ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ MOSFET ਡਰਾਈਵਿੰਗ ਸਰਕਟ ਦਾ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿਧੀ

ਦੋ ਮੁੱਖ ਹੱਲ ਹਨ:

ਇੱਕ MOSFET ਨੂੰ ਚਲਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਸਮਰਪਿਤ ਡ੍ਰਾਈਵਰ ਚਿੱਪ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨਾ, ਜਾਂ ਤੇਜ਼ ਫੋਟੋਕੂਪਲਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ, ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ MOSFET ਨੂੰ ਚਲਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਸਰਕਟ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਪਰ ਪਹਿਲੀ ਕਿਸਮ ਦੀ ਪਹੁੰਚ ਲਈ ਇੱਕ ਸੁਤੰਤਰ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦੀ ਵਿਵਸਥਾ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ; MOSFET ਨੂੰ ਚਲਾਉਣ ਲਈ ਪਲਸ ਟਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਦੀ ਦੂਜੀ ਕਿਸਮ, ਅਤੇ ਪਲਸ ਡਰਾਈਵ ਸਰਕਟ ਵਿੱਚ, ਡ੍ਰਾਈਵਿੰਗ ਸਮਰੱਥਾ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ ਡ੍ਰਾਈਵ ਸਰਕਟ ਦੀ ਸਵਿਚਿੰਗ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਨੂੰ ਕਿਵੇਂ ਸੁਧਾਰਿਆ ਜਾਵੇ, ਜਿੱਥੋਂ ਤੱਕ ਸੰਭਵ ਹੋਵੇ, ਭਾਗਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ, ਫੌਰੀ ਲੋੜ ਹੈ। ਨੂੰ ਹੱਲ ਕਰਨ ਲਈਮੌਜੂਦਾ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ.

ਪਹਿਲੀ ਕਿਸਮ ਦੀ ਡਰਾਈਵ ਸਕੀਮ, ਅੱਧੇ ਪੁਲ ਲਈ ਦੋ ਸੁਤੰਤਰ ਬਿਜਲੀ ਸਪਲਾਈ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ; ਫੁੱਲ-ਬ੍ਰਿਜ ਲਈ ਤਿੰਨ ਸੁਤੰਤਰ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅੱਧੇ-ਪੁਲ ਅਤੇ ਪੂਰੇ-ਬ੍ਰਿਜ ਦੋਵੇਂ, ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਹਿੱਸੇ, ਲਾਗਤ ਘਟਾਉਣ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਨਹੀਂ ਹਨ।

ਦੂਜੀ ਕਿਸਮ ਦਾ ਡਰਾਈਵਿੰਗ ਪ੍ਰੋਗਰਾਮ, ਅਤੇ ਪੇਟੈਂਟ ਖੋਜ ਨਾਮ "ਇੱਕ ਉੱਚ-ਸ਼ਕਤੀ" ਲਈ ਸਭ ਤੋਂ ਨਜ਼ਦੀਕੀ ਪੁਰਾਣੀ ਕਲਾ ਹੈMOSFET ਡਰਾਈਵ ਸਰਕਟ" ਪੇਟੈਂਟ (ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਨੰਬਰ 200720309534. 8), ਪੇਟੈਂਟ ਸਿਰਫ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ MOSFET ਚਾਰਜ ਦੇ ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਨੂੰ ਛੱਡਣ ਲਈ ਇੱਕ ਡਿਸਚਾਰਜ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਜੋੜਦਾ ਹੈ, ਬੰਦ ਕਰਨ ਦੇ ਉਦੇਸ਼ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ, PWM ਸਿਗਨਲ ਦਾ ਡਿੱਗਦਾ ਕਿਨਾਰਾ ਵੱਡਾ ਹੈ। PWM ਸਿਗਨਲ ਦਾ ਡਿੱਗਣ ਵਾਲਾ ਕਿਨਾਰਾ ਵੱਡਾ ਹੈ, ਜੋ MOSFET, ਪਾਵਰ ਨੂੰ ਹੌਲੀ ਬੰਦ ਕਰਨ ਵੱਲ ਲੈ ਜਾਵੇਗਾ ਨੁਕਸਾਨ ਬਹੁਤ ਵੱਡਾ ਹੈ;

ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਪੇਟੈਂਟ ਪ੍ਰੋਗਰਾਮ MOSFET ਦਾ ਕੰਮ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਲਈ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਹੈ, ਅਤੇ PWM ਨਿਯੰਤਰਣ ਚਿੱਪ ਨੂੰ ਇੱਕ ਵੱਡੀ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪਾਵਰ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਚਿੱਪ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ ਉੱਚਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਚਿੱਪ ਦੀ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਕਾਢ ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ ਇਸ ਉਪਯੋਗਤਾ ਮਾਡਲ ਦਾ ਉਦੇਸ਼ ਇੱਕ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ MOSFET ਡਰਾਈਵ ਸਰਕਟ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨਾ ਹੈ, ਇਸ ਉਪਯੋਗਤਾ ਮਾਡਲ ਦੀ ਕਾਢ ਤਕਨੀਕੀ ਹੱਲ ਦੇ ਉਦੇਸ਼ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਵਧੇਰੇ ਸਥਿਰ ਅਤੇ ਜ਼ੀਰੋ ਕੰਮ ਕਰਨਾ ਹੈ - ਇੱਕ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ MOSFET ਡਰਾਈਵ ਸਰਕਟ, ਦਾ ਸਿਗਨਲ ਆਉਟਪੁੱਟ PWM ਕੰਟਰੋਲ ਚਿੱਪ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਨਾਲ ਜੁੜੀ ਹੋਈ ਹੈ, ਪਹਿਲੀ ਆਉਟਪੁੱਟ ਓf ਸੈਕੰਡਰੀ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਪਹਿਲੇ MOSFET ਗੇਟ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਸੈਕੰਡਰੀ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਦਾ ਦੂਜਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪਹਿਲੇ MOSFET ਗੇਟ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਸੈਕੰਡਰੀ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਦਾ ਦੂਜਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪਹਿਲੇ MOSFET ਗੇਟ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਸੈਕੰਡਰੀ ਦਾ ਪਹਿਲਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪਹਿਲੇ MOSFET ਦੇ ਗੇਟ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਸੈਕੰਡਰੀ ਦਾ ਦੂਜਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਦੂਜੇ MOSFET ਦੇ ਗੇਟ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਹੈ ਕਿ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਸੈਕੰਡਰੀ ਦਾ ਪਹਿਲਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਵੀ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਪਹਿਲੇ ਡਿਸਚਾਰਜ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਨਾਲ, ਅਤੇ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਸੈਕੰਡਰੀ ਦਾ ਦੂਜਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਵੀ ਦੂਜੇ ਡਿਸਚਾਰਜ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਦਾ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਸਾਈਡ ਵੀ ਊਰਜਾ ਸਟੋਰੇਜ ਅਤੇ ਰੀਲੀਜ਼ ਸਰਕਟ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ।

ਊਰਜਾ ਸਟੋਰੇਜ ਰੀਲੀਜ਼ ਸਰਕਟ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਰੋਧਕ, ਇੱਕ ਕੈਪਸੀਟਰ ਅਤੇ ਇੱਕ ਡਾਇਓਡ ਸ਼ਾਮਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਰੋਧਕ ਅਤੇ ਕੈਪਸੀਟਰ ਸਮਾਨਾਂਤਰ ਵਿੱਚ ਜੁੜੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਉੱਪਰ ਦੱਸੇ ਪੈਰਲਲ ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਡਾਇਓਡ ਨਾਲ ਲੜੀ ਵਿੱਚ ਜੋੜਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਉਪਯੋਗਤਾ ਮਾਡਲ ਦਾ ਇੱਕ ਲਾਹੇਵੰਦ ਪ੍ਰਭਾਵ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਉਪਯੋਗਤਾ ਮਾਡਲ ਵਿੱਚ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਸੈਕੰਡਰੀ ਦੇ ਪਹਿਲੇ ਆਉਟਪੁੱਟ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਇੱਕ ਪਹਿਲਾ ਡਿਸਚਾਰਜ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਵੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਦੇ ਦੂਜੇ ਆਉਟਪੁੱਟ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਇੱਕ ਦੂਜਾ ਡਿਸਚਾਰਜ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਜਦੋਂ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਘੱਟ ਆਉਟਪੁੱਟ ਕਰਦਾ ਹੈ ਪੱਧਰ, ਪਹਿਲੇ MOSFET ਅਤੇ ਦੂਜੇ MOSFET ਨੂੰ MOSFET ਦੀ ਬੰਦ ਕਰਨ ਦੀ ਗਤੀ ਨੂੰ ਸੁਧਾਰਨ ਲਈ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਡਿਸਚਾਰਜ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ MOSFET ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘਟਾਓ। PWM ਕੰਟਰੋਲ ਚਿੱਪ ਦਾ ਸਿਗਨਲ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਆਉਟਪੁੱਟ ਅਤੇ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਵਿਚਕਾਰ ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ MOSFET ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਜਿਸਦੀ ਵਰਤੋਂ ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। PWM ਨਿਯੰਤਰਣ ਚਿੱਪ ਦਾ ਸਿਗਨਲ ਆਉਟਪੁੱਟ ਅਤੇ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਲਈ ਇੱਕ MOSFET ਨਾਲ ਜੁੜੇ ਹੋਏ ਹਨ, ਜੋ PWM ਸਿਗਨਲ ਦੀ ਡ੍ਰਾਈਵਿੰਗ ਸਮਰੱਥਾ ਨੂੰ ਹੋਰ ਸੁਧਾਰ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਇੱਕ ਊਰਜਾ ਸਟੋਰੇਜ ਰੀਲੀਜ਼ ਸਰਕਟ ਨਾਲ ਵੀ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਜਦੋਂ PWM ਸਿਗਨਲ ਘੱਟ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਊਰਜਾ ਸਟੋਰੇਜ ਰੀਲੀਜ਼ ਸਰਕਟ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਵਿੱਚ ਸਟੋਰ ਕੀਤੀ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਛੱਡਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ PWM ਉੱਚ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇਹ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ ਕਿ ਗੇਟ ਪਹਿਲੇ MOSFET ਅਤੇ ਦੂਜੇ MOSFET ਦਾ ਸਰੋਤ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਹੈ, ਜੋ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਵਿੱਚ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਉਂਦਾ ਹੈ।

ਇੱਕ ਖਾਸ ਲਾਗੂ ਕਰਨ ਵਿੱਚ, ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫੀਕੇਸ਼ਨ ਲਈ ਇੱਕ ਘੱਟ-ਪਾਵਰ MOSFET Q1 PWM ਕੰਟਰੋਲ ਚਿੱਪ ਦੇ ਸਿਗਨਲ ਆਉਟਪੁੱਟ ਟਰਮੀਨਲ A ਅਤੇ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ Tl ਦੇ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਵਿਚਕਾਰ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਦੇ ਸੈਕੰਡਰੀ ਦਾ ਪਹਿਲਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਟਰਮੀਨਲ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਡਾਇਓਡ D1 ਦੁਆਰਾ ਪਹਿਲੇ MOSFET Q4 ਦਾ ਗੇਟ ਅਤੇ ਡ੍ਰਾਈਵਿੰਗ ਰੇਜ਼ਿਸਟਰ Rl, ਦੂਜੀ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪਲਸ ਟਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਦੇ ਸੈਕੰਡਰੀ ਦਾ ਟਰਮੀਨਲ ਦੂਜੇ MOSFET Q5 ਦੇ ਗੇਟ ਨਾਲ ਡਾਇਓਡ D2 ਅਤੇ ਡ੍ਰਾਈਵਿੰਗ ਰੇਜ਼ਿਸਟਰ R2 ਰਾਹੀਂ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਅਤੇ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਦੇ ਸੈਕੰਡਰੀ ਦਾ ਪਹਿਲਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਟਰਮੀਨਲ ਵੀ ਪਹਿਲੇ ਡਰੇਨ ਟ੍ਰਾਈਓਡ Q2 ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਅਤੇ ਦੂਜਾ ਡਰੇਨ ਟ੍ਰਾਈਡ Q3 ਦੂਜੇ ਡਰੇਨ ਟ੍ਰਾਈਡ Q3 ਨਾਲ ਵੀ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। MOSFET Q5, ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਸੈਕੰਡਰੀ ਦਾ ਪਹਿਲਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਟਰਮੀਨਲ ਵੀ ਇੱਕ ਪਹਿਲੇ ਡਰੇਨ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ Q2 ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਅਤੇ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਸੈਕੰਡਰੀ ਦਾ ਦੂਜਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਟਰਮੀਨਲ ਵੀ ਇੱਕ ਦੂਜੇ ਡਰੇਨ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ Q3 ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ।

