MOSFETs 'ਤੇ ਇੱਕ ਨਜ਼ਰ ਮਾਰੋ

MOSFETs ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ MOSFETs ਨੂੰ ਇੰਸੂਲੇਟ ਕਰ ਰਹੇ ਹਨ। MOSFETs, ਵਿੱਚ ਸਭ ਤੋਂ ਬੁਨਿਆਦੀ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਵਜੋਂਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਫੀਲਡ, ਬੋਰਡ-ਪੱਧਰ ਦੇ ਸਰਕਟਾਂ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਆਈਸੀ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਡਰੇਨ ਅਤੇ ਸਰੋਤMOSFETs ਬਦਲਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇੱਕ N-ਕਿਸਮ ਦੇ ਖੇਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ P- ਕਿਸਮ ਦੇ ਬੈਕਗੇਟ ਵਿੱਚ ਬਣਦੇ ਹਨ। ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਦੋ ਸਰੋਤ ਪਰਿਵਰਤਨਯੋਗ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਦੋਵੇਂ ਵਿੱਚ ਇੱਕ N-ਕਿਸਮ ਦਾ ਖੇਤਰ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨਪੀ-ਟਾਈਪ ਬੈਕਗੇਟ. ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਇਹ ਦੋ ਜ਼ੋਨ ਇੱਕੋ ਜਿਹੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਭਾਵੇਂ ਇਹ ਦੋ ਭਾਗਾਂ ਨੂੰ ਬਦਲਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਡਿਵਾਈਸ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਨਹੀਂ ਹੋਵੇਗੀ. ਇਸ ਲਈ, ਡਿਵਾਈਸ ਨੂੰ ਸਮਰੂਪ ਮੰਨਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ.

ਸਿਧਾਂਤ:

MOSFET "ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਚਾਰਜ" ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਲਈ VGS ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਇਹਨਾਂ "ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਚਾਰਜ" ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਗਏ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਨੂੰ ਬਦਲਿਆ ਜਾ ਸਕੇ। ਜਦੋਂ MOSFETs ਦਾ ਨਿਰਮਾਣ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦੁਆਰਾ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਵੱਡੀ ਗਿਣਤੀ ਵਿੱਚ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਆਇਨਾਂ ਦਿਖਾਈ ਦਿੰਦੀਆਂ ਹਨ, ਤਾਂ ਜੋ ਇੰਟਰਫੇਸ ਦੇ ਦੂਜੇ ਪਾਸੇ ਹੋਰ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਚਾਰਜਾਂ ਨੂੰ ਮਹਿਸੂਸ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ, ਅਤੇ ਉੱਚ-ਪਾਰਗਮਈਤਾ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਦੇ N-ਖੇਤਰ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਵੇ। ਇਹ ਨੈਗੇਟਿਵ ਚਾਰਜ, ਅਤੇ ਕੰਡਕਟਿਵ ਚੈਨਲ ਬਣਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਵੱਡਾ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ, ID, ਉਤਪੰਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਭਾਵੇਂ VGS 0 ਹੋਵੇ। ਜੇਕਰ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਬਦਲਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਚੈਨਲ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਚਾਰਜ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਵੀ ਬਦਲ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਚੌੜਾਈ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ ਦੇ ਉਸੇ ਹੱਦ ਤੱਕ ਬਦਲਦਾ ਹੈ. ਜੇਕਰ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਬਦਲਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਚੈਨਲ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਚਾਰਜ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਵੀ ਬਦਲ ਜਾਵੇਗੀ, ਅਤੇ ਕੰਡਕਟਿੰਗ ਚੈਨਲ ਵਿੱਚ ਚੌੜਾਈ ਵੀ ਬਦਲ ਜਾਵੇਗੀ, ਇਸਲਈ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਨਾਲ ਨਾਲ ਡਰੇਨ ਮੌਜੂਦਾ ID ਵੀ ਬਦਲ ਜਾਵੇਗਾ।

ਭੂਮਿਕਾ:

1. ਇਸ ਨੂੰ ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ ਸਰਕਟ 'ਤੇ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। MOSFET ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ ਦੇ ਉੱਚ ਇਨਪੁਟ ਰੁਕਾਵਟ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਕਪਲਿੰਗ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਛੋਟੀ ਹੋ ​​ਸਕਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਨਹੀਂ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।

ਉੱਚ ਇੰਪੁੱਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਤਬਦੀਲੀ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਹੈ। ਇਹ ਅਕਸਰ ਮਲਟੀ-ਸਟੇਜ ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ ਦੇ ਇਨਪੁਟ ਪੜਾਅ ਵਿੱਚ ਅੜਿੱਕਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

3, ਇਸ ਨੂੰ ਵੇਰੀਏਬਲ ਰੋਧਕ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

4, ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਵਿੱਚ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ.

MOSFETs ਹੁਣ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਵਿਸ਼ਾਲ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਟੈਲੀਵਿਜ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ-ਵਾਰਵਾਰਤਾ ਵਾਲੇ ਹੈੱਡ ਅਤੇ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਨੂੰ ਬਦਲਣਾ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ। ਅੱਜਕੱਲ੍ਹ, ਬਾਈਪੋਲਰ ਸਾਧਾਰਨ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਅਤੇ MOS ਨੂੰ IGBT (ਇੰਸੂਲੇਟਿਡ ਗੇਟ ਬਾਇਪੋਲਰ ਟ੍ਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ) ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇਕੱਠੇ ਮਿਲਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ ਵਾਲੇ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ MOS ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਦੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਹੁਣ CPUs ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਗਿਆ ਹੈ। MOS ਸਰਕਟ.