MOSFETsਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ. ਹੁਣ ਕੁਝ ਵੱਡੇ ਪੈਮਾਨੇ ਦੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ MOSFET, ਬੁਨਿਆਦੀ ਫੰਕਸ਼ਨ ਅਤੇ BJT ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ, ਸਵਿਚਿੰਗ ਅਤੇ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਹਨ। ਮੂਲ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਬੀਜੇਟੀ ਟ੍ਰਾਈਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ ਜਿੱਥੇ ਇਸਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਕੁਝ ਥਾਵਾਂ 'ਤੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਟ੍ਰਾਈਡ ਨਾਲੋਂ ਬਿਹਤਰ ਹੈ।
MOSFET ਦਾ ਵਾਧਾ
MOSFET ਅਤੇ BJT triode, ਹਾਲਾਂਕਿ ਦੋਵੇਂ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ ਡਿਵਾਈਸ, ਪਰ ਟ੍ਰਾਈਓਡ ਨਾਲੋਂ ਵਧੇਰੇ ਫਾਇਦੇ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਉੱਚ ਇੰਪੁੱਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਸਿਗਨਲ ਸਰੋਤ ਲਗਭਗ ਕੋਈ ਮੌਜੂਦਾ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਇੰਪੁੱਟ ਸਿਗਨਲ ਦੀ ਸਥਿਰਤਾ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਹੈ। ਇਹ ਇੱਕ ਇਨਪੁਟ ਸਟੇਜ ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਉਪਕਰਣ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਸ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਸ਼ੋਰ ਅਤੇ ਵਧੀਆ ਤਾਪਮਾਨ ਸਥਿਰਤਾ ਦੇ ਫਾਇਦੇ ਵੀ ਹਨ। ਇਹ ਅਕਸਰ ਆਡੀਓ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟਾਂ ਲਈ ਪ੍ਰੀਐਂਪਲੀਫਾਇਰ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਕਿਉਂਕਿ ਇਹ ਇੱਕ ਵੋਲਟੇਜ-ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰੰਟ ਡਿਵਾਈਸ ਹੈ, ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਵੋਲਟੇਜ ਦੁਆਰਾ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਘੱਟ-ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਟ੍ਰਾਂਸਕੰਡਕਟੇਂਸ ਦਾ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਗੁਣਾਂਕ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵੱਡਾ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਐਂਪਲੀਫੀਕੇਸ਼ਨ ਸਮਰੱਥਾ ਮਾੜੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
MOSFET ਦਾ ਬਦਲਣਾ ਪ੍ਰਭਾਵ
MOSFET ਨੂੰ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਵਿੱਚ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਸਿਰਫ ਪੌਲੀਓਨ ਚਾਲਕਤਾ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਹੋਣ ਕਾਰਨ, ਬੇਸ ਕਰੰਟ ਅਤੇ ਚਾਰਜ ਸਟੋਰੇਜ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਕਾਰਨ BJT ਟ੍ਰਾਈਡ ਵਰਗਾ ਕੋਈ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਇਸਲਈ MOSFET ਦੀ ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਪੀਡ ਟ੍ਰਾਈਓਡ ਨਾਲੋਂ ਤੇਜ਼ ਹੈ, ਇੱਕ ਸਵਿਚਿੰਗ ਟਿਊਬ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਅਕਸਰ ਉੱਚ-ਵਾਰਵਾਰਤਾ ਵਾਲੇ ਉੱਚ-ਮੌਜੂਦਾ ਮੌਕਿਆਂ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ MOSFET ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਦੀ ਉੱਚ-ਵਾਰਵਾਰਤਾ ਉੱਚ-ਮੌਜੂਦਾ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਵਰਤੀਆਂ ਜਾਂਦੀਆਂ ਬਿਜਲੀ ਸਪਲਾਈਆਂ ਨੂੰ ਬਦਲਣਾ। BJT ਟ੍ਰਾਈਓਡ ਸਵਿੱਚਾਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, MOSFET ਸਵਿੱਚ ਛੋਟੀਆਂ ਵੋਲਟੇਜਾਂ ਅਤੇ ਕਰੰਟਾਂ 'ਤੇ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵੇਫਰਾਂ 'ਤੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਆਸਾਨ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਇਸਲਈ ਇਹ ਵੱਡੇ ਪੈਮਾਨੇ ਦੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।
ਵਰਤਣ ਵੇਲੇ ਕੀ ਸਾਵਧਾਨੀਆਂ ਹਨMOSFETs?
MOSFETs ਟ੍ਰਾਈਡਾਂ ਨਾਲੋਂ ਵਧੇਰੇ ਨਾਜ਼ੁਕ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਗਲਤ ਵਰਤੋਂ ਦੁਆਰਾ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਨੁਕਸਾਨ ਹੋ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਇਸਲਈ ਇਹਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਸਮੇਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਧਿਆਨ ਰੱਖਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।
(1) ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵਰਤੋਂ ਦੇ ਮੌਕਿਆਂ ਲਈ MOSFET ਦੀ ਢੁਕਵੀਂ ਕਿਸਮ ਦੀ ਚੋਣ ਕਰਨੀ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ।
(2) MOSFETs, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇੰਸੂਲੇਟਡ-ਗੇਟ MOSFETs, ਦੀ ਉੱਚ ਇਨਪੁਟ ਰੁਕਾਵਟ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਗੇਟ ਇੰਡਕਟੈਂਸ ਚਾਰਜ ਕਾਰਨ ਟਿਊਬ ਨੂੰ ਨੁਕਸਾਨ ਤੋਂ ਬਚਣ ਲਈ ਵਰਤੋਂ ਵਿੱਚ ਨਾ ਹੋਣ 'ਤੇ ਹਰੇਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਨੂੰ ਛੋਟਾ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।
(3) ਜੰਕਸ਼ਨ MOSFETs ਦੇ ਗੇਟ ਸੋਰਸ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਉਲਟਾਇਆ ਨਹੀਂ ਜਾ ਸਕਦਾ, ਪਰ ਓਪਨ ਸਰਕਟ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
(4) MOSFET ਦੇ ਉੱਚ ਇਨਪੁਟ ਰੁਕਾਵਟ ਨੂੰ ਕਾਇਮ ਰੱਖਣ ਲਈ, ਟਿਊਬ ਨੂੰ ਨਮੀ ਤੋਂ ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਰੱਖਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਵਰਤੋਂ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਸੁੱਕਾ ਰੱਖਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।
(5) MOSFET ਦੇ ਸੰਪਰਕ ਵਿੱਚ ਚਾਰਜ ਕੀਤੀਆਂ ਵਸਤੂਆਂ (ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸੋਲਡਰਿੰਗ ਆਇਰਨ, ਟੈਸਟ ਯੰਤਰ, ਆਦਿ) ਨੂੰ ਟਿਊਬ ਨੂੰ ਨੁਕਸਾਨ ਤੋਂ ਬਚਾਉਣ ਲਈ ਜ਼ਮੀਨੀ ਹੋਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਖਾਸ ਕਰਕੇ ਜਦੋਂ ਵੈਲਡਿੰਗ ਇੰਸੂਲੇਟਿਡ ਗੇਟ MOSFET, ਸਰੋਤ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ - ਵੈਲਡਿੰਗ ਦੇ ਗੇਟ ਕ੍ਰਮਵਾਰ ਕ੍ਰਮ, ਪਾਵਰ ਬੰਦ ਹੋਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਵੇਲਡ ਕਰਨਾ ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਹੈ. ਸੋਲਡਰਿੰਗ ਆਇਰਨ ਦੀ 15 ~ 30W ਦੀ ਸ਼ਕਤੀ ਉਚਿਤ ਹੈ, ਇੱਕ ਵੈਲਡਿੰਗ ਸਮਾਂ 10 ਸਕਿੰਟਾਂ ਤੋਂ ਵੱਧ ਨਹੀਂ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।
(6) ਇਨਸੁਲੇਟਿਡ ਗੇਟ MOSFET ਨੂੰ ਮਲਟੀਮੀਟਰ ਨਾਲ ਟੈਸਟ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਸਿਰਫ ਇੱਕ ਟੈਸਟਰ ਨਾਲ ਟੈਸਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੇ ਸ਼ਾਰਟ-ਸਰਕਟ ਵਾਇਰਿੰਗ ਨੂੰ ਹਟਾਉਣ ਲਈ ਟੈਸਟਰ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਹੀ। ਜਦੋਂ ਹਟਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਗੇਟ ਓਵਰਹੈਂਗ ਤੋਂ ਬਚਣ ਲਈ ਹਟਾਉਣ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਨੂੰ ਸ਼ਾਰਟ ਸਰਕਟ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।
(7) ਵਰਤਣ ਵੇਲੇMOSFETsਸਬਸਟਰੇਟ ਲੀਡਾਂ ਦੇ ਨਾਲ, ਸਬਸਟਰੇਟ ਲੀਡਾਂ ਨੂੰ ਸਹੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਜੋੜਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਅਪ੍ਰੈਲ-23-2024
