ਇੱਕ MOSFET ਦੇ ਚਾਰ ਖੇਤਰ ਕੀ ਹਨ?

ਇੱਕ N-ਚੈਨਲ ਸੁਧਾਰ MOSFET ਦੇ ਚਾਰ ਖੇਤਰ

(1) ਪਰਿਵਰਤਨਸ਼ੀਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਖੇਤਰ (ਜਿਸ ਨੂੰ ਅਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਖੇਤਰ ਵੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ)

Ucs" Ucs (th) (ਟਰਨ-ਆਨ ਵੋਲਟੇਜ), uDs" UGs-Ucs (th), ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰੀ-ਕਲੈਂਪਡ ਟਰੇਸ ਦੇ ਖੱਬੇ ਪਾਸੇ ਦਾ ਖੇਤਰ ਹੈ ਜਿੱਥੇ ਚੈਨਲ ਚਾਲੂ ਹੈ। ਇਸ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ UDs ਦਾ ਮੁੱਲ ਛੋਟਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਚੈਨਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਮੂਲ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਸਿਰਫ UGs ਦੁਆਰਾ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਜਦੋਂ uGs ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ip ਅਤੇ uDs ਇੱਕ ਲੀਨੀਅਰ ਸਬੰਧ ਵਿੱਚ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਤਾਂ ਖੇਤਰ ਨੂੰ ਸਿੱਧੀਆਂ ਰੇਖਾਵਾਂ ਦੇ ਇੱਕ ਸਮੂਹ ਵਜੋਂ ਅਨੁਮਾਨਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਸਮੇਂ, ਇੱਕ ਵੋਲਟੇਜ UGS ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਫੀਲਡ ਪ੍ਰਭਾਵ ਟਿਊਬ D, S

ਵੋਲਟੇਜ UGS ਵੇਰੀਏਬਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦੁਆਰਾ ਨਿਯੰਤਰਿਤ.

(2) ਸਥਿਰ ਮੌਜੂਦਾ ਖੇਤਰ (ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਖੇਤਰ, ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਖੇਤਰ, ਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਖੇਤਰ ਵਜੋਂ ਵੀ ਜਾਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ)

Ucs ≥ Ucs (h) ਅਤੇ Ubs ≥ UcsUssth), ਪ੍ਰੀ-ਪਿੰਚ ਔਫ ਟ੍ਰੈਕ ਦੇ ਸੱਜੇ ਪਾਸੇ ਦੇ ਚਿੱਤਰ ਲਈ, ਪਰ ਅਜੇ ਤੱਕ ਇਸ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਨਹੀਂ ਟੁੱਟੇ ਹੋਏ, ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ, ਜਦੋਂ uGs ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ, ib ਲਗਭਗ ਨਹੀਂ ਕਰਦਾ. UDs ਨਾਲ ਤਬਦੀਲੀ, ਇੱਕ ਸਥਿਰ-ਮੌਜੂਦਾ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ। i ਸਿਰਫ UGs ਦੁਆਰਾ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਫਿਰ MOSFETD, S ਮੌਜੂਦਾ ਸਰੋਤ ਦੇ ਇੱਕ ਵੋਲਟੇਜ uGs ਨਿਯੰਤਰਣ ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਹੈ। MOSFET ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ MOSFET D, S ਦੇ ਕੰਮ 'ਤੇ ਇੱਕ ਵੋਲਟੇਜ uGs ਨਿਯੰਤਰਣ ਮੌਜੂਦਾ ਸਰੋਤ ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਐਮਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ MOSFET, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਇਸਨੂੰ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਖੇਤਰ ਵੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

(3) ਕਲਿੱਪ-ਆਫ ਖੇਤਰ (ਕਟ-ਆਫ ਖੇਤਰ ਵੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ)