ਪਹਿਲੇ MOSFET Q4 ਦਾ ਗੇਟ ਇੱਕ ਡ੍ਰੇਨ ਰੋਧਕ R3 ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਅਤੇ ਦੂਜੇ MOSFET Q5 ਦਾ ਗੇਟ ਇੱਕ ਡਰੇਨ ਰੋਧਕ R4 ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ Tl ਦਾ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਇੱਕ ਊਰਜਾ ਸਟੋਰੇਜ ਅਤੇ ਰੀਲੀਜ਼ ਸਰਕਟ ਨਾਲ ਵੀ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਅਤੇ ਊਰਜਾ ਸਟੋਰੇਜ ਅਤੇ ਰੀਲੀਜ਼ ਸਰਕਟ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਰੋਧਕ R5, ਇੱਕ ਕੈਪਸੀਟਰ Cl, ਅਤੇ ਇੱਕ ਡਾਇਓਡ D3 ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ, ਅਤੇ ਰੋਧਕ R5 ਅਤੇ ਕੈਪੇਸੀਟਰ Cl ਵਿੱਚ ਜੁੜੇ ਹੋਏ ਹਨ। ਪੈਰਲਲ, ਅਤੇ ਉਪਰੋਕਤ ਸਮਾਨਾਂਤਰ ਸਰਕਟ ਡਾਇਓਡ D3 ਨਾਲ ਲੜੀ ਵਿੱਚ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। PWM ਕੰਟਰੋਲ ਚਿੱਪ ਤੋਂ PWM ਸਿਗਨਲ ਆਉਟਪੁੱਟ ਘੱਟ-ਪਾਵਰ MOSFET Q2 ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਅਤੇ ਘੱਟ-ਪਾਵਰ MOSFET Q2 ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਦੇ ਸੈਕੰਡਰੀ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਘੱਟ-ਪਾਵਰ MOSFET Ql ਦੁਆਰਾ ਵਧਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ Tl ਦੇ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਤੱਕ ਆਉਟਪੁੱਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਜਦੋਂ PWM ਸਿਗਨਲ ਉੱਚਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਦੇ ਸੈਕੰਡਰੀ ਦਾ ਪਹਿਲਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਟਰਮੀਨਲ ਅਤੇ ਦੂਜਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਟਰਮੀਨਲ Tl ਆਉਟਪੁੱਟ ਉੱਚ ਪੱਧਰੀ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਚਲਾਉਣ ਲਈ ਪਹਿਲੇ MOSFET Q4 ਅਤੇ ਦੂਜੇ MOSFET Q5 ਨੂੰ ਚਲਾਉਣ ਲਈ।

