MOSFETs (ਮੈਟਲ-ਆਕਸਾਈਡ-ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਫੀਲਡ-ਇਫੈਕਟ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ) ਦੇ ਸੰਚਾਲਨ ਸਿਧਾਂਤਾਂ ਨੂੰ ਸਮਝਣਾ ਇਹਨਾਂ ਉੱਚ-ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਭਾਗਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਲਈ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ। MOSFETs ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਨਾਂ ਵਿੱਚ ਲਾਜ਼ਮੀ ਤੱਤ ਹਨ, ਅਤੇ ਨਿਰਮਾਤਾਵਾਂ ਲਈ ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਸਮਝਣਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ।
ਅਭਿਆਸ ਵਿੱਚ, ਅਜਿਹੇ ਨਿਰਮਾਤਾ ਹਨ ਜੋ ਆਪਣੀ ਅਰਜ਼ੀ ਦੇ ਦੌਰਾਨ MOSFETs ਦੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਕਾਰਜਾਂ ਦੀ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਪ੍ਰਸ਼ੰਸਾ ਨਹੀਂ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਫਿਰ ਵੀ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਨਾਂ ਵਿੱਚ MOSFETs ਦੇ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤਾਂ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੀਆਂ ਸੰਬੰਧਿਤ ਭੂਮਿਕਾਵਾਂ ਨੂੰ ਸਮਝ ਕੇ, ਕੋਈ ਵੀ ਇਸਦੀਆਂ ਵਿਲੱਖਣ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਉਤਪਾਦ ਦੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗੁਣਾਂ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਵਿੱਚ ਰੱਖਦੇ ਹੋਏ, ਸਭ ਤੋਂ ਢੁਕਵੇਂ MOSFET ਦੀ ਚੋਣ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਵਿਧੀ ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਮਾਰਕੀਟ ਵਿੱਚ ਇਸਦੀ ਮੁਕਾਬਲੇਬਾਜ਼ੀ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ।
WINSOK SOT-23-3 ਪੈਕੇਜ MOSFET
MOSFET ਕੰਮ ਕਰਨ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ
ਜਦੋਂ MOSFET ਦਾ ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ (VGS) ਜ਼ੀਰੋ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਭਾਵੇਂ ਇੱਕ ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ (VDS) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਦੇ ਨਾਲ, ਉਲਟਾ ਪੱਖਪਾਤ ਵਿੱਚ ਹਮੇਸ਼ਾ ਇੱਕ PN ਜੰਕਸ਼ਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਵਿਚਕਾਰ ਕੋਈ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ (ਅਤੇ ਕੋਈ ਕਰੰਟ) ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ। MOSFET ਦਾ ਨਿਕਾਸ ਅਤੇ ਸਰੋਤ। ਇਸ ਅਵਸਥਾ ਵਿੱਚ, MOSFET ਦਾ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ (ID) ਜ਼ੀਰੋ ਹੈ। ਗੇਟ ਅਤੇ ਸਰੋਤ (VGS > 0) ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇੱਕ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਲਾਗੂ ਕਰਨ ਨਾਲ MOSFET ਦੇ ਗੇਟ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ SiO2 ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਲੇਅਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਗੇਟ ਤੋਂ P- ਕਿਸਮ ਦੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵੱਲ ਸੇਧਿਤ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਵੇਖਦੇ ਹੋਏ ਕਿ ਆਕਸਾਈਡ ਪਰਤ ਇੰਸੂਲੇਟ ਕਰ ਰਹੀ ਹੈ, ਗੇਟ 'ਤੇ ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਗਈ ਵੋਲਟੇਜ, VGS, MOSFET ਵਿੱਚ ਕਰੰਟ ਨਹੀਂ ਪੈਦਾ ਕਰ ਸਕਦੀ। ਇਸ ਦੀ ਬਜਾਏ, ਇਹ ਆਕਸਾਈਡ ਪਰਤ ਦੇ ਪਾਰ ਇੱਕ ਕੈਪਸੀਟਰ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਜਿਵੇਂ ਕਿ VGS ਹੌਲੀ-ਹੌਲੀ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਚਾਰਜ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਗੇਟ 'ਤੇ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਵੋਲਟੇਜ ਦੁਆਰਾ ਆਕਰਸ਼ਿਤ, ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਦੇ ਦੂਜੇ ਪਾਸੇ ਇਕੱਠੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, MOSFET ਵਿੱਚ ਡਰੇਨ ਤੋਂ ਸਰੋਤ ਤੱਕ ਇੱਕ N-ਕਿਸਮ ਦਾ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਜਦੋਂ VGS ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ VT (ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 2V ਦੇ ਆਸਪਾਸ) ਤੋਂ ਵੱਧ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ MOSFET ਦਾ N-ਚੈਨਲ ਸੰਚਾਲਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਡ੍ਰੇਨ ਮੌਜੂਦਾ ID ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਨੂੰ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਗੇਟ-ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ ਜਿਸ 'ਤੇ ਚੈਨਲ ਬਣਨਾ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰਦਾ ਹੈ ਉਸ ਨੂੰ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੋਲਟੇਜ VT ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। VGS ਦੀ ਤੀਬਰਤਾ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਕੇ, ਅਤੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ, MOSFET ਵਿੱਚ ਡਰੇਨ ਮੌਜੂਦਾ ID ਦਾ ਆਕਾਰ ਮੋਡਿਊਲੇਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
WINSOK DFN5x6-8 ਪੈਕੇਜ MOSFET
MOSFET ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ
MOSFET ਆਪਣੀਆਂ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਸਵਿਚਿੰਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਲਈ ਮਸ਼ਹੂਰ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਵਿੱਚਾਂ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਵਿੱਚ-ਮੋਡ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦੀ ਲੋੜ ਵਾਲੇ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਇਸਦਾ ਵਿਆਪਕ ਉਪਯੋਗ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। 5V ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਘੱਟ-ਵੋਲਟੇਜ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ, ਪਰੰਪਰਾਗਤ ਢਾਂਚੇ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਇੱਕ ਬਾਇਪੋਲਰ ਜੰਕਸ਼ਨ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ (ਲਗਭਗ 0.7V) ਦੇ ਬੇਸ-ਇਮੀਟਰ ਦੇ ਪਾਰ ਵੋਲਟੇਜ ਵਿੱਚ ਗਿਰਾਵਟ ਆਉਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸਦੇ ਗੇਟ 'ਤੇ ਲਾਗੂ ਅੰਤਮ ਵੋਲਟੇਜ ਲਈ ਸਿਰਫ 4.3V ਰਹਿ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। MOSFET. ਅਜਿਹੇ ਹਾਲਾਤਾਂ ਵਿੱਚ, 4.5V ਦੀ ਮਾਮੂਲੀ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ MOSFET ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਨਾ ਕੁਝ ਜੋਖਮਾਂ ਨੂੰ ਪੇਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਚੁਣੌਤੀ 3V ਜਾਂ ਹੋਰ ਘੱਟ-ਵੋਲਟੇਜ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਨੂੰ ਸ਼ਾਮਲ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਵੀ ਪ੍ਰਗਟ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਅਕਤੂਬਰ-27-2023
