ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਸਭ ਤੋਂ ਬੁਨਿਆਦੀ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, MOSFETs ਨੂੰ IC ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਅਤੇ ਬੋਰਡ-ਪੱਧਰ ਦੇ ਸਰਕਟਾਂ ਦੋਵਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ-ਸ਼ਕਤੀ ਵਾਲੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰਾਂ ਦੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ, MOSFETs ਦੀਆਂ ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੀਆਂ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਬਣਤਰਾਂ ਵੀ ਇੱਕ ਅਟੱਲ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ। ਲਈMOSFETs, ਜਿਸ ਦੀ ਬਣਤਰ ਨੂੰ ਇੱਕ ਵਿੱਚ ਸਧਾਰਨ ਅਤੇ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਦਾ ਇੱਕ ਸਮੂਹ ਕਿਹਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇਸਦੀ ਬਣਤਰ ਵਿੱਚ ਸਰਲ ਹੈ, ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਇਸਦੀ ਡੂੰਘਾਈ ਨਾਲ ਵਿਚਾਰ ਕਰਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਹੈ। ਦਿਨ-ਬ-ਦਿਨ ਵਿਚ,MOSFET ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਆਮ ਸਥਿਤੀ ਵੀ ਮੰਨਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਲਈ ਸਾਨੂੰ ਕਾਰਨ ਜਾਣਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ ਕਿ ਕਿੱਥੋਂ, ਅਤੇ ਕਿਹੜੇ ਤਰੀਕਿਆਂ ਨਾਲ ਹੱਲ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ? ਅੱਗੇ ਆਓ ਆਪਾਂ ਇਕੱਠੇ ਹੋ ਕੇ ਸਮਝੀਏ।
I. ਦੇ ਕਾਰਨMOSFET ਹੀਟਿੰਗ
1, ਸਰਕਟ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੀ ਸਮੱਸਿਆ. ਇਹ MOSFET ਨੂੰ ਔਨਲਾਈਨ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦੇਣਾ ਹੈ, ਨਾ ਕਿ ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ। ਇਹ ਇੱਕ ਕਾਰਨ ਹੈ ਕਿ MOSFET ਗਰਮ ਹੋ ਜਾਂਦਾ ਹੈ. ਜੇਕਰ N-MOS ਸਵਿਚਿੰਗ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ G-ਪੱਧਰ ਦੀ ਵੋਲਟੇਜ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਚਾਲੂ ਹੋਣ ਲਈ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਤੋਂ ਕੁਝ V ਵੱਧ ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ P-MOS ਲਈ ਇਸਦੇ ਉਲਟ ਸੱਚ ਹੈ। ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਖੁੱਲਾ ਨਹੀਂ ਹੈ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਡ੍ਰੌਪ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ ਜਿਸਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਬਰਾਬਰ ਦਾ DC ਅੜਿੱਕਾ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਵੱਡਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਵੋਲਟੇਜ ਡਰਾਪ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਇਸਲਈ U * I ਵੀ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਨੁਕਸਾਨ ਦਾ ਮਤਲਬ ਹੈ ਗਰਮੀ।
2, ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ। ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਕਈ ਵਾਰ ਵਾਲੀਅਮ ਲਈ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ, ਵਧੀ ਹੋਈ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ, MOSFET ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ MOSFET ਹੀਟਿੰਗ ਵੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
3, ਮੌਜੂਦਾ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ। ਜਦੋਂ ID ਅਧਿਕਤਮ ਵਰਤਮਾਨ ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੈ, ਤਾਂ ਇਹ MOSFET ਨੂੰ ਗਰਮ ਕਰਨ ਦਾ ਕਾਰਨ ਵੀ ਬਣੇਗਾ।
4, MOSFET ਮਾਡਲ ਦੀ ਚੋਣ ਗਲਤ ਹੈ. MOSFET ਦੇ ਅੰਦਰੂਨੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਨਹੀਂ ਮੰਨਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਸਵਿਚਿੰਗ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵਧਦਾ ਹੈ।二,
MOSFET ਦੇ ਗੰਭੀਰ ਗਰਮੀ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਲਈ ਹੱਲ
1, MOSFET ਦੇ ਹੀਟ ਸਿੰਕ ਡਿਜ਼ਾਈਨ 'ਤੇ ਵਧੀਆ ਕੰਮ ਕਰੋ।
2, ਕਾਫ਼ੀ ਸਹਾਇਕ ਹੀਟ ਸਿੰਕ ਸ਼ਾਮਲ ਕਰੋ।
3, ਗਰਮੀ ਸਿੰਕ ਿਚਪਕਣ ਚਿਪਕਾਓ.
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਮਈ-19-2024
