ਇੰਸੂਲੇਟਡ ਲੇਅਰ ਗੇਟ MOSFETs ਦੀ ਮਾਨਤਾ

ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਲੇਅਰ ਗੇਟ ਕਿਸਮ MOSFET ਉਰਫMOSFET (ਇਸ ਤੋਂ ਬਾਅਦ MOSFET ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ), ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਸਰੋਤ ਡਰੇਨ ਦੇ ਮੱਧ ਵਿੱਚ ਸਿਲੀਕਾਨ ਡਾਈਆਕਸਾਈਡ ਦੀ ਇੱਕ ਕੇਬਲ ਮਿਆਨ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।

MOSFET ਵੀ ਹੈਐਨ-ਚੈਨਲ ਅਤੇ ਪੀ-ਚੈਨਲ ਦੋ ਸ਼੍ਰੇਣੀਆਂ ਹਨ, ਪਰ ਹਰੇਕ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਨੂੰ ਸੁਧਾਰ ਅਤੇ ਲਾਈਟ ਡਿਪਲੇਸ਼ਨ ਟਾਈਪ ਦੋ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਕੁੱਲ ਚਾਰ ਕਿਸਮਾਂ ਹਨ:ਐਨ-ਚੈਨਲ ਸੁਧਾਰ, ਪੀ-ਚੈਨਲ ਸੁਧਾਰ, ਐਨ-ਚੈਨਲ ਲਾਈਟ ਡਿਪਲੀਸ਼ਨ, ਪੀ-ਚੈਨਲ ਲਾਈਟ ਡਿਪਲੀਸ਼ਨ ਕਿਸਮ। ਪਰ ਜਿੱਥੇ ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ ਜ਼ੀਰੋ ਹੈ, ਪਾਈਪ ਦਾ ਨਿਕਾਸ ਕਰੰਟ ਵੀ ਜ਼ੀਰੋ ਹੈ, ਵਧੀ ਹੋਈ ਟਿਊਬ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਜਿੱਥੇ ਗੇਟ ਸੋਰਸ ਵੋਲਟੇਜ ਜ਼ੀਰੋ ਹੈ, ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ ਜ਼ੀਰੋ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਨੂੰ ਰੌਸ਼ਨੀ ਦੀ ਖਪਤ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ ਦੀਆਂ ਟਿਊਬਾਂ ਵਜੋਂ ਸ਼੍ਰੇਣੀਬੱਧ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।
ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ MOSFET ਸਿਧਾਂਤ:

ਜਦੋਂ ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਦੇ ਮੱਧ ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਨਹੀਂ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ, ਤਾਂ ਡਰੇਨ ਸਰੋਤ ਪੀਐਨ ਜੰਕਸ਼ਨ ਦਾ ਮੱਧ ਉਲਟ ਦਿਸ਼ਾ ਵਿੱਚ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਕੋਈ ਕੰਡਕਟਿਵ ਚੈਨਲ ਨਹੀਂ ਹੋਵੇਗਾ, ਭਾਵੇਂ ਕਿ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਨਾਲ ਡਰੇਨ ਸਰੋਤ ਦੇ ਮੱਧ ਵਿੱਚ, ਸੰਚਾਲਕ ਖਾਈ ਬਿਜਲੀ ਬੰਦ ਹੈ, ਇਸ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਕਰੰਟ ਹੋਣਾ ਸੰਭਵ ਨਹੀਂ ਹੈ। ਜਦੋਂ ਗੇਟ ਸੋਰਸ ਦਾ ਮੱਧ ਪਲੱਸ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਦਿਸ਼ਾ ਵਾਲੀ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਮੁੱਲ ਵਿੱਚ ਬਦਲਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਡਰੇਨ ਸਰੋਤ ਦੇ ਮੱਧ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਸੰਚਾਲਕ ਸੁਰੱਖਿਆ ਚੈਨਲ ਪੈਦਾ ਕਰੇਗਾ, ਤਾਂ ਜੋ ਇਸ ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਸੰਚਾਲਕ ਖਾਈ ਨੂੰ ਓਪਨ ਵੋਲਟੇਜ VGS ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਮੱਧ ਤੋਂ ਵੱਡਾ, ਸੰਚਾਲਕ ਖਾਈ ਚੌੜੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਬਦਲੇ ਵਿੱਚ ਬਿਜਲੀ ਦੇ ਵਹਾਅ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ।

ਲਾਈਟ ਡਿਸਸੀਪੇਟਿਵ MOSFET ਦਾ ਸਿਧਾਂਤ:

ਸੰਚਾਲਨ ਵਿੱਚ, ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਦੇ ਮੱਧ ਵਿੱਚ ਕੋਈ ਵੋਲਟੇਜ ਨਹੀਂ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ, ਐਨਹੈਂਸਮੈਂਟ ਕਿਸਮ MOSFET ਦੇ ਉਲਟ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ ਡਰੇਨ ਸਰੋਤ ਦੇ ਮੱਧ ਵਿੱਚ ਮੌਜੂਦ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਡਰੇਨ ਸਰੋਤ ਦੇ ਮੱਧ ਵਿੱਚ ਸਿਰਫ ਇੱਕ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਵੋਲਟੇਜ ਜੋੜਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਇੱਕ ਡਰੇਨ ਮੌਜੂਦਾ ਵਹਾਅ ਵਿੱਚ ਨਤੀਜੇ. ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਦਿਸ਼ਾ ਦੇ ਮੱਧ ਵਿੱਚ ਗੇਟ ਸਰੋਤ, ਕੰਡਕਟਿਵ ਚੈਨਲ ਦਾ ਵਿਸਥਾਰ, ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਉਲਟ ਦਿਸ਼ਾ ਨੂੰ ਜੋੜਦਾ ਹੈ, ਕੰਡਕਟਿਵ ਚੈਨਲ ਸੁੰਗੜਦਾ ਹੈ, ਬਿਜਲੀ ਦੇ ਵਹਾਅ ਦੁਆਰਾ ਛੋਟਾ ਹੋ ਜਾਵੇਗਾ, MOSFET ਤੁਲਨਾ ਦੇ ਵਾਧੇ ਦੇ ਨਾਲ, ਇਹ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ ਦੇ ਅੰਦਰ ਖੇਤਰਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਸੰਖਿਆ ਦੇ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਅਤੇ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਸੰਖਿਆ ਵਿੱਚ ਵੀ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ।

MOSFET ਦੀ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ੀਲਤਾ:

ਪਹਿਲਾਂ, MOSFETs ਨੂੰ ਵੱਡਾ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਕਿਉਂਕਿ MOSFET ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ ਦਾ ਇੰਪੁੱਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਬਹੁਤ ਉੱਚਾ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਫਿਲਟਰ ਕੈਪਸੀਟਰ ਛੋਟਾ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਨੂੰ ਲਾਗੂ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ।

ਦੂਜਾ, MOSFET ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਇੰਪੁੱਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪਰਿਵਰਤਨ ਲਈ ਢੁਕਵਾਂ ਹੈ। ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪਰਿਵਰਤਨ ਲਈ ਬਹੁ-ਪੱਧਰੀ ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ ਇਨਪੁਟ ਪੜਾਅ ਵਿੱਚ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

MOSFET ਨੂੰ ਅਡਜੱਸਟੇਬਲ ਰੋਧਕ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਚੌਥਾ, MOSFET ਇੱਕ DC ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਸੁਵਿਧਾਜਨਕ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ।

V. MOSFET ਨੂੰ ਇੱਕ ਸਵਿਚਿੰਗ ਤੱਤ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।