ਜਦੋਂ PWM ਸਿਗਨਲ ਘੱਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਪਹਿਲੀ ਆਉਟਪੁੱਟ ਅਤੇ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਦੀ ਦੂਜੀ ਆਉਟਪੁੱਟ Tl ਸੈਕੰਡਰੀ ਆਉਟਪੁੱਟ ਲੋਅ ਲੈਵਲ ਸਿਗਨਲ, ਪਹਿਲਾ ਡਰੇਨ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ Q2 ਅਤੇ ਦੂਜਾ ਡਰੇਨ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ Q3 ਕੰਡਕਸ਼ਨ, ਡਰੇਨ ਰੋਧਕ R3 ਦੁਆਰਾ ਪਹਿਲਾ MOSFETQ4 ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਕੈਪੈਸੀਟੈਂਸ, ਡਿਸਚਾਰਜ ਲਈ ਪਹਿਲਾ ਡਰੇਨ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ Q2, ਦੂਜਾ MOSFETQ5 ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਡਰੇਨ ਰੇਜ਼ਿਸਟਰ R4 ਦੁਆਰਾ ਕੈਪੈਸੀਟੈਂਸ, ਡਿਸਚਾਰਜ ਲਈ ਦੂਜਾ ਡ੍ਰੇਨ ਟ੍ਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ Q3, ਡਰੇਨ ਰੋਧਕ R4 ਦੁਆਰਾ ਦੂਜਾ MOSFETQ5 ਗੇਟ ਸੋਰਸ ਕੈਪੈਸੀਟੈਂਸ, ਡਿਸਚਾਰਜ ਲਈ ਦੂਜਾ ਡ੍ਰੇਨ ਟ੍ਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ Q3, ਦੂਸਰਾ MOSFETQ5 ਗੇਟ ਸੋਰਸ ਕੈਪੈਸੀਟੈਂਸ ਡ੍ਰੇਨ ਰੈਜ਼ੀਸਟਰ R4 ਦੁਆਰਾ, ਡਿਸਚਾਰਜ ਲਈ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ Q3. ਦੂਸਰਾ MOSFETQ5 ਗੇਟ ਸੋਰਸ ਕੈਪੈਸੀਟੈਂਸ ਨੂੰ ਡ੍ਰੇਨ ਰੇਜ਼ਿਸਟਰ R4 ਅਤੇ ਦੂਜੇ ਡ੍ਰੇਨ ਟ੍ਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ Q3 ਦੁਆਰਾ ਡਿਸਚਾਰਜ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਪਹਿਲੇ MOSFET Q4 ਅਤੇ ਦੂਜੇ MOSFET Q5 ਨੂੰ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਬੰਦ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ ਅਤੇ ਬਿਜਲੀ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘਟਾਇਆ ਜਾ ਸਕੇ।

ਜਦੋਂ PWM ਸਿਗਨਲ ਘੱਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਰੋਧਕ R5, ਕੈਪੇਸੀਟਰ Cl ਅਤੇ ਡਾਇਓਡ D3 ਨਾਲ ਬਣਿਆ ਸਟੋਰ ਕੀਤਾ ਊਰਜਾ ਰੀਲੀਜ਼ ਸਰਕਟ ਪਲਸ ਟ੍ਰਾਂਸਫਾਰਮਰ ਵਿੱਚ ਸਟੋਰ ਕੀਤੀ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਛੱਡਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ PWM ਉੱਚਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇਹ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ ਕਿ ਪਹਿਲੇ MOSFET Q4 ਅਤੇ ਦੂਜੇ MOSFET ਦੇ ਗੇਟ ਸਰੋਤ Q5 ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਹੈ, ਜੋ ਦਖਲ-ਵਿਰੋਧੀ ਦੇ ਉਦੇਸ਼ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਦਾ ਹੈ। Diode Dl ਅਤੇ diode D2 ਆਉਟਪੁੱਟ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਇੱਕ ਦਿਸ਼ਾਹੀਣ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਚਲਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ PWM ਵੇਵਫਾਰਮ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਇਸਦੇ ਨਾਲ ਹੀ, ਇਹ ਇੱਕ ਹੱਦ ਤੱਕ ਦਖਲ-ਵਿਰੋਧੀ ਦੀ ਭੂਮਿਕਾ ਵੀ ਨਿਭਾਉਂਦੇ ਹਨ।