ਕਲਿੱਪ-ਆਫ ਖੇਤਰ (ਜਿਸ ਨੂੰ ਕੱਟ-ਆਫ ਖੇਤਰ ਵੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ) ਖੇਤਰ ਦੇ ਹਰੀਜੱਟਲ ਧੁਰੇ ਦੇ ਨੇੜੇ ਚਿੱਤਰ ਲਈ ucs "Ues (th) ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਲਈ, ਚੈਨਲ ਨੂੰ ਸਾਰੇ ਬੰਦ ਕਰ ਦਿੱਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਨੂੰ ਪੂਰੀ ਕਲਿੱਪ ਬੰਦ ਵਜੋਂ ਜਾਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, io = 0 , ਟਿਊਬ ਕੰਮ ਨਹੀਂ ਕਰਦੀ।

(4) ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਜ਼ੋਨ ਟਿਕਾਣਾ

ਟੁੱਟਣ ਵਾਲਾ ਖੇਤਰ ਚਿੱਤਰ ਦੇ ਸੱਜੇ ਪਾਸੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਸਥਿਤ ਹੈ। ਵਧਦੀ UDs ਦੇ ਨਾਲ, PN ਜੰਕਸ਼ਨ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਰਿਵਰਸ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਟੁੱਟਣ ਦੇ ਅਧੀਨ ਹੈ, ip ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਧਦਾ ਹੈ. ਟਿਊਬ ਨੂੰ ਚਲਾਇਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਟੁੱਟਣ ਵਾਲੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਕਰਨ ਤੋਂ ਬਚਿਆ ਜਾ ਸਕੇ। ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਵਕਰ ਆਉਟਪੁੱਟ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਵਕਰ ਤੋਂ ਲਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਖੋਜਣ ਲਈ ਗ੍ਰਾਫ ਵਜੋਂ ਵਰਤੀ ਗਈ ਵਿਧੀ 'ਤੇ। ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, Ubs = 6V ਲੰਬਕਾਰੀ ਰੇਖਾ ਲਈ ਚਿੱਤਰ 3 (a) ਵਿੱਚ, ਵਕਰ ਨਾਲ ਜੁੜੇ ib- Uss ਕੋਆਰਡੀਨੇਟਸ ਵਿੱਚ i, Us ਮੁੱਲਾਂ ਨਾਲ ਸੰਬੰਧਿਤ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵਕਰਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਇਸਦਾ ਇੰਟਰਸੈਕਸ਼ਨ, ਯਾਨੀ, ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਵਕਰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ।

ਦੇ ਮਾਪਦੰਡMOSFET

MOSFET ਦੇ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਮਾਪਦੰਡ ਹਨ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ DC ਪੈਰਾਮੀਟਰ, AC ਪੈਰਾਮੀਟਰ ਅਤੇ ਸੀਮਾ ਪੈਰਾਮੀਟਰ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ, ਪਰ ਆਮ ਵਰਤੋਂ ਵਿੱਚ ਸਿਰਫ਼ ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੇ ਮੁੱਖ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਵਿੱਚ ਰੱਖਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ: ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਮੌਜੂਦਾ IDSS ਪਿੰਚ-ਆਫ ਵੋਲਟੇਜ ਅੱਪ, (ਜੰਕਸ਼ਨ-ਟਾਈਪ ਟਿਊਬ ਅਤੇ ਡਿਪਲੇਸ਼ਨ -ਟਾਇਪ ਇਨਸੂਲੇਟਡ-ਗੇਟ ਟਿਊਬ, ਜਾਂ ਟਰਨ-ਆਨ ਵੋਲਟੇਜ UT (ਰੀਇਨਫੋਰਸਡ ਇੰਸੂਲੇਟਡ-ਗੇਟ ਟਿਊਬ), ਟਰਾਂਸ-ਕੰਡਕਟੈਂਸ ਗ੍ਰਾਮ, ਲੀਕੇਜ-ਸਰੋਤ ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ BUDS, ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਡਿਸਸੀਪੇਟਿਡ ਪਾਵਰ PDSM, ਅਤੇ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਮੌਜੂਦਾ IDSM।

