ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਦੀ ਮੈਟਲ-ਆਕਸਾਈਡ-ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਬਣਤਰ ਜਿਸਨੂੰ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਜਾਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈMOSFET, ਜਿੱਥੇ MOSFETs ਨੂੰ P-type MOSFETs ਅਤੇ N-type MOSFETs ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਗਿਆ ਹੈ। MOSFETs ਦੇ ਬਣੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਨੂੰ MOSFET ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਵੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ PMOSFETs ਅਤੇ PMOSFET ਦੇ ਨਾਲ ਬਣੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਦੇ ਨਜ਼ਦੀਕੀ ਸੰਬੰਧNMOSFETs ਨੂੰ CMOSFET ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਇੱਕ MOSFET ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਪੀ-ਟਾਈਪ ਸਬਸਟਰੇਟ ਅਤੇ ਦੋ n-ਸਪ੍ਰੈਡਿੰਗ ਖੇਤਰ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਸੰਘਣਤਾ ਮੁੱਲ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਇੱਕ n-ਚੈਨਲ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈMOSFET, ਅਤੇ ਇੱਕ n-ਕਿਸਮ ਦੇ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ ਦੁਆਰਾ ਪੈਦਾ ਹੋਣ ਵਾਲਾ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ ਉੱਚ ਸੰਘਣਤਾ ਮੁੱਲਾਂ ਵਾਲੇ ਦੋ n-ਸਪ੍ਰੈਡਿੰਗ ਮਾਰਗਾਂ ਵਿੱਚ n-ਫੈਲਣ ਵਾਲੇ ਮਾਰਗਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਟਿਊਬ ਚਲਦੀ ਹੈ। n-ਚੈਨਲ ਮੋਟੇ MOSFETs ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ ਦੁਆਰਾ n-ਚੈਨਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਇੱਕ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਦਿਸ਼ਾ-ਨਿਰਦੇਸ਼ ਪੱਖਪਾਤ ਨੂੰ ਗੇਟ ਤੇ ਜਿੰਨਾ ਸੰਭਵ ਹੋ ਸਕੇ ਉਭਾਰਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਕੇਵਲ ਉਦੋਂ ਜਦੋਂ ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਲਈ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ ਤੋਂ ਵੱਧ ਇੱਕ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। n-ਚੈਨਲ ਡਿਪਲੇਸ਼ਨ MOSFETs ਉਹ ਹਨ ਜੋ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਲਈ ਤਿਆਰ ਨਹੀਂ ਹਨ (ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਲਈ ਜ਼ੀਰੋ ਦੀ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ)। ਇੱਕ n-ਚੈਨਲ ਲਾਈਟ ਡਿਪਲੀਸ਼ਨ MOSFET ਇੱਕ n-ਚੈਨਲ MOSFET ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਕੰਡਕਟਿਵ ਚੈਨਲ ਉਦੋਂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ (ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਲੋੜ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ ਜ਼ੀਰੋ ਹੈ) ਤਿਆਰ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
NMOSFET ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ N-ਚੈਨਲ MOSFET ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਸਰਕਟ, NMOSFET ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਹਨ, ਇੰਪੁੱਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ, ਵੱਡੀ ਬਹੁਗਿਣਤੀ ਨੂੰ ਬਿਜਲੀ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੇ ਸਮਾਈ ਨੂੰ ਹਜ਼ਮ ਨਹੀਂ ਕਰਨਾ ਪੈਂਦਾ, ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ CMOSFET ਅਤੇ NMOSFET ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਲਏ ਬਿਨਾਂ ਜੁੜੇ ਹੋਏ ਹਨ। ਪਾਵਰ flow.NMOSFET ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਦੇ ਲੋਡ ਨੂੰ ਖਾਤੇ, ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ-ਸਮੂਹ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਸਵਿਚਿੰਗ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਸਰਕਟ ਦੀ ਚੋਣ ਦੀ ਵੱਡੀ ਬਹੁਗਿਣਤੀ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਸਰਕਟ NMOSFET ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਦੀ ਬਹੁਗਿਣਤੀ ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਸਵਿਚਿੰਗ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਸਰਕਟ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਸਰਕਟ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਕਰਨ ਲਈ ਹੋਰ ਲਈ 9V. CMOSFET ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਨੂੰ ਸਿਰਫ ਉਸੇ ਹੀ ਸਵਿਚਿੰਗ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਸਰਕਟ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਜਿਵੇਂ ਕਿ NMOSFET ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ, NMOSFET ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਨਾਲ ਤੁਰੰਤ ਜੁੜਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, NMOSFET ਤੋਂ CMOSFET ਤੱਕ ਤੁਰੰਤ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ NMOSFET ਆਉਟਪੁੱਟ ਪੁੱਲ-ਅੱਪ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ CMOSFET ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਕੀਡ ਪੁੱਲ-ਅੱਪ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨਾਲੋਂ ਘੱਟ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਇੱਕ ਸੰਭਾਵੀ ਅੰਤਰ ਪੁੱਲ-ਅੱਪ ਰੋਧਕ R ਨੂੰ ਲਾਗੂ ਕਰਨ ਦੀ ਕੋਸ਼ਿਸ਼ ਕਰੋ, ਰੋਧਕ R ਦਾ ਮੁੱਲ ਹੈ। ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 2 ਤੋਂ 100KΩ.
N-ਚੈਨਲ ਮੋਟੇ MOSFETs ਦਾ ਨਿਰਮਾਣ
ਘੱਟ ਡੋਪਿੰਗ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਮੁੱਲ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਪੀ-ਟਾਈਪ ਸਿਲੀਕਾਨ ਸਬਸਟਰੇਟ 'ਤੇ, ਉੱਚ ਡੋਪਿੰਗ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਮੁੱਲ ਵਾਲੇ ਦੋ N ਖੇਤਰ ਬਣਾਏ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਕ੍ਰਮਵਾਰ ਡਰੇਨ d ਅਤੇ ਸਰੋਤ s ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਨ ਲਈ ਐਲੂਮੀਨੀਅਮ ਧਾਤ ਤੋਂ ਦੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਬਣਾਏ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।
ਫਿਰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਸਤਹ ਵਿੱਚ ਸਿਲਿਕਾ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਟਿਊਬ ਦੀ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਪਤਲੀ ਪਰਤ ਨੂੰ ਮਾਸਕਿੰਗ ਵਿੱਚ, ਡਰੇਨ ਵਿੱਚ - ਇੱਕ ਹੋਰ ਐਲੂਮੀਨੀਅਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਡਰੇਨ ਅਤੇ ਸਰੋਤ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਸਰੋਤ ਇਨਸੁਲੇਟਿੰਗ ਟਿਊਬ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਗੇਟ ਜੀ.
ਸਬਸਟਰੇਟ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਬੀ ਵੀ ਨਿਕਲਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਇੱਕ N-ਚੈਨਲ ਮੋਟਾ MOSFET ਹੁੰਦਾ ਹੈ। MOSFET ਸਰੋਤ ਅਤੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇਕੱਠੇ ਜੁੜੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਫੈਕਟਰੀ ਵਿੱਚ ਪਾਈਪ ਦੀ ਵੱਡੀ ਬਹੁਗਿਣਤੀ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਤੋਂ ਇਸ ਨਾਲ ਜੁੜੀ ਹੋਈ ਹੈ, ਇਸਦੇ ਗੇਟ ਅਤੇ ਹੋਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਨੂੰ ਕੇਸਿੰਗ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇੰਸੂਲੇਟ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਮਈ-26-2024
