੈਕਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਕਿਉਂਕਿ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ MOSFET ਆਚਰਣ (VGS 0 ਤੋਂ ਘੱਟ ਜਾਂ Vth ਤੋਂ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ) ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦਾ VGS ਬਣਾਉਣ ਦੇ ਯੋਗ ਨਹੀਂ ਹੈ।

2. ਸਹਾਇਕ ਭਾਗਾਂ ਦੀ ਭੂਮਿਕਾ

ਰੋਧਕ: MOSFET ਲਈ ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਅਤੇ ਗੇਟ ਓਵਰਕਰੰਟ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ ਗੇਟ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਸੀਮਤ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਵੋਲਟੇਜ ਰੈਗੂਲੇਟਰ: ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੋਣ ਅਤੇ MOSFET ਨੂੰ ਤੋੜਨ ਤੋਂ ਰੋਕਣ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਣ ਵਾਲਾ ਇੱਕ ਵਿਕਲਪਿਕ ਹਿੱਸਾ।

ਪਰਜੀਵੀ ਡਾਇਓਡ: ਇੱਕ ਪਰਜੀਵੀ ਡਾਇਓਡ (ਬਾਡੀ ਡਾਇਓਡ) MOSFET ਦੇ ਅੰਦਰ ਮੌਜੂਦ ਹੈ, ਪਰ ਇਸਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਰਕਟ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੁਆਰਾ ਅਣਡਿੱਠ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਜਾਂ ਉਲਟਾ ਵਿਰੋਧੀ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਇਸਦੇ ਨੁਕਸਾਨਦੇਹ ਪ੍ਰਭਾਵ ਤੋਂ ਬਚਣ ਲਈ ਬਚਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਤੀਜਾ, MOSFET ਐਂਟੀ-ਰਿਵਰਸ ਸਰਕਟ ਦੇ ਫਾਇਦੇ

 

ਘੱਟ ਨੁਕਸਾਨ: MOSFET ਆਨ-ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਛੋਟਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਆਨ-ਰੋਧਕ ਵੋਲਟੇਜ ਘੱਟ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਸਰਕਟ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਛੋਟਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

 

 

ਉੱਚ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ: ਐਂਟੀ-ਰਿਵਰਸ ਫੰਕਸ਼ਨ ਨੂੰ ਇੱਕ ਸਧਾਰਨ ਸਰਕਟ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੁਆਰਾ ਮਹਿਸੂਸ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ MOSFET ਵਿੱਚ ਆਪਣੇ ਆਪ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਪੱਧਰੀ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਹੈ।

 

ਲਚਕਤਾ: ਵੱਖ-ਵੱਖ MOSFET ਮਾਡਲਾਂ ਅਤੇ ਸਰਕਟ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਲਈ ਚੁਣੇ ਜਾ ਸਕਦੇ ਹਨ।

 

ਸਾਵਧਾਨੀਆਂ

 

MOSFET ਐਂਟੀ-ਰਿਵਰਸ ਸਰਕਟ ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਵਿੱਚ, ਤੁਹਾਨੂੰ ਇਹ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ ਕਿ MOSFETs ਦੀ ਚੋਣ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਲਈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਵੋਲਟੇਜ, ਮੌਜੂਦਾ, ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਪੀਡ ਅਤੇ ਹੋਰ ਮਾਪਦੰਡ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।

 

ਸਰਕਟ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ 'ਤੇ ਮਾੜੇ ਪ੍ਰਭਾਵਾਂ ਤੋਂ ਬਚਣ ਲਈ ਸਰਕਟ ਦੇ ਦੂਜੇ ਹਿੱਸਿਆਂ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਪਰਜੀਵੀ ਸਮਰੱਥਾ, ਪਰਜੀਵੀ ਇੰਡਕਟੈਂਸ, ਆਦਿ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ 'ਤੇ ਵਿਚਾਰ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ।

 

ਵਿਹਾਰਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ, ਸਰਕਟ ਦੀ ਸਥਿਰਤਾ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਜਾਂਚ ਅਤੇ ਤਸਦੀਕ ਦੀ ਵੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।

 

ਸੰਖੇਪ ਵਿੱਚ, MOSFET ਐਂਟੀ-ਰਿਵਰਸ ਸਰਕਟ ਇੱਕ ਸਧਾਰਨ, ਭਰੋਸੇਮੰਦ ਅਤੇ ਘੱਟ-ਨੁਕਸਾਨ ਵਾਲੀ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਸੁਰੱਖਿਆ ਯੋਜਨਾ ਹੈ ਜੋ ਕਿ ਵਿਭਿੰਨ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਲਈ ਰਿਵਰਸ ਪਾਵਰ ਪੋਲਰਿਟੀ ਦੀ ਰੋਕਥਾਮ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।