(1) ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ

ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਡਰੇਨ ਵਰਤਮਾਨ IDSS ਇੱਕ ਜੰਕਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਾਂ ਡਿਪਲੀਸ਼ਨ ਟਾਈਪ ਇਨਸੁਲੇਟਿਡ ਗੇਟ MOSFET ਜਦੋਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ UGS = 0 ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

(2) ਕਲਿੱਪ-ਬੰਦ ਵੋਲਟੇਜ

ਪਿੰਚ-ਆਫ ਵੋਲਟੇਜ UP ਇੱਕ ਜੰਕਸ਼ਨ-ਟਾਈਪ ਜਾਂ ਡਿਪਲੀਸ਼ਨ-ਟਾਈਪ ਇੰਸੂਲੇਟਡ-ਗੇਟ MOSFET ਵਿੱਚ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਹੈ ਜੋ ਡਰੇਨ ਅਤੇ ਸਰੋਤ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਕੱਟਦਾ ਹੈ। ਜਿਵੇਂ ਕਿ N-ਚੈਨਲ ਟਿਊਬ UGS a ID ਕਰਵ ਲਈ 4-25 ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, IDSS ਦੀ ਮਹੱਤਤਾ ਨੂੰ ਵੇਖਣ ਲਈ ਸਮਝਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਯੂ.ਪੀ.

MOSFET ਚਾਰ ਖੇਤਰ

(3) ਚਾਲੂ-ਚਾਲੂ ਵੋਲਟੇਜ

ਟਰਨ-ਆਨ ਵੋਲਟੇਜ UT ਇੱਕ ਰੀਇਨਫੋਰਸਡ ਇੰਸੂਲੇਟਿਡ-ਗੇਟ MOSFET ਵਿੱਚ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਹੈ ਜੋ ਇੰਟਰ-ਡਰੇਨ-ਸਰੋਤ ਨੂੰ ਸਿਰਫ਼ ਸੰਚਾਲਕ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

(4) ਟ੍ਰਾਂਸਕੰਡਕਟੈਂਸ

ਟਰਾਂਸਕੰਡਕਟੈਂਸ gm ਡਰੇਨ ਮੌਜੂਦਾ ID 'ਤੇ ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ UGS ਦੀ ਨਿਯੰਤਰਣ ਯੋਗਤਾ ਹੈ, ਭਾਵ, ਡ੍ਰੇਨ ਮੌਜੂਦਾ ID ਵਿੱਚ ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ UGS ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ ਦਾ ਅਨੁਪਾਤ। 9m ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਮਾਪਦੰਡ ਹੈ ਜੋ ਦੀ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਸਮਰੱਥਾ ਨੂੰ ਤੋਲਦਾ ਹੈMOSFET.

(5) ਡਰੇਨ ਸੋਰਸ ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ

ਡਰੇਨ ਸੋਰਸ ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ BUDS ਗੇਟ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ UGS ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਦਾ ਹਵਾਲਾ ਦਿੰਦਾ ਹੈ, MOSFET ਆਮ ਕਾਰਵਾਈ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਡਰੇਨ ਸਰੋਤ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਸਵੀਕਾਰ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਇੱਕ ਸੀਮਾ ਪੈਰਾਮੀਟਰ ਹੈ, ਜੋ MOSFET ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ ਵਿੱਚ ਜੋੜਿਆ ਗਿਆ ਹੈ, BUDS ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।

(6) ਅਧਿਕਤਮ ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ

ਅਧਿਕਤਮ ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ PDSM ਵੀ ਇੱਕ ਸੀਮਾ ਪੈਰਾਮੀਟਰ ਹੈ, ਦਾ ਹਵਾਲਾ ਦਿੰਦਾ ਹੈMOSFETਕਾਰਜਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਿਗੜਦੀ ਨਹੀਂ ਹੈ ਜਦੋਂ ਅਧਿਕਤਮ ਆਗਿਆਯੋਗ ਲੀਕੇਜ ਸਰੋਤ ਪਾਵਰ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। MOSFET ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਸਮੇਂ ਪ੍ਰੈਕਟੀਕਲ ਪਾਵਰ ਦੀ ਖਪਤ PDSM ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਖਾਸ ਮਾਰਜਿਨ ਛੱਡਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।

(7) ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਡਰੇਨ ਕਰੰਟ

ਅਧਿਕਤਮ ਲੀਕੇਜ ਮੌਜੂਦਾ IDSM ਇੱਕ ਹੋਰ ਸੀਮਾ ਪੈਰਾਮੀਟਰ ਹੈ, ਜੋ MOSFET ਦੇ ਆਮ ਕਾਰਜ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, MOSFET ਦੇ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਕਰੰਟ ਵਿੱਚੋਂ ਲੰਘਣ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੱਤੀ ਗਈ ਅਧਿਕਤਮ ਕਰੰਟ ਦਾ ਲੀਕ ਸਰੋਤ IDSM ਤੋਂ ਵੱਧ ਨਹੀਂ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।

MOSFET ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਸਿਧਾਂਤ

MOSFET (N-channel enhancement MOSFET) ਦਾ ਸੰਚਾਲਨ ਸਿਧਾਂਤ "ਆਉਣ ਵਾਲੇ ਚਾਰਜ" ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਲਈ VGS ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਇਹਨਾਂ "ਇੰਡਕਟਿਵ ਚਾਰਜ" ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਗਏ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਨੂੰ ਬਦਲਿਆ ਜਾ ਸਕੇ, ਅਤੇ ਫਿਰ ਉਦੇਸ਼ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ। ਡਰੇਨ ਦੇ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਕੰਟਰੋਲ ਕਰਨ ਲਈ। ਇਸ ਦਾ ਮਕਸਦ ਡਰੇਨ ਦੇ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਕੰਟਰੋਲ ਕਰਨਾ ਹੈ। ਟਿਊਬਾਂ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ, ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਵੱਡੀ ਗਿਣਤੀ ਵਿੱਚ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਆਇਨਾਂ ਬਣਾਉਣ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ, ਇਸ ਲਈ ਇੰਟਰਫੇਸ ਦੇ ਦੂਜੇ ਪਾਸੇ ਵਿੱਚ ਹੋਰ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਚਾਰਜਾਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇਹਨਾਂ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਚਾਰਜਾਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਜਦੋਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਬਦਲਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਚੈਨਲ ਵਿੱਚ ਚਾਰਜ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਵੀ ਬਦਲ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਕੰਡਕਟਿਵ ਚੈਨਲ ਦੀ ਚੌੜਾਈ ਵੀ ਬਦਲ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਗੇਟ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਨਾਲ ਨਿਕਾਸ ਦੀ ਮੌਜੂਦਾ ID ਬਦਲ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

MOSFET ਭੂਮਿਕਾ

I. MOSFET ਨੂੰ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਲਈ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। MOSFET ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ ਦੇ ਉੱਚ ਇਨਪੁਟ ਰੁਕਾਵਟ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੇ ਬਿਨਾਂ, ਕਪਲਿੰਗ ਕੈਪਸੀਟਰ ਛੋਟੀ ਸਮਰੱਥਾ ਵਾਲਾ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਦੂਜਾ, MOSFET ਦਾ ਉੱਚ ਇੰਪੁੱਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪਰਿਵਰਤਨ ਲਈ ਬਹੁਤ ਢੁਕਵਾਂ ਹੈ। ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਅੜਿੱਕਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਲਈ ਮਲਟੀ-ਸਟੇਜ ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ ਇਨਪੁਟ ਪੜਾਅ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

MOSFET ਨੂੰ ਇੱਕ ਵੇਰੀਏਬਲ ਰੋਧਕ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਚੌਥਾ, MOSFET ਨੂੰ ਇੱਕ ਸਥਿਰ ਮੌਜੂਦਾ ਸਰੋਤ ਵਜੋਂ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਪੰਜਵਾਂ, MOSFET ਨੂੰ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਵਿੱਚ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।